本公開涉及攝像裝置。

背景技術：

1、在數字相機等中廣泛使用ccd(電荷耦合器件：charge?coupled?device)影像傳感器以及cmos(互補金屬氧化物半導體：complementary?metal?oxide?semiconductor)影像傳感器。這些影像傳感器具有形成于半導體基板的光電二極管。

2、另一方面，例如，如國際公布第2012/147302號所公開，提出了具有將具有光電轉換層的光電轉換部配置于半導體基板的上方的構造的攝像裝置。具有這樣的構造的攝像裝置有時被稱作層疊型的攝像裝置。在層疊型的攝像裝置中，通過光電轉換產生的電荷向設置于半導體基板的電荷積蓄區(qū)域積蓄。與電荷積蓄區(qū)域中積蓄的電荷量對應的信號經由形成于半導體基板的ccd電路或者cmos電路而讀出。

3、在具有設置于半導體基板的電荷積蓄區(qū)域的攝像裝置中，由于從電荷積蓄區(qū)域流出或者流向電荷積蓄區(qū)域的漏電流即暗電流，得到的圖像有可能發(fā)生劣化。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開的一方式的攝像裝置具備：光電轉換部，將光轉換為信號電荷；第1導電型的第1擴散區(qū)域，被輸入所述信號電荷；所述第1導電型的第2擴散區(qū)域；第1插塞，具有與所述第1擴散區(qū)域相接的第1面；以及第2插塞，具有與所述第2擴散區(qū)域相接的第2面，在平面視時，所述第1插塞的所述第1面的面積小于所述第2插塞的所述第2面的面積。

2、本公開的一方式的攝像裝置具備：光電轉換部，將光轉換為信號電荷；第1導電型的第1擴散區(qū)域，被輸入所述信號電荷；所述第1導電型的第2擴散區(qū)域；第1插塞，與所述第1擴散區(qū)域相接；以及第2插塞，與所述第2擴散區(qū)域相接，所述第1插塞包含：第1觸頭，與所述第1擴散區(qū)域相接；以及第1焊盤，位于所述第1觸頭上，所述第2插塞包含：第2觸頭，與所述第2擴散區(qū)域相接；以及第2焊盤，位于所述第2觸頭上，在平面視時，所述第1觸頭的面積小于所述第2觸頭的面積。

3、本公開的一方式的攝像裝置具備包含第1導電型的第1擴散區(qū)域以及所述第1導電型的第2擴散區(qū)域的半導體基板，與所述第1擴散區(qū)域相接、并包含半導體的第1插塞(plug)，與所述第2擴散區(qū)域相接、并包含半導體的第2插塞，以及與所述第1插塞電連接的光電轉換部。在從與所述半導體基板垂直的方向觀察時，所述第2插塞的面積大于所述第1插塞的面積。

4、此外，概括性的或者具體的方式也可以通過元件、設備、模塊、系統(tǒng)或者方法實現(xiàn)。此外，概括性的或者具體的方式也可以由元件、設備、模塊、系統(tǒng)以及方法的任意組合實現(xiàn)。

5、此外，公開的實施方式的追加效果以及優(yōu)點根據說明書以及附圖而清楚。效果以及/或者優(yōu)點由說明書以及附圖中公開的各種實施方式或者特征分別提供，不需要全部來獲得效果以及/或者優(yōu)點的一個以上。

技術特征：

1.一種攝像裝置，具備：

2.如權利要求1所述的攝像裝置，還具備：

3.如權利要求2所述的攝像裝置，

4.如權利要求2或3所述的攝像裝置，

5.如權利要求1至3中任一項所述的攝像裝置，

6.如權利要求1至3中任一項所述的攝像裝置，

7.如權利要求1至3中任一項所述的攝像裝置，

8.一種攝像裝置，具備：

9.如權利要求8所述的攝像裝置，

10.如權利要求8或9所述的攝像裝置，還具備：

11.如權利要求10所述的攝像裝置，

技術總結
本公開的一方式的攝像裝置具備：光電轉換部，將光轉換為信號電荷；第1導電型的第1擴散區(qū)域，被輸入所述信號電荷；所述第1導電型的第2擴散區(qū)域；第1插塞，具有與所述第1擴散區(qū)域相接的第1面；以及第2插塞，具有與所述第2擴散區(qū)域相接的第2面，在平面視時，所述第1插塞的所述第1面的面積小于所述第2插塞的所述第2面的面積。

技術研發(fā)人員：佐藤好弘,高見義則,境田良太
受保護的技術使用者：松下知識產權經營株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/23