專利名稱：新型的硅片腐蝕裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是一種用于腐蝕硅片的裝置，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。
硅片腐蝕是研制各種傳感器、執(zhí)行器和加工SOI材料的關(guān)鍵工藝之一。在現(xiàn)有的腐蝕裝置中，硅片要通過粘合劑固定在樣品架上，因而硅片裝卸不便，且容易受粘合劑的沾污。另外，由于樣品架轉(zhuǎn)動(dòng)與攪拌腐蝕液的攪拌子之間為同軸轉(zhuǎn)動(dòng)，既容易產(chǎn)生渦流，且因硅片各處線速度不同而導(dǎo)致硅片各處的腐蝕速率不同。因此，現(xiàn)有裝置很難保證硅片大面積腐蝕的均勻性。
本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種硅片裝卸方便，可獲得大面積均勻腐蝕的硅片腐蝕裝置。
本實(shí)用新型由腐蝕槽、樣品架和攪拌系統(tǒng)組成，其特點(diǎn)在于樣品架采用三爪式結(jié)構(gòu)，攪拌系統(tǒng)采用偏心的雙向旋轉(zhuǎn)攪拌即偏心樣品架的轉(zhuǎn)動(dòng)方向與攪拌子的轉(zhuǎn)動(dòng)方向相反。為了便于控制腐蝕溫度，腐蝕槽中可設(shè)置溫度傳感器，并通過溫度控制器來控制腐蝕液溫度。三爪式樣品架由有機(jī)玻璃或具有彈性的塑料制成。樣品架除了做成三爪式結(jié)構(gòu)以外，也可以做成兩爪、四爪或五爪等多爪式結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在使用過程中無粘合劑沾污，硅片無殘留不腐蝕部分。由于采用的攪拌系統(tǒng)消除了渦流，硅片各點(diǎn)平均線速度均勻，因此可使硅片獲得均勻腐蝕，提高腐蝕后的硅片質(zhì)量。


圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是用于不同直徑硅片的樣品架示意圖；圖3是用于同一直徑硅片的多爪式樣品架示意圖。
本實(shí)用新型可采用如下方案實(shí)現(xiàn)采用如圖1所示的結(jié)構(gòu)，腐蝕槽(1)用500～1000ml或容積更大的塑料容器或玻璃容器；將樣品架(2)相對(duì)腐蝕槽偏心放置，并用直流調(diào)速電機(jī)帶動(dòng)，以適當(dāng)?shù)霓D(zhuǎn)速按一定方向轉(zhuǎn)動(dòng)；磁攪拌器使磁攪拌子(3)以一定的轉(zhuǎn)速按與樣品架轉(zhuǎn)動(dòng)方向相反的方向轉(zhuǎn)動(dòng)；溫度傳感器(4)可采用水銀接觸開關(guān)；溫度控制器(5)可采用普通的電子溫度控制器。為了使一個(gè)樣品架可以裝放不同直徑的硅片，可采取如圖2所示的錐形三爪式結(jié)構(gòu)。若要使一個(gè)樣品架可以裝放多片同一直徑的硅片，可采用圖3所示的結(jié)構(gòu)。轉(zhuǎn)軸(6)與直流調(diào)速電機(jī)相連接，彈性爪(7)上開有多個(gè)裝片槽(8)，同一層上的裝片槽應(yīng)當(dāng)保持在同一平面位置上。對(duì)于腐蝕厚度很薄的硅片，可采用將硅片粘附在其它材料的襯底片上進(jìn)行腐蝕。
權(quán)利要求1.一種可獲得大面積均勻腐蝕的硅片腐蝕裝置，由腐蝕槽、樣品架和攪拌系統(tǒng)組成，其特征在于樣品架采用三爪式結(jié)構(gòu)，攪拌系統(tǒng)采用偏心的雙向旋轉(zhuǎn)攪拌子，樣品架的轉(zhuǎn)動(dòng)方向與攪拌子的轉(zhuǎn)動(dòng)方向相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片腐蝕裝置，其特征在于樣品架可做成兩爪、四爪或五爪等多爪式結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅片腐蝕裝置，其特征在于樣品架由有機(jī)玻璃或具有彈性的塑料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅片腐蝕裝置，其特征在于樣品架由轉(zhuǎn)軸和彈性爪構(gòu)成，彈性爪上開有多個(gè)裝片槽。
專利摘要新型的硅片腐蝕裝置是一種可獲得大面積均勻腐蝕的硅片腐蝕裝置，由腐蝕槽、樣品架和攪拌系統(tǒng)組成，其特點(diǎn)是樣品架采用三爪式結(jié)構(gòu)，攪拌系統(tǒng)采用偏心的雙向旋轉(zhuǎn)攪拌子，樣品架的轉(zhuǎn)動(dòng)方向與攪拌子的轉(zhuǎn)向相反，采用溫度控制器控制腐蝕液溫度，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，可獲得大面積均勻腐蝕的硅片。
文檔編號(hào)H01L21/02GK2058786SQ89205180
公開日1990年6月27日 申請(qǐng)日期1989年6月23日 優(yōu)先權(quán)日1989年6月23日
發(fā)明者呂世驥 申請(qǐng)人:東南大學(xué)