本揭露涉及一種半導體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、由于各種電子元件(晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷提高，半導體工業(yè)經(jīng)歷了快速增長。在大多數(shù)情況下，集成密度提高是由于最小結(jié)構(gòu)尺寸的迭代減少而導致，這使得更多的組件可以結(jié)合到特定的區(qū)域中。隨著對電子裝置縮小的需求不斷增長，對更小、更具創(chuàng)意的半導體晶粒封裝技術(shù)的需求也隨之出現(xiàn)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、一種半導體結(jié)構(gòu)包括集成電路晶粒以及密封劑，集成電路晶粒包括基板、互連結(jié)構(gòu)、密封環(huán)以及保護環(huán)，基板，具有一電性裝置；互連結(jié)構(gòu)于基板上，其中互連結(jié)構(gòu)包含介電層和導電特征，其中導電特征電耦合至電性裝置；密封環(huán)于互連結(jié)構(gòu)的介電層中，其中密封環(huán)在俯視圖中環(huán)繞電性裝置；以及保護環(huán)的至少部分嵌入基板中，其中保護環(huán)在俯視圖中環(huán)繞密封環(huán)；以及密封劑，在俯視圖中環(huán)繞集成電路晶粒。

2、一種半導體結(jié)構(gòu)，包括：第一集成電路晶粒，其中第一集成電路晶粒包括：基板，具有裝置區(qū)域；互連結(jié)構(gòu)于該基板上；密封環(huán)于互連結(jié)構(gòu)中；以及保護特征于互連結(jié)構(gòu)和基板中，其中密封環(huán)于保護特征和裝置區(qū)域之間。

3、一種半導體結(jié)構(gòu)，包括第一集成電路晶粒，其中第一集成電路晶粒包括：基板具有裝置區(qū)域；互連結(jié)構(gòu)于基板上；密封環(huán)于互連結(jié)構(gòu)中；以及保護特征于互連結(jié)構(gòu)和基板中，其中密封環(huán)于保護特征和裝置區(qū)域之間，其中在一俯視圖中，保護特征是圍繞密封環(huán)的一個或多個同心分段環(huán)。

技術(shù)特征：

1.一種半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

2.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該保護環(huán)以該電性裝置電隔離。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該保護環(huán)完全嵌入該基板中。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該保護環(huán)在該俯視圖中，位于該密封環(huán)的一外邊緣和該集成電路晶粒的一第一邊緣之間，其中該集成電路晶粒的該第一邊緣是該集成電路晶粒距離該密封環(huán)的該外邊緣最靠近的一邊緣，且其中該集成電路晶粒的該第一邊緣包含該集成電路晶粒的一倒角。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該保護環(huán)在該俯視圖中，位于該密封環(huán)的一外邊緣和該集成電路晶粒的一第一邊緣之間，其中該集成電路晶粒的該第一邊緣是該集成電路晶粒距離該密封環(huán)的該外邊緣最靠近的一邊緣，其中該密封環(huán)的該外邊緣與該集成電路晶粒的該第一邊緣間隔開一第一距離，其中該集成電路晶粒具有一第一寬度，且其中該第一距離與該第一寬度的一比率在0.004至0.008的一范圍內(nèi)。

6.一種半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

7.如權(quán)利要求6所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一密封劑，其中該第一集成電路晶粒是一個或多個集成電路晶粒的一者，其中在一俯視圖中，該一個或多個集成電路晶粒具有一第一總面積，其中在該俯視圖中，該密封劑具有一第二總面積，且該第一總面積與該第二總面積的一比率為2至3的一范圍內(nèi)。

8.如權(quán)利要求6所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該保護特征包含一第一部分，其中該第一部分的一表面與該基板的一表面齊平。

9.如權(quán)利要求6所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中在一俯視圖中，該保護特征是圍繞該密封環(huán)的一個或多個同心連續(xù)環(huán)。

10.一種半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

技術(shù)總結(jié)
本揭露提供一種具有保護環(huán)的半導體結(jié)構(gòu)。半導體結(jié)構(gòu)在俯視圖中，可以包括集成電路晶粒和圍繞集成電路晶粒的密封劑。集成電路晶?？梢园ň哂须娦匝b置的基板、位于基板上的互連結(jié)構(gòu)并且電耦合至電性裝置、在俯視圖中互連結(jié)構(gòu)的密封環(huán)環(huán)繞電性裝置、以及至少部分嵌入基板中的保護環(huán)。在俯視圖中保護環(huán)可以環(huán)繞密封環(huán)并且可以包括與基板材料不同的材料。

技術(shù)研發(fā)人員：辛柏寰,邱盈翰
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240423
技術(shù)公布日：2024/12/19