本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分所述的一種混合保護(hù)開關(guān)裝置、根據(jù)權(quán)利要求15所述的一種混合接觸器和根據(jù)權(quán)利要求16所述的一種方法。

背景技術(shù)：

1、尤其地，從作者wolfgang?hauer在第30屆國際電觸點會議上題為“newswitchingtechnology?for?dc?grids(直流電網(wǎng)的新開關(guān)技術(shù))”的文章中已經(jīng)知道一種混合保護(hù)開關(guān)裝置，該混合保護(hù)開關(guān)裝置具有至少一個機(jī)械中斷開關(guān)和與機(jī)械中斷開關(guān)電并聯(lián)連接的至少一個開關(guān)半導(dǎo)體斷路器。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的尤其是提供一種在過電流保護(hù)方面具有有利特性的通用裝置。根據(jù)本發(fā)明，該目的通過本發(fā)明的特征來實現(xiàn)，而本發(fā)明的有利的設(shè)計方案和改進(jìn)方案可以從從屬權(quán)利要求中獲得。

2、本發(fā)明涉及一種混合保護(hù)開關(guān)裝置、尤其是直流混合保護(hù)開關(guān)裝置，其具有至少一個機(jī)械中斷開關(guān)和與機(jī)械中斷開關(guān)電并聯(lián)連接的至少一個半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)、尤其是半導(dǎo)體繼電器。

3、提出的是，機(jī)械中斷開關(guān)具有尤其是磁敏式跳閘元件，該磁敏式跳閘元件至少部分地由磁性形狀記憶合金(也稱為msm材料＝magnetic?shapememory(磁性形狀記憶))構(gòu)成。因此，可以有利地提高過電流保護(hù)，尤其是通過可以實現(xiàn)機(jī)械中斷開關(guān)的特別高的響應(yīng)速度/跳閘速度。有利地，可以實現(xiàn)反應(yīng)快速且因此安全且經(jīng)濟(jì)高效的過電流保護(hù)，這尤其特別適用于直流電網(wǎng)，在直流電網(wǎng)中，在故障情況下，尤其是與交流電網(wǎng)相比，可能會出現(xiàn)非常高的電流增加率(在高達(dá)100a/μs的范圍內(nèi))和非常高的電流(在高達(dá)10ka的范圍內(nèi))。有利地，可以在額定操作中在低電損耗的同時實現(xiàn)高速，例如在純基于半導(dǎo)體繼電器的接觸器中可能會出現(xiàn)這種情況。

4、“混合保護(hù)開關(guān)裝置”應(yīng)尤其理解為混合接觸器的尤其是功能可靠的組成部分、尤其是設(shè)計和/或功能部件。“混合接觸器”應(yīng)尤其理解為一種混合功率開關(guān)，該混合功率開關(guān)設(shè)置成通過機(jī)械和基于半導(dǎo)體的開關(guān)部件的相互作用來實現(xiàn)電路內(nèi)的電流的緊急斷開。尤其地，混合保護(hù)開關(guān)裝置設(shè)置用于在混合接觸器中使用和/或用于安裝在混合接觸器中。有利地，混合接觸器設(shè)置成保護(hù)電路、與其連接的設(shè)備和/或其線路免受過載和/或過電流和/或短路電流的影響?！霸O(shè)置”應(yīng)尤其理解為專門編程、設(shè)計和/或配備。一物體設(shè)置用于特定功能應(yīng)尤其理解為該物體在至少一個應(yīng)用和/或操作狀態(tài)下履行和/或執(zhí)行該特定功能。在這里，直流混合保護(hù)開關(guān)裝置設(shè)置用于中斷直流電路。尤其地，機(jī)械中斷開關(guān)設(shè)置成至少通過部件的機(jī)械移動、優(yōu)選地通過電路的電觸點的機(jī)械斷開來產(chǎn)生電路的中斷。尤其地，半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)設(shè)置成至少通過電控制半導(dǎo)體部件來產(chǎn)生電路的中斷。例如，半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)可以構(gòu)成為絕緣柵電極(英文：insulated-gate?bipolar?transistor(絕緣柵雙極晶體管)，簡稱igbt)或構(gòu)成為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(英文：metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor，簡稱mosfet)。尤其地，半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)構(gòu)成半導(dǎo)體中斷開關(guān)，反之亦然。

