1.一種p-gan?hemt器件，其特征在于：包括，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：所述p型摻雜區(qū)設(shè)于沿著所述緩沖層第一方向上的靠近兩側(cè)邊的注入?yún)^(qū)域內(nèi)，在任一注入?yún)^(qū)域，所述p型摻雜區(qū)包括多組p型摻雜區(qū)組，多組所述p型摻雜區(qū)組沿著所述緩沖層的第一方向依次設(shè)置，每一組p型摻雜區(qū)組均包括多個p型摻雜子區(qū)，多個所述p型摻雜子區(qū)沿著所述緩沖層的第二方向依次設(shè)置，所述第一方向與所述第二方向垂直設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：相鄰兩組所述p型摻雜區(qū)組中的多個所述p型摻雜子區(qū)交錯設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：所述p型摻雜子區(qū)的形狀為多邊形或圓形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：所述帽層包括疊放設(shè)置的第一槽柵層和第二槽柵層，所述第一槽柵層設(shè)于所述勢壘層上，且所述第一槽柵層的一側(cè)面位于所述勢壘層內(nèi)，所述第一槽柵層的另一側(cè)面與所述第二槽柵層的第一側(cè)面接觸，所述第二槽柵層的第一側(cè)面與所述散熱層接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：所述帽層為摻雜有p型摻雜劑的氮化鎵，所述p型摻雜劑為鎂，所述p型摻雜劑的摻雜濃度為1×1017-8×1017cm-3。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：所述第一槽柵層的厚度為8-13nm，所述第二槽柵層的厚度為90-130nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3和6-7任一項所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：所述散熱層為單晶金剛石薄膜或碳化硅薄膜，所述散熱層的厚度為200nm-700nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：所述襯底層為多晶金剛石襯底，所述襯底層的厚度為300-400um。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：所述緩沖層與所述溝道層均為氮化鎵，所述緩沖層的厚度為200-300nm，所述溝道層的厚度為50-150nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：所述勢壘層為氮化鎵鋁，所述勢壘層的厚度為10-20nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一項所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：沿著所述溝道層至外部方向，所述源極與所述漏極均包括依次設(shè)置的ti層、al層、ni層以及au層；沿著所述帽層至外部方向，所述柵極包括依次設(shè)置的tin層、ti層、al層、ni層以及au層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的p-gan?hemt器件，其特征在于：所述鈍化層為氮化硅。
14.一種p-gan?hemt器件的制備方法，其特征在于：包括以下步驟，
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的p-gan?hemt器件的制備方法，其特征在于：采用化學氣相沉積法制備所述襯底層，所述襯底層為多晶金剛石襯底。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的p-gan?hemt器件的制備方法，其特征在于：所述緩沖層與所述溝道層均為氮化鎵，分別采用mocvd方式制備所述緩沖層和所述溝道層；
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的p-gan?hemt器件的制備方法，其特征在于：在所述緩沖層表面進行p型離子注入，形成p型摻雜區(qū)，并進行退火處理步驟中，在氮氣氛圍中進行退火，退火溫度為850℃-1150℃。
18.根據(jù)權(quán)利要求14或15或17所述的p-gan?hemt器件的制備方法，其特征在于：所述p型摻雜離子為鎂離子，注入結(jié)深為0.8-1.0um，注入劑量為1×1015-1×1017cm-3。
19.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的p-gan?hemt器件的制備方法，其特征在于：所述散熱層為單晶金剛石薄膜或碳化硅薄膜，在一襯底上生長形成所述散熱層，將所述散熱層鍵合到所述勢壘層上后去除該襯底。
20.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的p-gan?hemt器件的制備方法，其特征在于：采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積所述鈍化層，并通過刻蝕去除所述溝道層和所述帽層上的所述鈍化層。