本揭示內(nèi)容提供了包括吸收結(jié)構(gòu)的光電裝置。

背景技術(shù)：

1、數(shù)字相機可包括光電裝置，例如影像感測器。影像感測器將光學(xué)影像轉(zhuǎn)換成可呈現(xiàn)為數(shù)字影像的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。影像感測器包括一陣列的多個像素感測器以及支持的邏輯。此陣列中的多個像素感測器是用于測量入射光的單位裝置，并且支持的邏輯促進(jìn)測量結(jié)果的讀取。影像感測器可包括高于影像感測器的光電二極管的高吸收區(qū)域，以提高影像感測器的性能，其中高吸收區(qū)域包括多個結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)可增加經(jīng)由光電二極管所吸收的入射光的量。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、目前包括高吸收結(jié)構(gòu)的光電裝置的制造技術(shù)可包括一系列的多個操作，包括使用正性光阻劑材料的層的圖案化操作，隨后經(jīng)由干式剝離移除操作以移除正性光阻劑材料的層。在目前此系列的多個操作之后，高吸收結(jié)構(gòu)的量子效率可能不滿足支持光電裝置的目標(biāo)性能的閾值。結(jié)果，可能降低一體積量的光電裝置的制造產(chǎn)率。

2、本文所描述的一些實施方式提供了包括高吸收結(jié)構(gòu)的光電裝置和形成的方法，通過減少操作的次數(shù)，可減少處理所引起的對裝置的損壞。另外，高吸收結(jié)構(gòu)可包括較大的量子效率。

3、本揭示內(nèi)容的一些實施方式提供了一種光電裝置，包含：第一高吸收結(jié)構(gòu)、第二高吸收結(jié)構(gòu)、以及平臺區(qū)域。第一高吸收結(jié)構(gòu)穿透到一半導(dǎo)體基板內(nèi)。第二高吸收結(jié)構(gòu)穿透到該半導(dǎo)體基板內(nèi)而且相鄰于該第一高吸收結(jié)構(gòu)。平臺區(qū)域包含一碳層。其中該平臺區(qū)域直接且水平地在介于該第一高吸收結(jié)構(gòu)和該第二高吸收結(jié)構(gòu)之間。

4、本揭示內(nèi)容的另一些實施方式提供了一種光電裝置，包含：第一高吸收結(jié)構(gòu)、第二高吸收結(jié)構(gòu)、以及平臺區(qū)域。第一高吸收結(jié)構(gòu)穿透到一半導(dǎo)體基板內(nèi)。第二高吸收結(jié)構(gòu)穿透到該半導(dǎo)體基板內(nèi)而且相鄰于該第一高吸收結(jié)構(gòu)。平臺區(qū)域包含一碳層。其中該平臺區(qū)域直接且水平地在介于該第一高吸收結(jié)構(gòu)和該第二高吸收結(jié)構(gòu)之間。該第一高吸收結(jié)構(gòu)和該第二高吸收結(jié)構(gòu)的各者具有傾斜于該半導(dǎo)體基板的一平滑表面。

5、本揭示內(nèi)容的又另一些實施方式提供了一種光電裝置，包含：第一高吸收結(jié)構(gòu)、第二高吸收結(jié)構(gòu)、以及平臺區(qū)域。第一高吸收結(jié)構(gòu)穿透到一半導(dǎo)體基板內(nèi)。第二高吸收結(jié)構(gòu)穿透到該半導(dǎo)體基板內(nèi)而且相鄰于該第一高吸收結(jié)構(gòu)。平臺區(qū)域包含一碳層。其中該平臺區(qū)域直接且水平地在介于該第一高吸收結(jié)構(gòu)和該第二高吸收結(jié)構(gòu)之間。該第一高吸收結(jié)構(gòu)和該高吸收結(jié)構(gòu)圍著該平臺區(qū)域的一中心軸而對稱。

技術(shù)特征：

1.一種光電裝置，其特征在于，包含：

2.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，其特征在于，該第一高吸收結(jié)構(gòu)和該第二高吸收結(jié)構(gòu)各者包含：

3.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，其特征在于，該第一高吸收結(jié)構(gòu)和該第二高吸收結(jié)構(gòu)各者包含：

4.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，其特征在于，該第一高吸收結(jié)構(gòu)和該第二高吸收結(jié)構(gòu)各者包含：

5.如權(quán)利要求4所述的光電裝置，其特征在于，該點蝕凹陷包含：

6.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，其特征在于，該平臺區(qū)域包含：

7.一種光電裝置，其特征在于，包含：

8.如權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于，該平滑表面與該半導(dǎo)體基板之間的夾角在50度至60度的范圍內(nèi)。

9.一種光電裝置，其特征在于，包含：

10.如權(quán)利要求9所述的光電裝置，其特征在于，該第一高吸收結(jié)構(gòu)和該第二高吸收結(jié)構(gòu)具有倒置的截頂?shù)慕鹱炙螤罨虻怪玫慕仨數(shù)膱A錐形狀。

技術(shù)總結(jié)
一種光電裝置包括第一高吸收結(jié)構(gòu)，第一高吸收結(jié)構(gòu)穿透到半導(dǎo)體基板內(nèi)。光電裝置包括第二高吸收結(jié)構(gòu)，第二高吸收結(jié)構(gòu)穿透到半導(dǎo)體基板內(nèi)并且相鄰于第一高吸收結(jié)構(gòu)。光電裝置包括平臺區(qū)域，平臺區(qū)域包括碳層，其中平臺區(qū)域直接且水平地在介于第一高吸收結(jié)構(gòu)和第二高吸收結(jié)構(gòu)之間。

技術(shù)研發(fā)人員：盧俊良,周俊豪,李國政,陳威霖
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240226
技術(shù)公布日：2024/12/19