5、尤其地，通過混合保護(hù)開關(guān)裝置發(fā)生電路斷開的跳閘情況包括過電流情況，尤其是短路情況和/或過載情況。尤其地，跳閘情況，尤其是在短路情況下，可以包括磁性跳閘情況。此外，跳閘情況，尤其是在過載情況下，可以包括熱跳閘情況。在這種情況下，跳閘元件不僅設(shè)置用于熱誘導(dǎo)變形，尤其是在過載情況下，而且設(shè)置用于磁誘導(dǎo)變形，尤其是在短路情況下。特別優(yōu)選地，變形至少包括跳閘元件的長度變化，尤其是沿著跳閘元件的縱向軸線的長度變化。有利地，跳閘元件設(shè)置成產(chǎn)生用于斷開電路的移動和/或力，尤其是由于變形而直接產(chǎn)生用于斷開電路的移動和/或力。有利地，用于斷開電路的移動是跳閘元件的行程和/或縱向延伸變化。還可以設(shè)想的是，跳閘元件設(shè)置成由于在與跳閘元件的縱向軸線成角度和/或垂直的方向上的變形而產(chǎn)生用于斷開電路的移動和/或力。縱向方向尤其至少基本上平行于跳閘元件的主延伸方向伸展，其中，在這里，物體的“主延伸方向”應(yīng)尤其理解為這樣的方向，該方向平行于恰好完全包圍物體的最小幾何長方體的最長邊伸展。尤其地，跳閘元件設(shè)置成致動開關(guān)，例如撥動開關(guān)，該開關(guān)在斷開狀態(tài)下斷開電路的電觸點。尤其地，跳閘情況下的電流大于額定電流，尤其是家用或工業(yè)用(直流)額定電流。在這里，跳閘單元可以設(shè)計用于任何額定電流，例如用于63a、100a、200a等的(直流)額定電流，但也可以用于尤其顯著更大或顯著更小的額定電流。尤其地，過載情況下的電流大于額定電流，優(yōu)選地在處于秒或分鐘范圍內(nèi)的至少一段時間內(nèi)。例如，在交流電路的情況下，過載情況發(fā)生在至少在高于額定電流的1.15倍、優(yōu)選1.45倍的范圍內(nèi)的電流下。假設(shè)在直流電路中類似的極限值也如在交流電路中一樣是適用的。此外，短路情況下的電流尤其大于過載情況下的電流。尤其地，在交流電路中，短路情況發(fā)生在至少在高于額定電流的5倍、優(yōu)選10倍的范圍內(nèi)的電流下。在短路情況下也假設(shè)在直流電路中類似的極限值也如在交流電路中一樣是適用的。

