本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體模塊。

背景技術(shù)：

1、在以功率半導(dǎo)體模塊為代表的半導(dǎo)體模塊中，有時(shí)采用將多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。

2、例如，在專利文獻(xiàn)1所記載的半導(dǎo)體模塊中，在搭載有多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件的絕緣基板上，針對(duì)該多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件共用地設(shè)有漏極圖案、源極圖案、源極控制圖案以及柵極控制圖案。在此，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件的漏極焊盤(pán)與漏極圖案接合。半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件的源極焊盤(pán)利用導(dǎo)線與源極圖案電連接。半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件的源極焊盤(pán)利用導(dǎo)線與源極控制圖案電連接。半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件的柵極焊盤(pán)利用導(dǎo)線與柵極控制圖案電連接。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2019/044748號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問(wèn)題

2、在專利文獻(xiàn)1所記載的結(jié)構(gòu)中，用于將源極焊盤(pán)與源極控制圖案電連接的導(dǎo)線接合于源極焊盤(pán)的面內(nèi)的偏移的位置，因此在源極焊盤(pán)內(nèi)產(chǎn)生電流的不平衡，其結(jié)果，存在導(dǎo)致開(kāi)關(guān)特性降低這樣的問(wèn)題。

3、考慮到以上的情況，本公開(kāi)的一個(gè)形態(tài)的目的在于提高半導(dǎo)體模塊的開(kāi)關(guān)特性。

4、用于解決問(wèn)題的方案

5、為了解決以上的問(wèn)題，本公開(kāi)的優(yōu)選的技術(shù)方案的半導(dǎo)體模塊具備：至少一個(gè)基板，其具有第1電極圖案、第2電極圖案和第3電極圖案，在俯視時(shí)所述第1電極圖案位于所述第2電極圖案與所述第3電極圖案之間；以及多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件，其具有與所述第1電極圖案接合的第1面和朝向與所述第1面相反的方向的第2面，在所述第2面設(shè)有控制電極、與所述控制電極連接的控制布線和具有由所述控制布線劃分開(kāi)的多個(gè)區(qū)域的主電極，所述多個(gè)區(qū)域各自經(jīng)由第1導(dǎo)線與所述第2電極圖案電連接，并且經(jīng)由第2導(dǎo)線與所述第3電極圖案電連接，所述第2電極圖案為主電流用的圖案，所述第3電極圖案用作控制用的輔助圖案。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體模塊，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體模塊具備至少一個(gè)基板和多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件。基板具有第1電極圖案、第2電極圖案以及第3電極圖案，在俯視時(shí)，第1電極圖案位于第2電極圖案與第3電極圖案之間。半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件具有與第1電極圖案接合的第1面和朝向與第1面相反的方向的第2面。在第2面設(shè)有控制電極、與控制電極連接的控制布線以及具有由控制布線劃分開(kāi)的多個(gè)區(qū)域的主電極。該多個(gè)區(qū)域各自經(jīng)由第1導(dǎo)線與第2電極圖案電連接，并且經(jīng)由第2導(dǎo)線與第3電極圖案電連接。第2電極圖案為主電流用的圖案。第3電極圖案用作控制用的輔助圖案。

技術(shù)研發(fā)人員：網(wǎng)秀夫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：富士電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/12