1.一種具有高反壓終端保護(hù)膜的平面整流二極管芯片，其特征在于：它包括N型單晶硅（2），在所述N型單晶硅（2）的背面通過高濃度磷摻雜擴(kuò)散的方式形成N+重?fù)诫s襯底陰極區(qū)（1），在所述N型單晶硅（2）的正面一側(cè)通過高濃度硼摻雜擴(kuò)散的方式形成P+陽極區(qū)（3），另一側(cè)通過高濃度磷摻雜擴(kuò)散的方式形成N+截止環(huán)區(qū)（4），在所述N型單晶硅（2）的正面淀積一層SIPOS鈍化層（5），所述SIPOS鈍化層（5）的底部兩側(cè)搭接于P+陽極區(qū)（3）和N+截止環(huán)區(qū)（4）上，在所述SIPOS鈍化層（5）的正面依次向上淀積相同面積的第一二氧化硅介質(zhì)層（6）、磷硅玻璃介質(zhì)層（7）和第二二氧化硅介質(zhì)層（8），所述SIPOS鈍化層（5）、第一二氧化硅介質(zhì)層（6）、磷硅玻璃介質(zhì)層（7）和第二二氧化硅介質(zhì)層（8）構(gòu)成高反壓終端保護(hù)膜，在所述P+陽極區(qū)（3）和N+截止環(huán)區(qū)（4）的正面露出部分、高反壓終端保護(hù)膜的兩側(cè)及正面兩側(cè)區(qū)域包覆有金屬電極層（9），在所述高反壓終端保護(hù)膜和金屬電極層（9）的正面涂覆有聚酰亞胺鈍化層（10）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有高反壓終端保護(hù)膜的平面整流二極管芯片，其特征在于：所述SIPOS鈍化層（5）的厚度范圍為0.2μm~0.6μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有高反壓終端保護(hù)膜的平面整流二極管芯片，其特征在于：所述第一二氧化硅介質(zhì)層（6）、磷硅玻璃介質(zhì)層（7）和第二二氧化硅介質(zhì)層（8）三層介質(zhì)層的厚度范圍均為0.1μm~0.5μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有高反壓終端保護(hù)膜的平面整流二極管芯片，其特征在于：所述聚酰亞胺鈍化層（10）的厚度范圍為1μm~5μm。