6、尤其地，跳閘元件構(gòu)成為與待監(jiān)測電路的印制導(dǎo)線分開。優(yōu)選地，跳閘元件至少部分地、優(yōu)選完全地布置在待監(jiān)測電路的電流引導(dǎo)式導(dǎo)體部段的近區(qū)域中。在本上下文中，“近區(qū)域”應(yīng)尤其理解為這樣的區(qū)域，該區(qū)域由點形成，這些點以電流引導(dǎo)式導(dǎo)體部段的導(dǎo)線直徑的至多十倍、優(yōu)選至多七倍、優(yōu)選至多五倍以及特別優(yōu)選至多三倍遠(yuǎn)離電流引導(dǎo)式導(dǎo)體部段布置。尤其地，形成近區(qū)域的點各自具有距導(dǎo)體部段至多10mm、優(yōu)選至多5mm以及特別優(yōu)選至多3mm的距離。尤其地，跳閘元件如此相對于待監(jiān)測電路的電流引導(dǎo)式導(dǎo)體部段布置，使得由強(qiáng)電流增加至少暫時產(chǎn)生的磁場通過跳閘元件伸展/被引導(dǎo)。優(yōu)選地，跳閘元件和待監(jiān)測電路的電流引導(dǎo)式導(dǎo)體部段至少在近區(qū)域中至少基本上彼此平行地延伸?！盎旧掀叫小睉?yīng)在此尤其理解為一方向相對于參考方向、尤其是在平面內(nèi)的取向，其中，該方向相對于該參考方向具有尤其小于8°、有利地小于5°以及特別有利地小于2°的偏差。優(yōu)選地，待監(jiān)測電路的電流引導(dǎo)式導(dǎo)體部段構(gòu)成為不同于電線圈的一部分，尤其是筆直或彎曲伸展，優(yōu)選地不纏繞并且不多次卷繞。

7、尤其地，待監(jiān)測電路的電流引導(dǎo)式導(dǎo)體部段構(gòu)成為單導(dǎo)體。尤其地，跳閘元件設(shè)置成對由待監(jiān)測電路的電流引導(dǎo)式導(dǎo)體部段產(chǎn)生的(強(qiáng))磁場變化做出反應(yīng)，尤其是通過長度變化。還可以設(shè)想的是，導(dǎo)體部段在跳閘情況下尤其是由于超過額定電流的電流而在待監(jiān)測電路中發(fā)熱，其中，由此產(chǎn)生的熱輻射可以由跳閘元件吸收并由此可以引起可選的另一熱跳閘情況。特別優(yōu)選地，在待監(jiān)測電路中在跳閘情況下、尤其是在短路情況下在導(dǎo)體部段中流動的電流產(chǎn)生用于跳閘元件的跳閘磁場。尤其地，跳閘元件借助導(dǎo)體部段和/或借助通過導(dǎo)體部段尤其是在跳閘情況下產(chǎn)生的磁場是可受影響的和/或可變形的。跳閘元件可以構(gòu)成為柱塞形、細(xì)長形、桿形、銷形和/或圓柱形。尤其地，主變形軸線是跳閘元件的最大變形的軸線。優(yōu)選地，主變形方向布置成至少基本上平行于跳閘元件的縱向軸線。優(yōu)選地，跳閘元件具有至少基本上恒定的橫截面。優(yōu)選地，跳閘元件構(gòu)成為單件式。

8、有利地，跳閘元件構(gòu)成為實心體。然而，也可以設(shè)想的是，跳閘元件、尤其是至少分段地構(gòu)成為中空體、例如中空圓柱體、和/或具有凹槽和/或空腔等的實心體。優(yōu)選地，跳閘元件至少大部分、尤其是完全由磁性形狀記憶合金構(gòu)成。特別優(yōu)選地，混合開關(guān)裝置具有單個跳閘元件。然而，也可以設(shè)想的是，混合開關(guān)裝置具有多個、尤其是彼此相同或不同構(gòu)成的跳閘元件。在這樣，一物體具有“至少基本上恒定的橫截面”應(yīng)尤其理解為，對于該物體沿著至少一個方向的任何第一橫截面和該物體沿著該方向的任何第二橫截面，在疊加橫截面時形成的差異表面的最小面積為兩個橫截面中較大橫截面的面積的最大20％、有利地最大10％以及特別有利地最大5％。在這里，表述“至少大部分”應(yīng)尤其理解為至少55％，有利地至少65％，優(yōu)選地至少75％，特別優(yōu)選地至少85％以及特別有利地至少95％，但尤其是完全。

