本技術(shù)涉及光伏領(lǐng)域，尤其涉及一種保證背面鈍化性能的前提下提高背面光利用率的太陽(yáng)光能電池。

背景技術(shù)：

1、近年來(lái)，topcon(tunnel?oxide?passivated?contact，隧穿氧化層鈍化接觸)太陽(yáng)能電池的市場(chǎng)份額迅速上升，已逐漸成為太陽(yáng)能電池的主流技術(shù)。topcon電池的背面具有遂穿氧化層和摻雜多晶硅層構(gòu)成的鈍化接觸結(jié)構(gòu)，提高了背面的鈍化性能，還與傳統(tǒng)的工業(yè)生產(chǎn)相兼容，具有廣闊的發(fā)展前景。

2、然而，背面摻雜多晶硅層對(duì)光產(chǎn)生寄生吸收，會(huì)降低光的利用率，影響電池背面的光利用率和電池效率。

3、有鑒于此，有必要提供一種改進(jìn)的太陽(yáng)光能電池，以解決上述技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型旨在能夠至少解決現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問(wèn)題之一，本實(shí)用新型提供一種太陽(yáng)光能電池。

2、為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的之一，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

3、一種太陽(yáng)光能電池，其背面設(shè)有圖案化的鈍化接觸結(jié)構(gòu)、位于所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)上的背面電極，所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)具有位于非柵線區(qū)的鏤空區(qū)，且所述鏤空區(qū)至所述背面電極的距離不小于50μm。

4、可選地所述背面電極包括沿第一方向延伸的若干主柵，所述主柵的端部具有魚(yú)叉結(jié)構(gòu)，所述鏤空區(qū)位于所述魚(yú)叉結(jié)構(gòu)外。

5、可選地，所述背面電極包括沿第一方向延伸的若干主柵，所述主柵的端部具有魚(yú)叉結(jié)構(gòu)，所述鏤空區(qū)至所述魚(yú)叉結(jié)構(gòu)的距離為50μm～200μm。

6、可選地，所述背面電極包括沿第一方向排布的若干副柵，所述副柵沿與第一方向垂直的第二方向延伸，所述鏤空區(qū)在第二方向上的長(zhǎng)度小于所述副柵的長(zhǎng)度。

7、可選地，所述鏤空區(qū)在第二方向上的端部至所述副柵的端部的距離不小于所述鏤空區(qū)在第一方向至所述副柵的距離。

8、可選地，所述鏤空區(qū)至電池邊緣的距離不小于300μm。

9、可選地，背面電極包括沿硅襯底邊緣設(shè)置的邊框柵線，所述鏤空區(qū)位于所述邊框柵線內(nèi)部。

10、可選地，倒角處鏤空區(qū)至電池邊緣的距離不小于非倒角處鏤空區(qū)至電池邊緣的距離。

11、一種太陽(yáng)光能電池，其背面設(shè)有圖案化的鈍化接觸結(jié)構(gòu)、位于所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)上的背面電極，所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)僅位于柵線區(qū)，且所述背面電極至所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)的至少部分邊緣的距離不小于50μm。

12、可選地，所述背面電極包括沿第一方向延伸的若干主柵，所述主柵的端部具有魚(yú)叉結(jié)構(gòu)，所述魚(yú)叉結(jié)構(gòu)整體位于所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)上，優(yōu)選地，所述魚(yú)叉結(jié)構(gòu)至所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)邊緣的距離為50μm～200μm。

13、可選地，所述背面電極包括邊框柵線，位于所述邊框柵線下方的所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)向外延伸至電池邊緣。

14、本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型通過(guò)在鈍化接觸結(jié)構(gòu)的非柵線區(qū)設(shè)置鏤空區(qū)，去除了非柵線區(qū)的摻雜多晶硅層，減少對(duì)光線的寄生吸收作用，提高電池的效率；進(jìn)一步將所述鏤空區(qū)至所述背面電極的距離設(shè)計(jì)為不小于50μm，保證鏤空區(qū)與背面電極具有足夠的間隔，避免了鏤空區(qū)開(kāi)槽時(shí)對(duì)柵線區(qū)造成損傷，也避免燒穿型電極漿料擴(kuò)至所述鏤空區(qū)影響電池片的鈍化性能。

