本技術(shù)屬于太陽(yáng)能，具體涉及一種hbc電池。

背景技術(shù)：

1、異質(zhì)結(jié)電池(hjt)具有開(kāi)路電壓(voc)高、填充因子(ff)高的優(yōu)勢(shì)，但電流低是效率繼續(xù)提升的障礙，主要原因在于：1、正面透明導(dǎo)電薄膜(tco)對(duì)光的吸收；2、正面非晶硅薄膜對(duì)光的吸收；3、正面柵線的遮光損失。未來(lái)異質(zhì)結(jié)電池的發(fā)展一定是朝著低電流的方向。

2、背接觸電池(ibc)是一種將正、背面電極全部集成在電池背面的電池技術(shù)，具體正面無(wú)遮光的特性，電流高是其顯著優(yōu)勢(shì)。

3、hjt+ibc疊加技術(shù)是未來(lái)hjt技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)方向，稱(chēng)之為hjt-ibc電池，又稱(chēng)hbc電池。鈍化性能是電池光電轉(zhuǎn)換效率的一個(gè)重要性能，現(xiàn)有技術(shù)中的hbc的表面復(fù)合會(huì)影響鈍化性能，從而降低了電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

4、因此，針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，有必要提供一種hbc電池。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種hbc電池，以提升光電轉(zhuǎn)換效率。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下：

3、一種hbc電池，所述hbc電池包括：

4、硅片，包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第二表面包括第一區(qū)域、第二區(qū)域及隔離區(qū)，所述隔離區(qū)位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間，所述第一區(qū)域的面積為第二表面面積的70％～95％；

5、異質(zhì)結(jié)構(gòu)，包括層疊于第一區(qū)域上的第一鈍化層及第一摻雜層；

6、第一電極結(jié)構(gòu)，位于異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的第一摻雜層上；

7、第一鈍化結(jié)構(gòu)，包括層疊于第二區(qū)域上的第二鈍化層及第二摻雜層；

8、第二電極結(jié)構(gòu)，位于第一鈍化結(jié)構(gòu)中的第二摻雜層上；

9、第二鈍化結(jié)構(gòu)，位于硅片的第一表面上；

10、隔離結(jié)構(gòu)，包括位于隔離區(qū)上的隔離槽，所述隔離槽的底部延伸至硅片的第二表面或第二表面下方。

11、一實(shí)施例中，所述第一區(qū)域的面積為第二表面面積的80％～85％。

12、一實(shí)施例中，所述隔離槽的深度為0.1μm～6μm，寬度為20μm～100μm；和/或，

13、所述隔離槽內(nèi)的全部或部分區(qū)域形成有絕緣層。

14、一實(shí)施例中，所述第二鈍化結(jié)構(gòu)包括層疊于第一表面上的第三鈍化層及減反層，其中，所述第三鈍化層為本征非晶硅層，所述減反層包括tco層、sinx層、sinxoy層中的一種或多種的組合。

15、一實(shí)施例中，所述第二鈍化結(jié)構(gòu)還包括位于第三鈍化層和減反層之間的第三摻雜層，所述第三摻雜層的摻雜類(lèi)型與硅片的摻雜類(lèi)型相同。

16、一實(shí)施例中，所述第三摻雜層為非晶硅層或微晶硅層；和/或，

17、所述第三摻雜層的厚度為15nm～30nm；和/或，

18、所述第三摻雜層的摻雜濃度為1e17cm-3～1e22cm-3。

19、一實(shí)施例中，所述第一表面為金字塔結(jié)構(gòu)絨面或拋光面；和/或，

20、所述第一區(qū)域?yàn)榻鹱炙Y(jié)構(gòu)絨面或拋光面；和/或，

21、所述第二區(qū)域?yàn)榻鹱炙Y(jié)構(gòu)絨面或拋光面。

22、一實(shí)施例中，所述第一電極結(jié)構(gòu)包括位于第一摻雜層上的第一tco層及與第一tco層電接觸的第一電極；和/或，

23、所述第二電極結(jié)構(gòu)包括位于第二摻雜層上的第二tco層及與第二tco層電接觸的第二電極。

24、一實(shí)施例中，所述第一鈍化層為本征非晶硅層；和/或，

25、所述第二鈍化層為本征非晶硅層；和/或，

26、所述第一鈍化層的厚度為5nm～10nm；和/或，

27、所述第二鈍化層的厚度為5nm～10nm。

28、一實(shí)施例中，所述硅片為摻雜硅片，所述第一摻雜層的摻雜類(lèi)型與硅片的摻雜類(lèi)型相反，所述第二摻雜層的摻雜類(lèi)型與硅片的摻雜類(lèi)型相同；和/或，