9、優(yōu)選地，磁性形狀記憶合金包含鎳、錳和鎵。特別優(yōu)選地，磁性形狀記憶合金是鎳錳鎵合金。替代地，磁性形狀記憶合金也可以是鐵鈀合金和/或含鐵鈀合金。此外，磁性形狀記憶合金也可以構(gòu)成為泡沫和/或復(fù)合結(jié)構(gòu)和/或顆粒和/或多孔材料，其中，尤其是在復(fù)合材料的情況下可以設(shè)想的是，鎳、錳和/或鎵成分可以嵌入到基質(zhì)中。此外，磁性形狀記憶合金可以構(gòu)成為單晶。優(yōu)選地，跳閘元件構(gòu)成為由磁性形狀記憶合金構(gòu)成的單晶。還可以設(shè)想的是，跳閘元件由多個、尤其是一些、例如兩個或三個或四個或五個單獨的單晶組成。不過，也可以設(shè)想的是，磁性形狀記憶合金構(gòu)成為多晶。

10、尤其地，機(jī)械中斷開關(guān)設(shè)置成在過電流的情況下將已經(jīng)在機(jī)械中斷開關(guān)的斷開過程開始時的電流換向到半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)。尤其地，在這里，在斷開機(jī)械中斷開關(guān)時點燃的電弧的電壓可以可選地用于換向。通過使電流換向，電弧然后尤其被熄滅。優(yōu)選地，跳閘情況是非破壞性的并且在重置混合保護(hù)開關(guān)裝置的所有部件之后是可重復(fù)的。有利地，可以避免觸點燒損。

11、此外，提出的是，機(jī)械中斷開關(guān)在跳閘情況下具有小于400μs、優(yōu)選小于200μs的斷開時間。由此，可以有利地實現(xiàn)特別快速的反應(yīng)。有利地，可以實現(xiàn)對直流電網(wǎng)的適用性。有利地，可以實現(xiàn)特別高的安全性。有利地，通過加速混合接觸器的機(jī)械斷開，可以實現(xiàn)較小的半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)和/或變阻器在混合接觸器的其他分支中的使用，尤其是因為總體上必須熄滅通過混合接觸器的相對較小的電流。在這種情況下，機(jī)械中斷開關(guān)的“斷開時間”應(yīng)尤其理解為從發(fā)生故障電流、例如短路的故障電流到機(jī)械中斷開關(guān)的部分?jǐn)嚅_之間經(jīng)過的時間，其中通過在斷開時產(chǎn)生的電弧而為半導(dǎo)體中斷開關(guān)的電子器件提供了足夠電壓，尤其是用于將電流換向到具有半導(dǎo)體中斷開關(guān)的混合保護(hù)開關(guān)裝置的分支。尤其地，斷開時間可以理解為從發(fā)生故障電流(跳閘元件的斷開移動開始)到在具有機(jī)械保護(hù)開關(guān)的混合保護(hù)開關(guān)裝置的分支中達(dá)到最大電流值(部分?jǐn)嚅_，其中產(chǎn)生的電弧電壓對應(yīng)于半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)的激活電壓)的時間。尤其地，斷開時間也可以理解為從發(fā)生故障電流到電流開始流過具有半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)的混合保護(hù)開關(guān)裝置的分支的時間。尤其地，在電路的電并聯(lián)連接的部件處分別施加至少基本上相同的電壓。因此，當(dāng)具有機(jī)械保護(hù)開關(guān)的混合保護(hù)開關(guān)裝置的分支中的電壓增加時，半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)處的電壓同時也增加，使得從確定的電壓開始發(fā)生半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)的“自由切換”。

12、此外，提出的是，跳閘元件、尤其是通過磁性形狀記憶合金的(機(jī)械)表面處理產(chǎn)生的跳閘元件包括多個可相干移動的孿晶邊界。因此，可以有利地實現(xiàn)跳閘元件的高收縮或膨脹速度。有利地，可以實現(xiàn)特別高的安全性。尤其地，磁性形狀記憶合金的每個孿晶邊界具有最大移動速度，該最大移動速度另外依賴于材料的特定微觀結(jié)構(gòu)和/或?qū)\晶邊界的構(gòu)造。通過多個孿晶邊界，可以因此有利地提高可實現(xiàn)的最大移動速度，必要時甚至達(dá)到對移動速度的限制由跳閘元件的待移動體積的不可避免的質(zhì)量慣性所主導(dǎo)的程度。尤其地，可以通過對磁性形狀記憶合金進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚?、例如對磁性形狀記憶合金的表面進(jìn)行粗糙化處理、對磁性形狀記憶合金的表面進(jìn)行噴丸清理等而產(chǎn)生附加的孿晶邊界。

