本發(fā)明涉及冷卻板及半導體制造裝置用部件。

背景技術：

1、在半導體工藝中進行高溫化的靜電卡盤接合有冷卻板，以便散熱。這種情況下，作為靜電卡盤的材料，有時采用氧化鋁；作為冷卻板的材料，有時采用復合材料。作為該復合材料，例如，如專利文獻1所公開那樣，已知有含有碳化硅、硅化鈦、碳化鈦硅及碳化鈦的復合材料。該復合材料具有優(yōu)異的材料特性。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特許第5666748號公報

技術實現思路

1、然而，采用了專利文獻1的復合材料的冷卻板中，有時在表面產生蝕坑(小孔)。如果存在該蝕坑，則有可能容易以此為起點而發(fā)生破壞，或者在面內產生溫度不均而導致面內的均熱性降低，故不理想。

2、本發(fā)明是為了解決上述課題而實施的，其主要目的在于，提供具有優(yōu)異的材料特性且在表面出現的蝕坑較少的冷卻板。

3、本發(fā)明的冷卻板含有42～65質量％的tisi2、4～16質量％的tic，并且，含有比tisi2的質量％少的sic。

4、該冷卻板具有優(yōu)異的材料特性，因此，將冷卻對象物冷卻的能力較高。另外，在該冷卻板的表面出現的蝕坑較少，因此，能夠抑制以蝕坑為起點而發(fā)生破壞，并且，能夠抑制在存在蝕坑的位置隨著熱傳導降低而產生溫度不均。

5、應予說明，表示數值范圍的“a～b”是指：a以上且b以下。

6、本發(fā)明的冷卻板(上述[1]所述的冷卻板)優(yōu)選具有30000mm2以上的表面，在對所述表面實施采用了熒光液的滲透探傷試驗后，觀察所述表面時，所述熒光液滲透進去且長徑為0.5mm以上的孔為1個以下。此處，將該孔定義為蝕坑。該冷卻板的蝕坑數極少，因此，能夠進一步抑制以蝕坑為起點的破壞及由蝕坑所引起的溫度不均。

7、本發(fā)明的冷卻板(上述[1]或[2]所述的冷卻板)優(yōu)選含有0.1～0.5質量％的sio2。據此，能夠使作為材料特性之一的4點彎曲強度比較高。

8、本發(fā)明的冷卻板(上述[1]～[3]中的任一項所述的冷卻板)優(yōu)選為：sic/tisi2質量比為0.47～0.98，sic/tic質量比為2.7～8.8。

9、本發(fā)明的冷卻板(上述[1]～[4]中的任一項所述的冷卻板)可以用于氧化鋁基板的冷卻，所述冷卻板與氧化鋁之間的40℃～570℃的平均線熱膨脹系數差可以為0.5ppm/k以下，或者，40℃～570℃的平均線熱膨脹系數可以為7.2～9.0ppm/k。據此，在將冷卻板和作為冷卻對象物的氧化鋁基板接合而制造接合體時，由于冷卻板與氧化鋁基板之間的熱膨脹差較小，所以，即便將該接合體在低溫與高溫之間反復使用，也能夠抑制冷卻板和氧化鋁基板剝離。

10、應予說明，本發(fā)明的冷卻板(上述[1]～[5]中的任一項所述的冷卻板)中，開口率優(yōu)選為1％以下，更優(yōu)選為0.1％以下。體積密度優(yōu)選為3.70g/cm3以上，更優(yōu)選為3.74g/cm3以上。熱傳導率優(yōu)選為75w/mk以上，更優(yōu)選為80w/mk以上。4點彎曲強度優(yōu)選為250mpa以上，更優(yōu)選為290mpa以上。sic的含有率優(yōu)選為30～44質量％。

11、本發(fā)明的半導體制造裝置用部件具備：氧化鋁基板，該氧化鋁基板內置有電極；本發(fā)明的冷卻板(上述[5]所述的冷卻板)；以及金屬接合層，該金屬接合層將所述氧化鋁基板和所述冷卻板接合。該半導體制造裝置用部件中，冷卻板與氧化鋁基板之間的熱膨脹差較小，因此，即便在低溫與高溫之間反復使用，也能夠抑制冷卻板和氧化鋁基板剝離。因此，耐用期間變長。

12、應予說明，本發(fā)明的半導體制造裝置用部件(上述[6]所述的半導體制造裝置用部件)中，所述金屬接合層優(yōu)選由含有mg或含有si及mg的鋁合金形成。

技術特征：

1.一種冷卻板，其中，

2.根據權利要求1所述的冷卻板，其中，

3.根據權利要求1或2所述的冷卻板，其中，

4.根據權利要求1或2所述的冷卻板，其中，

5.根據權利要求1或2所述的冷卻板，其中，

6.一種半導體制造裝置用部件，其中，具備：

技術總結
本發(fā)明的冷卻板含有42～65質量％的TiSi2、4～16質量％的TiC，并且，含有比TiSi2的質量％少的SiC。

技術研發(fā)人員：三崎雅斗,吉野浩一,服部亮譽,曻和宏
受保護的技術使用者：日本礙子株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19