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半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體封裝方法與流程

文檔序號:40393138發(fā)布日期:2024-12-20 12:16閱讀:5來源:國知局
半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體封裝方法與流程

本公開涉及半導(dǎo)體,尤其涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體封裝方法。


背景技術(shù):

1、在半導(dǎo)體封裝工藝中,通常采用中介板(interposer)作為將多個(gè)芯片鍵合到封裝基板的平臺(tái),從而將多個(gè)芯片封裝為一個(gè)器件。

2、然而,中介板與封裝材料之間可能存在熱膨脹系數(shù)不匹配的問題,隨著半導(dǎo)體器件在使用過程中發(fā)熱,容易發(fā)生器件翹曲、分層等不良現(xiàn)象,影響器件的正常使用。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體封裝方法,以至少在一定程度上解決半導(dǎo)體器件翹曲、分層等問題。

2、根據(jù)本公開的第一方面,提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),包括:封裝基板;隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片,與所述封裝基板上的第一連接部形成鍵合;封裝層,位于所述封裝基板上,包覆所述隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片;重布線層,位于所述封裝層上;第二導(dǎo)電線,至少部分地位于所述封裝層內(nèi),連接所述封裝基板上的第二連接部與所述重布線層的底面;閃存芯片,位于所述重布線層上,與所述重布線層的頂面形成鍵合;所述重布線層包括信號線路和參考線路,所述信號線路用于在所述閃存芯片與所述封裝基板之間進(jìn)行信號傳輸,所述參考線路用于提供信號傳輸?shù)膮⒖计矫妗?/p>

3、可選的,所述第二連接部為所述封裝基板上的焊盤,所述第二導(dǎo)電線為鍵合絲,連接所述第二連接部與所述重布線層的底面上的焊盤。

4、可選的,所述第二導(dǎo)電線在所述封裝基板的平面上的投影尺寸與所述第二導(dǎo)電線的垂直尺寸之比小于預(yù)設(shè)比例值。

5、可選的,所述第二導(dǎo)電線分布于所述隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片的多個(gè)方向。

6、可選的,所述信號線路與所述重布線層的底面的連接點(diǎn)在基準(zhǔn)平面上的投影的包圍盒,位于所述參考線路與所述重布線層的底面的連接點(diǎn)在所述基準(zhǔn)平面上的投影的包圍盒之內(nèi);所述基準(zhǔn)平面平行于所述封裝基板的頂面。

7、可選的,所述參考線路包括電源線路和接地線路;所述信號線路與所述重布線層的底面的連接點(diǎn)在所述基準(zhǔn)平面上的投影的包圍盒,位于所述接地線路與所述重布線層的底面的連接點(diǎn)在所述基準(zhǔn)平面上的投影的包圍盒之內(nèi);所述接地線路與所述重布線層的底面的連接點(diǎn)在所述基準(zhǔn)平面上的投影的包圍盒,位于所述電源線路與所述重布線層的底面的連接點(diǎn)在所述基準(zhǔn)平面上的投影的包圍盒之內(nèi)。

8、可選的,所述重布線層為信號層、電源層和接地層形成的疊層結(jié)構(gòu);所述信號層位于所述電源層和所述接地層之間;所述信號線路包括與基準(zhǔn)平面平行的水平信號布線以及與所述基準(zhǔn)平面垂直的垂直信號布線,所述水平信號布線位于所述信號層內(nèi);所述參考線路包括電源線路和接地線路;所述電源線路包括與所述基準(zhǔn)平面平行的水平電源布線以及與所述基準(zhǔn)平面垂直的垂直電源布線,所述水平電源布線位于所述電源層內(nèi);所述接地線路包括與所述基準(zhǔn)平面平行的水平接地布線以及與所述基準(zhǔn)平面垂直的垂直接地布線,所述水平接地布線位于所述接地層內(nèi);所述基準(zhǔn)平面平行于所述封裝基板的頂面。

9、可選的,連接所述電源線路的所述第二導(dǎo)電線的直徑大于連接所述接地線路的所述第二導(dǎo)電線的直徑。

10、可選的,連接所述接地線路的所述第二導(dǎo)電線設(shè)置在連接所述信號線路的所述第二導(dǎo)線的外周,連接所述電源信號的所述第二導(dǎo)電線設(shè)置在連接所述接地信號的所述第二導(dǎo)電線的外周。

