本公開(kāi)涉及一種圖像傳感器。

背景技術(shù)：

1、圖像傳感器是用于將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器可以分為電荷耦合器件(ccd)型和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)型。cmos型圖像傳感器可以被稱為cmos圖像傳感器(cis)。cis具有以二維方式布置的像素。像素中的每個(gè)包括用于將入射光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的多個(gè)光電二極管和用于臨時(shí)存儲(chǔ)由多個(gè)光電二極管的光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電信號(hào)的多個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域。每個(gè)像素中的浮置擴(kuò)散區(qū)域可以連接到一個(gè)源極跟隨器柵極，并且電信號(hào)可以通過(guò)源極跟隨器柵極輸出到外部。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、實(shí)施例可以提供位于浮置擴(kuò)散區(qū)域之間的有效連接結(jié)構(gòu)。

2、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，圖像傳感器包括：第一基底，具有彼此相對(duì)的第一面和第二面，并且包括像素陣列區(qū)域，像素陣列區(qū)域具有設(shè)置在第一面處的多個(gè)有源區(qū)域；淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第一基底的第一面處，并且隔離所述多個(gè)有源區(qū)域中的每個(gè)有源區(qū)域；多個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域，設(shè)置在第一基底的所述多個(gè)有源區(qū)域處；以及浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件，將所述多個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域中的至少兩個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域彼此連接。浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件的至少一部分掩埋在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中，并且浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件的上表面低于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面。

3、根據(jù)本公開(kāi)的一方面，圖像傳感器包括：第一基底，具有彼此相對(duì)的第一面和第二面，并且包括像素陣列區(qū)域和邊緣區(qū)域，像素陣列區(qū)域包括多個(gè)子單元像素；抗反射結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第二面上；像素分隔件，設(shè)置在第一基底上，并且將多個(gè)子單元像素彼此分隔；濾色器，設(shè)置在抗反射結(jié)構(gòu)中；第一層間絕緣層，設(shè)置在第一基底的第一面上；第一布線，設(shè)置在第一層間絕緣層中；第二層間絕緣層，設(shè)置在第一層間絕緣層下方；第二布線，設(shè)置在第二層間絕緣層中；以及第二基底，設(shè)置在第二層間絕緣層下方。第一基底包括：淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第一基底中，從第一面朝向第二面延伸，并且隔離形成在第一面的多個(gè)有源區(qū)域；多個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域，設(shè)置在第一基底的多個(gè)有源區(qū)域處；浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件，掩埋在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中，并且將多個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域中的至少兩個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域彼此連接；以及覆蓋絕緣層，形成在浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件的上表面上，并且具有暴露浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件的上表面的接觸孔。第一布線的一部分還對(duì)應(yīng)于源極跟隨器晶體管的源極跟隨器柵電極。源極跟隨器柵電極通過(guò)接觸孔連接到浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件。

4、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，圖像傳感器包括：第一基底，具有彼此相對(duì)的第一面和第二面，并且包括像素陣列區(qū)域和邊緣區(qū)域，像素陣列區(qū)域包括多個(gè)子單元像素；抗反射結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第二面上；像素分隔件，設(shè)置在第一基底上，并且將多個(gè)子單元像素彼此分隔；濾色器，設(shè)置在抗反射結(jié)構(gòu)中；第一層間絕緣層，設(shè)置在第一基底的第一面上；第一布線，設(shè)置在第一層間絕緣層中；第二基底，設(shè)置在第一層間絕緣層下方；第二層間絕緣層，設(shè)置在第二基底下方；第二布線，設(shè)置在第二層間絕緣層中；第三層間絕緣層，設(shè)置在第二層間絕緣層下方；第三布線，設(shè)置在第三層間絕緣層中；以及第三基底；設(shè)置在第三層間絕緣層下方。第一基底包括：淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第一基底處，從第一面朝向第二面延伸，并且隔離設(shè)置在第一面處的多個(gè)有源區(qū)域；多個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域，設(shè)置在第一基底的多個(gè)有源區(qū)域處；以及浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件，埋入淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中，并且將多個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域中的至少兩個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域彼此連接。第二布線的一部分對(duì)應(yīng)于源極跟隨器晶體管的源極跟隨器柵電極。源極跟隨器柵電極通過(guò)穿過(guò)第二基底的穿透過(guò)孔連接到浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件。

5、根據(jù)實(shí)施例，通過(guò)在淺溝槽隔離件中設(shè)置用于浮置擴(kuò)散區(qū)域之間進(jìn)行連接的浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件，可以減少布線之間的耦合。

6、根據(jù)實(shí)施例，通過(guò)在淺溝槽隔離件中設(shè)置用于浮置擴(kuò)散區(qū)域之間進(jìn)行連接的浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件，可以增加設(shè)置布線的自由度。

技術(shù)特征：

1.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，所述的圖像傳感器還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，所述圖像傳感器還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，所述圖像傳感器還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，所述圖像傳感器還包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖像傳感器，所述圖像傳感器還包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，所述圖像傳感器還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的圖像傳感器，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的圖像傳感器，

17.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的圖像傳感器，

19.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的圖像傳感器，

技術(shù)總結(jié)
提供了一種圖像傳感器。所述圖像傳感器包括：第一基底，具有彼此相對(duì)的第一面和第二面，并且包括具有設(shè)置在第一面處的多個(gè)有源區(qū)域的像素陣列區(qū)域；淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第一基底的第一面處，并且隔離所述多個(gè)有源區(qū)域中的每個(gè)；多個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域，設(shè)置在第一基底的所述多個(gè)有源區(qū)域處；以及浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件，將所述多個(gè)浮置擴(kuò)散區(qū)域彼此連接。浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件掩埋在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中，并且浮置擴(kuò)散區(qū)域連接件的上表面低于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面。

技術(shù)研發(fā)人員：金泳來(lái),樸思千,鄭大旭,趙鼎鎭,表正炯
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19