技術(shù)編號(hào)：6804463
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在n型銦鎵砷吸收層上具有雙重勢(shì)壘增強(qiáng)層，以便獲得低暗電流的光電探測(cè)器，屬于微電子學(xué)光電子。設(shè)計(jì)良好的金屬-半導(dǎo)體-金屬(MSM)平面結(jié)構(gòu)的銦鎵砷光電探測(cè)器中，其關(guān)鍵技術(shù)之一就是設(shè)計(jì)一個(gè)有效的肖特基勢(shì)壘增強(qiáng)層。在已申請(qǐng)的CN92108310.6中，還有待進(jìn)一步提高肖特基勢(shì)壘之有效高度。本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種具有雙重勢(shì)壘的銦鎵砷光電探測(cè)器。本發(fā)明的任務(wù)是通過下列措施來完成的一種由襯底、緩沖層、吸收層、雙重勢(shì)壘增強(qiáng)層和金...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。