11、根據(jù)本公開的第二方面,提供一種半導(dǎo)體封裝方法,包括:提供封裝基板、待封裝的隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片和閃存芯片;將所述隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片與所述封裝基板上的第一連接部形成鍵合;形成第二導(dǎo)電線,所述第二導(dǎo)電線連接所述封裝基板上的第二連接部并向上延伸;在所述封裝基板上形成封裝層,包覆所述隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片,并至少部分地包覆所述第二導(dǎo)電線;在所述封裝層上形成重布線層,所述第二導(dǎo)電線連接所述重布線層的底面;所述重布線層包括信號線路和參考線路,所述信號線路用于在所述閃存芯片與所述封裝基板之間進(jìn)行信號傳輸,所述參考線路用于提供信號傳輸?shù)膮⒖计矫?;將所述閃存芯片與所述重布線層的頂面形成鍵合。

12、本公開的技術(shù)方案具有以下有益效果:

13、第一方面,不采用中介層,而采用重布線層來實(shí)現(xiàn)閃存芯片到封裝基板的鍵合,重布線層位于封裝層之上而非封裝層內(nèi),即使重布線層與封裝層存在熱膨脹系數(shù)不匹配的情況,在半導(dǎo)體器件發(fā)熱時(shí),也不容易發(fā)生翹曲、分層等問題。第二方面,在重布線層中可以采用合適的絕緣介質(zhì)作為載體,相比于中介層而言,有更大的介質(zhì)選擇余地,以匹配封裝層的熱膨脹系數(shù),從而進(jìn)一步改善翹曲、分層等問題,保證半導(dǎo)體器件的性能。第三方面,閃存芯片與封裝基板之間的線路包括第二導(dǎo)電線、重布線層內(nèi)的走線、閃存芯片與重布線層間的鍵合部,相比于現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)的線路,第二導(dǎo)電線的長度小于中介層到封裝基板的走線,重布線層內(nèi)的走線比中介層內(nèi)的走線更短,因此本方案能夠縮短閃存芯片與封裝基板之間的線路長度,改善信號完整性和電源完整性。第四方面,將信號線路和參考線路均設(shè)置在重布線層中,有利于簡化封裝結(jié)構(gòu),參考線路提供信號傳輸?shù)膮⒖计矫?,其位于重布線層中,能夠起到良好的屏蔽作用,避免重布線層與外部干擾源之間產(chǎn)生電磁耦合,在參考平面的作用下,信號線路可視為具有更好的信號傳輸特性的微帶線,同樣能夠改善信號完整性。



技術(shù)特征:

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二連接部為所述封裝基板上的焊盤,所述第二導(dǎo)電線為鍵合絲,連接所述第二連接部與所述重布線層的底面上的焊盤。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二導(dǎo)電線在所述封裝基板的平面上的投影尺寸與所述第二導(dǎo)電線的垂直尺寸之比小于預(yù)設(shè)比例值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二導(dǎo)電線分布于所述隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片的多個(gè)方向。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述信號線路與所述重布線層的底面的連接點(diǎn)在基準(zhǔn)平面上的投影的包圍盒,位于所述參考線路與所述重布線層的底面的連接點(diǎn)在所述基準(zhǔn)平面上的投影的包圍盒之內(nèi);所述基準(zhǔn)平面平行于所述封裝基板的頂面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述參考線路包括電源線路和接地線路;

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述重布線層為信號層、電源層和接地層形成的疊層結(jié)構(gòu);所述信號層位于所述電源層和所述接地層之間;

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,連接所述電源線路的所述第二導(dǎo)電線的直徑大于連接所述接地線路的所述第二導(dǎo)電線的直徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,連接所述接地線路的所述第二導(dǎo)電線設(shè)置在連接所述信號線路的所述第二導(dǎo)線的外周,連接所述電源信號的所述第二導(dǎo)電線設(shè)置在連接所述接地信號的所述第二導(dǎo)電線的外周。

10.一種半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,包括:


技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體封裝方法,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括:封裝基板;隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片,與所述封裝基板上的第一連接部形成鍵合;封裝層,位于所述封裝基板上,包覆所述隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片;重布線層,位于所述封裝層上;第二導(dǎo)電線,至少部分地位于所述封裝層內(nèi),連接所述封裝基板上的第二連接部與所述重布線層的底面;閃存芯片,位于所述重布線層上,與所述重布線層的頂面形成鍵合;所述重布線層包括信號線路和參考線路,所述信號線路用于在所述閃存芯片與所述封裝基板之間進(jìn)行信號傳輸,所述參考線路用于提供信號傳輸?shù)膮⒖计矫?。本公開能夠改善半導(dǎo)體器件翹曲、分層等問題,并提升信號完整性與電源完整性。

技術(shù)研發(fā)人員:石恒榮
受保護(hù)的技術(shù)使用者:長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/19
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