1.一種存在邊緣繞鍍層的tbc太陽能電池的制備方法，其特征在于包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：s2中，每次堆疊的硅片的數(shù)量為100~300片，堆疊后相鄰硅片的正背面相貼，且四個(gè)邊緣側(cè)面齊平。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：s3中，在堆疊后的硅片四個(gè)邊緣側(cè)面依次構(gòu)建絕緣介質(zhì)膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：s3中，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：s3中，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于：s3中，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：s4中，采用鏈?zhǔn)綑C(jī)酸蝕去除硅片背面氧化層，以20~60?wt%的hf水溶液作為酸蝕液，帶速1~10?m/min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：s5和s9中，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：s6中，所述兩步通源硼擴(kuò)散的條件為：
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：s10中，所述磷擴(kuò)散的條件為：溫度750~850℃，擴(kuò)散時(shí)間5~30?min，pocl3由氮?dú)鈹y帶其流速在500~1200?sccm，o2流速500~1000sccm，氧化推進(jìn)溫度850~950℃，o2流量1000~10000?sccm，推進(jìn)時(shí)間20~60?min。