13、在這里，當(dāng)跳閘元件的相鄰孿晶邊界的距離小于300μm、優(yōu)選小于150μm以及優(yōu)選小于100μm時，可以有利地實現(xiàn)用于跳閘元件的變形的特別高/最佳的移動速度。尤其地，在這里，相鄰孿晶邊界之間的距離沿跳閘元件的縱向方向被測量。

14、此外，提出的是，機(jī)械中斷開關(guān)構(gòu)成為沒有線圈。由此，可以有利地降低混合保護(hù)開關(guān)裝置、尤其是混合接觸器、優(yōu)選為機(jī)械中斷開關(guān)的復(fù)雜性。有利地，可以實現(xiàn)簡單和/或經(jīng)濟(jì)高效的構(gòu)造。有利地，可以實現(xiàn)混合保護(hù)開關(guān)裝置、尤其是混合接觸器的特別小型的設(shè)計。

15、此外，當(dāng)混合保護(hù)開關(guān)裝置具有一種沒有、尤其是完全沒有例如前置于機(jī)械中斷開關(guān)的扼流圈的結(jié)構(gòu)時，可以有利地進(jìn)一步降低復(fù)雜性，從而特別有利地可以降低成本。優(yōu)選地，整個混合接觸器沒有任何電感器/線圈。有利地，由于機(jī)械中斷開關(guān)的高速，在發(fā)生故障時用于附加延遲電流增加的扼流圈是多余的。有利地，可以實現(xiàn)混合保護(hù)開關(guān)裝置、尤其是混合接觸器的特別小型的設(shè)計。沒有線圈的、尤其是也消除了扼流圈的設(shè)計方案的另一個優(yōu)點是除了降低成本和減少結(jié)構(gòu)空間之外，還降低了額定操作中的功率損耗(在直流電路中也是如此)。

16、此外，提出的是，機(jī)械中斷開關(guān)構(gòu)成為除了跳閘元件的磁性形狀記憶合金之外至少基本上沒有磁通量傳導(dǎo)構(gòu)件。由此，可以有利地尤其是在短路的情況下使電感電阻最小化，從而可以有利地減少時間常數(shù)和/或熱損失，使得可以實現(xiàn)特別高的反應(yīng)速度。尤其地，由過電流在故障情況下產(chǎn)生的磁場特別是在直流情況下已經(jīng)是足夠高的，以便可靠地切換跳閘元件。尤其地，跳閘元件構(gòu)成為除了磁性形狀記憶合金之外沒有另外的磁通量傳導(dǎo)構(gòu)件。

17、此外，提出的是，混合保護(hù)開關(guān)裝置具有至少與半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)串聯(lián)布置的至少另一機(jī)械中斷開關(guān)，該另一機(jī)械中斷開關(guān)設(shè)置成相對于機(jī)械中斷開關(guān)時間偏移地和/或更慢地跳閘。由此，可以有利地實現(xiàn)特別高的安全性。尤其地，另一機(jī)械中斷開關(guān)設(shè)置成提供電路的電鍍隔離(這不能僅通過半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)和/或變阻器來實現(xiàn))。尤其地，與機(jī)械中斷開關(guān)相比，對另一機(jī)械中斷開關(guān)的動態(tài)要求要低得多。尤其地，另一機(jī)械中斷開關(guān)也與機(jī)械中斷開關(guān)串聯(lián)布置。尤其地，另一機(jī)械中斷開關(guān)構(gòu)成混合保護(hù)開關(guān)裝置的隔離開關(guān)。