技術(shù)特征：

1.一種太陽(yáng)光能電池，其背面設(shè)有圖案化的鈍化接觸結(jié)構(gòu)、位于所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)上的背面電極，其特征在于，所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)具有位于非柵線區(qū)的鏤空區(qū)，且所述鏤空區(qū)至至少部分所述背面電極的距離不小于50μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)光能電池，其特征在于：所述背面電極包括沿第一方向延伸的若干主柵，所述主柵的端部具有魚(yú)叉結(jié)構(gòu)，所述鏤空區(qū)位于所述魚(yú)叉結(jié)構(gòu)外。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)光能電池，其特征在于：所述鏤空區(qū)至所述魚(yú)叉結(jié)構(gòu)的距離為50μm～200μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)光能電池，其特征在于：所述背面電極包括沿第一方向排布的若干副柵，所述副柵沿與第一方向垂直的第二方向延伸，所述鏤空區(qū)在第二方向上的長(zhǎng)度小于所述副柵的長(zhǎng)度；和/或，所述鏤空區(qū)在第二方向上的端部至所述副柵的端部的距離不小于所述鏤空區(qū)在第一方向至所述副柵的距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項(xiàng)所述的太陽(yáng)光能電池，其特征在于：所述鏤空區(qū)至電池邊緣的距離不小于300μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)光能電池，其特征在于：背面電極包括沿硅襯底邊緣設(shè)置的邊框柵線，所述鏤空區(qū)位于所述邊框柵線內(nèi)部。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)光能電池，其特征在于：倒角處鏤空區(qū)至電池邊緣的距離不小于非倒角處鏤空區(qū)至電池邊緣的距離。

8.一種太陽(yáng)光能電池，其背面設(shè)有圖案化的鈍化接觸結(jié)構(gòu)、位于所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)上的背面電極，其特征在于：所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)僅位于柵線區(qū)，且所述背面電極至所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)的至少部分邊緣的距離不小于50μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽(yáng)光能電池，其特征在于：所述背面電極包括沿第一方向延伸的若干主柵，所述主柵的端部具有魚(yú)叉結(jié)構(gòu)，所述魚(yú)叉結(jié)構(gòu)整體位于所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)上，或所述魚(yú)叉結(jié)構(gòu)至所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)邊緣的距離為50μm～200μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽(yáng)光能電池，其特征在于：所述背面電極包括邊框柵線，位于所述邊框柵線下方的所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)向外延伸至電池邊緣。

技術(shù)總結(jié)
一種太陽(yáng)光能電池，其背面設(shè)有圖案化的鈍化接觸結(jié)構(gòu)、位于所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)上的背面電極，所述鈍化接觸結(jié)構(gòu)具有位于非柵線區(qū)的鏤空區(qū)，且所述鏤空區(qū)至所述背面電極的距離不小于50μm。本技術(shù)通過(guò)在鈍化接觸結(jié)構(gòu)的非柵線區(qū)設(shè)置鏤空區(qū)，去除了非柵線區(qū)的摻雜多晶硅層，減少對(duì)光線的寄生吸收作用，提高電池的效率；進(jìn)一步將所述鏤空區(qū)至所述背面電極的距離設(shè)計(jì)為不小于50μm，保證鏤空區(qū)與背面電極具有足夠的間隔，避免了鏤空區(qū)開(kāi)槽時(shí)對(duì)柵線區(qū)造成損傷，也避免燒穿型電極漿料擴(kuò)至所述鏤空區(qū)影響電池片的鈍化性能。

技術(shù)研發(fā)人員：請(qǐng)求不公布姓名,陳海燕,葉曉亞,鄧偉偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：揚(yáng)州阿特斯太陽(yáng)能電池有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240412
技術(shù)公布日：2024/12/19