專利名稱：銦鎵砷光電探測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種提高n型銦鎵砷(In0.53Ga0.47As)吸收層上的肖特基勢(shì)壘高度，以便獲得低暗電流的光電探測(cè)器，屬于微電子學(xué)光電子技術(shù)領(lǐng)域。
在金屬-半導(dǎo)體-金屬平面結(jié)構(gòu)的In0.53Ga0.47As光電探測(cè)器中，其關(guān)鍵技術(shù)之一就是設(shè)計(jì)一個(gè)合適的肖特基勢(shì)壘增強(qiáng)層。在現(xiàn)有L.Yang et al.，IEEE PTL-2，P.56 1990，文獻(xiàn)中，肖特基勢(shì)壘增強(qiáng)層為摻Fe的InP層，存在著工藝復(fù)雜等缺點(diǎn)。
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種新穎結(jié)構(gòu)的銦鎵砷光電探測(cè)器。
本發(fā)明的任務(wù)是通過下列措施來完成的一種由襯底、緩沖層、吸收層、增強(qiáng)層、金屬電極組成的銦鎵砷光電探測(cè)器，其增強(qiáng)層設(shè)計(jì)一種非摻雜InP層，它與光吸收層為晶格匹配的材料，無需過渡層。
附

圖1為銦鎵砷光電探測(cè)器的平面結(jié)構(gòu)圖。
本發(fā)明以下將結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行詳述一種由半絕緣InP(磷化銦)單晶襯底1、非摻雜的InP緩沖層2、n型In0.53Ga0.47As本征光吸收層3、非摻雜InP的增強(qiáng)層4、肖特基勢(shì)壘金屬(Al或Ti/Au)制成的交叉指狀電極5組成，如附圖1所示。為提高光電探測(cè)器的性能，本發(fā)明在于改變肖特基勢(shì)壘增強(qiáng)層4的結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)層4在n型In0.53Ga0.47As本征光吸收層3上生長非摻雜InP層。InP增強(qiáng)層4與n型In0.53Ga0.47As本征光吸收層3為晶格匹配的材料，無需過渡層，非摻雜InP增強(qiáng)層4的厚度在80nm到100nm之間。增強(qiáng)層4的外延層薄膜可以用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積法(WOCVD)，包括低壓或常壓法生長，也可用分子束外延(WBE)或化學(xué)束外延(CBE)法生長。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有結(jié)構(gòu)新穎、工藝簡單、穩(wěn)定可靠、成品率高、勢(shì)壘增強(qiáng)效果好，長波長(1.3～1.55微米)響應(yīng)，高速、低暗電流，特別是便于與場(chǎng)效應(yīng)管(FET)同片集成的優(yōu)點(diǎn)，是一種較為理想的光纖通訊等領(lǐng)域中的重要電子器件。
權(quán)利要求
1.一種銦鎵砷光電探測(cè)器，它由襯底1、緩沖層2、吸收層3、增強(qiáng)層4、金屬電極5組成，本發(fā)明的特征在于所說的增強(qiáng)層4在吸收層3上生長非摻雜InP層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銦鎵砷光電探測(cè)器，其特征在于增強(qiáng)層4的厚度在80nm到100nm之間。
全文摘要
錮鎵砷光電探測(cè)器，屬于微電子學(xué)光電子技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明是由襯底、緩沖層、吸收層、InP增強(qiáng)層、金屬電極組成。具有結(jié)構(gòu)新穎、無需摻Fe、工藝簡單、穩(wěn)定可靠、成品率高，勢(shì)壘增強(qiáng)效果好，長波長(1.3～1.55微米)響應(yīng)，高速，低暗電流，特別是便于與場(chǎng)效應(yīng)管(FET)同片集成的優(yōu)點(diǎn)，是一種廣泛應(yīng)用于光纖通訊領(lǐng)域中的較為理想的光電探測(cè)器。
文檔編號(hào)H01L31/108GK1064372SQ92108310
公開日1992年9月9日 申請(qǐng)日期1992年1月21日 優(yōu)先權(quán)日1992年1月21日
發(fā)明者史常忻, 王慶康 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)