18、當(dāng)另一機(jī)械中斷開關(guān)具有跳閘元件，該跳閘元件至少部分地由磁性形狀記憶合金構(gòu)成時，可以實現(xiàn)另一機(jī)械中斷開關(guān)的特別有利的切換。有利地，可以實現(xiàn)簡單的構(gòu)造。

19、此外，當(dāng)機(jī)械中斷開關(guān)的跳閘元件同時也代表另一機(jī)械中斷開關(guān)的跳閘元件時，可以有利地實現(xiàn)混合保護(hù)開關(guān)裝置的特別高的緊湊性和/或成本高效。此外，可以有利地實現(xiàn)小型的構(gòu)造。

20、此外，提出的是，在這里，混合保護(hù)開關(guān)裝置具有延遲單元，該延遲單元設(shè)置成使跳閘元件對另一機(jī)械中斷開關(guān)的作用相對于跳閘元件對機(jī)械中斷開關(guān)的作用在時間上延遲。延遲單元可以例如構(gòu)成為另一機(jī)械中斷開關(guān)與跳閘元件或與混合保護(hù)開關(guān)裝置的由跳閘元件致動的另一構(gòu)件(例如斷開的導(dǎo)體部段)的簡單間隔部。這樣，僅當(dāng)跳閘元件已經(jīng)稍微膨脹和/或當(dāng)混合保護(hù)開關(guān)裝置的由跳閘元件致動的另一構(gòu)件已經(jīng)稍微移動時，才發(fā)生對另一機(jī)械中斷開關(guān)的致動。

21、此外，提出的是，磁性形狀記憶合金構(gòu)成為磁性高溫形狀記憶合金。由此，可以有利地實現(xiàn)混合保護(hù)開關(guān)裝置在大的操作溫度范圍內(nèi)的可靠操作。有利地，可以實現(xiàn)高的安全性。優(yōu)選地，磁性形狀記憶合金具有至少一個、尤其是恰好一個第一轉(zhuǎn)換溫度、尤其是從至少一個馬氏體相到至少一個奧氏體相的第一轉(zhuǎn)換溫度。特別優(yōu)選地，磁性形狀記憶合金具有至少一個、尤其是恰好一個第二轉(zhuǎn)換溫度，尤其是從至少一個鐵磁相到至少一個順磁相的第二轉(zhuǎn)換溫度。有利地，第一轉(zhuǎn)換溫度和第二轉(zhuǎn)換溫度如此選擇，使得它們至少高于跳閘元件在正常操作狀態(tài)下、尤其是當(dāng)不存在跳閘情況下具有的溫度。優(yōu)選地，磁性高溫形狀記憶合金的特征在于，第一轉(zhuǎn)換溫度和/或第二轉(zhuǎn)換溫度為至少60℃，有利地為至少70℃，特別有利地為至少80℃以及優(yōu)選地為至少100℃。由此，可以有利地防止例如由于環(huán)境溫度升高而導(dǎo)致的誤跳閘。

22、此外，提出的是，機(jī)械中斷開關(guān)尤其是除了磁敏式跳閘元件之外還包括熱敏式跳閘元件。由此，可以有利地實現(xiàn)附加的過載保護(hù)。有利地，可以實現(xiàn)特別高的安全性。尤其地，熱敏式跳閘元件由熱形狀記憶合金、例如鎳鈦諾構(gòu)成?？梢栽O(shè)想的是，相互連接的熱形狀記憶合金和磁性形狀記憶合金構(gòu)成共同的跳閘元件或者構(gòu)成為兩個單獨的跳閘元件，例如以兩個相鄰或相互連接的條帶的形式。此外，還可以設(shè)想的是，跳閘元件由一種具有磁性形狀記憶效應(yīng)、尤其是磁性高溫形狀記憶效應(yīng)和熱形狀記憶效應(yīng)的材料構(gòu)成。優(yōu)選地，跳閘元件構(gòu)成為熱和磁性形狀可變的?！盁岷?或磁性形狀可變的材料”應(yīng)尤其理解為這樣的材料，該材料借助溫度升高、尤其是熱能供給和/或借助磁場、尤其是外部磁場是可受影響的，并且有利地在至少一種操作狀態(tài)下設(shè)置成至少依賴于材料的溫度和/或至少依賴于磁場改變至少一種材料特性和/或形狀。然而，也可以設(shè)想的是，混合保護(hù)開關(guān)裝置構(gòu)成為沒有熱敏式跳閘元件。