29、所述第一摻雜層為非晶硅層或微晶硅層；和/或，

30、所述第二摻雜層為非晶硅層或微晶硅層；和/或，

31、所述第一摻雜層的厚度為20nm～40nm；和/或，

32、所述第二摻雜層的厚度為15nm～30nm；和/或，

33、所述第一摻雜層的摻雜濃度為1e17cm-3～1e20cm-3；和/或，

34、所述第二摻雜層的摻雜濃度為1e17cm-3～1e22cm-3。

35、本實(shí)用新型具有以下有益效果：

36、本實(shí)用新型的hbc電池疊加了hjt電池和ibc電池的優(yōu)勢(shì)，正面和背面均采用鈍化結(jié)構(gòu)降低表面復(fù)合率，鈍化效果好，能夠顯著提升光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)特征：

1.一種hbc電池，其特征在于，所述hbc電池包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hbc電池，其特征在于，所述第一區(qū)域的面積為第二表面面積的80％～85％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hbc電池，其特征在于，所述隔離槽的深度為0.1μm～6μm，寬度為20μm～100μm；和/或，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hbc電池，其特征在于，所述第二鈍化結(jié)構(gòu)包括層疊于第一表面上的第三鈍化層及減反層，其中，所述第三鈍化層為本征非晶硅層，所述減反層包括tco層、sinx層、sinxoy層中的一種或多種的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的hbc電池，其特征在于，所述第二鈍化結(jié)構(gòu)還包括位于第三鈍化層和減反層之間的第三摻雜層，所述第三摻雜層的摻雜類(lèi)型與硅片的摻雜類(lèi)型相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的hbc電池，其特征在于，所述第三摻雜層為非晶硅層或微晶硅層；和/或，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hbc電池，其特征在于，所述第一表面為金字塔結(jié)構(gòu)絨面或拋光面；和/或，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hbc電池，其特征在于，所述第一電極結(jié)構(gòu)包括位于第一摻雜層上的第一tco層及與第一tco層電接觸的第一電極；和/或，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hbc電池，其特征在于，所述第一鈍化層為本征非晶硅層；和/或，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hbc電池，其特征在于，所述硅片為摻雜硅片，所述第一摻雜層的摻雜類(lèi)型與硅片的摻雜類(lèi)型相反，所述第二摻雜層的摻雜類(lèi)型與硅片的摻雜類(lèi)型相同；和/或，

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)揭示了一種HBC電池，所述HBC電池包括：硅片，包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，第二表面包括第一區(qū)域、第二區(qū)域及隔離區(qū)，隔離區(qū)位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間，第一區(qū)域的面積為第二表面面積的70％～95％；異質(zhì)結(jié)構(gòu)，包括層疊于第一區(qū)域上的第一鈍化層及第一摻雜層；第一電極結(jié)構(gòu)，位于異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的第一摻雜層上；第一鈍化結(jié)構(gòu)，包括層疊于第二區(qū)域上的第二鈍化層及第二摻雜層；第二電極結(jié)構(gòu)，位于第一鈍化結(jié)構(gòu)中的第二摻雜層上；第二鈍化結(jié)構(gòu)，位于硅片的第一表面上；隔離結(jié)構(gòu)，包括位于隔離區(qū)上的隔離槽。本技術(shù)的HBC電池疊加了HJT電池和IBC電池的優(yōu)勢(shì)，正面和背面均采用鈍化結(jié)構(gòu)降低表面復(fù)合率，鈍化效果好，能夠顯著提升光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：李碩,張強(qiáng),吳堅(jiān)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：嘉興阿特斯技術(shù)研究院有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231214
技術(shù)公布日：2024/12/26