23、此外，提出了一種混合接觸器，尤其是直流混合接觸器，其具有混合保護(hù)開關(guān)裝置和與混合保護(hù)開關(guān)裝置電并聯(lián)連接的至少一個變阻器。由此，可以實現(xiàn)在速度和/或安全方面的有利特性。有利地，混合接觸器比具有例如毫秒范圍內(nèi)的電流中斷時間的機(jī)械功率開關(guān)快得多，同時在制造和/或維護(hù)方面比純半導(dǎo)體功率開關(guān)有利得多。“直流”應(yīng)尤其理解為直流電。尤其地，變阻器與機(jī)械中斷開關(guān)電并聯(lián)連接。尤其地，變阻器與半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)電并聯(lián)連接。尤其地，變阻器設(shè)置成將電流在熄滅后通過半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)(“慢”)引導(dǎo)至零。

24、此外，提出的是，混合接觸器具有電磁體和/或與機(jī)械中斷開關(guān)電并聯(lián)連接且借助開關(guān)可放電的電容器，該電磁體和該電容器各自至少設(shè)置成允許以受控方式斷開由混合保護(hù)開關(guān)裝置監(jiān)測的電路。由此，可以有利地實現(xiàn)混合接觸器的以受控方式的斷開，尤其是在負(fù)載下，優(yōu)選地沒有觸點燒損。尤其地，電磁體、優(yōu)選地由電磁體產(chǎn)生的磁場設(shè)置成以受控方式觸發(fā)機(jī)械中斷開關(guān)的跳閘元件，優(yōu)選地使該跳閘元件變形。尤其地，電容器設(shè)置成在閉合開關(guān)時產(chǎn)生高放電電流，借助該高放電電流可以模擬短路情況，使得跳閘元件被觸發(fā)并且電路被斷開。

25、此外，提出了一種用于操作混合保護(hù)開關(guān)裝置、尤其是直流混合保護(hù)開關(guān)裝置的方法，該混合保護(hù)開關(guān)裝置具有至少一個機(jī)械中斷開關(guān)和與機(jī)械中斷開關(guān)電并聯(lián)連接的至少一個半導(dǎo)體保護(hù)開關(guān)、尤其是半導(dǎo)體繼電器，其中，機(jī)械中斷開關(guān)在過電流的情況下通過磁性形狀記憶合金的形狀變化被致動。由此，可以有利地提高對過電流的保護(hù)，尤其是通過實現(xiàn)機(jī)械中斷開關(guān)的特別高的響應(yīng)速度和跳閘速度。有利地，可以實現(xiàn)反應(yīng)更快速并因此更安全且更經(jīng)濟(jì)高效的過電流保護(hù)。

26、在本文中，根據(jù)本發(fā)明的混合保護(hù)開關(guān)裝置、根據(jù)本發(fā)明的混合接觸器和根據(jù)本發(fā)明的方法不應(yīng)限于上文所述的應(yīng)用和實施方式。尤其地，根據(jù)本發(fā)明的混合保護(hù)開關(guān)裝置、根據(jù)本發(fā)明的混合接觸器和根據(jù)本發(fā)明的方法可以具有與本文提到的各個元件、方法步驟、構(gòu)件和單元的數(shù)量不同的數(shù)量以執(zhí)行本文所述的功能方式。