本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體是指一種具有鏤空孔的PERC太陽(yáng)能電池。

背景技術(shù)：

晶硅太陽(yáng)能電池是一種有效吸收太陽(yáng)輻射能，利用光生伏打效應(yīng)把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件，當(dāng)太陽(yáng)光照在半導(dǎo)體P-N結(jié)上，形成新的空穴-電子對(duì)，在P-N結(jié)電場(chǎng)的作用下，空穴由N區(qū)流向P區(qū)，電子由P區(qū)流向N區(qū)，接通電路后就形成電流。

傳統(tǒng)晶硅太陽(yáng)能電池基本上只采用正面鈍化技術(shù)，在硅片正面用PECVD的方式沉積一層氮化硅，降低少子在前表面的復(fù)合速率，可以大幅度提升晶硅電池的開路電壓和短路電流，從而提升晶硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

隨著對(duì)晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率的要求越來(lái)越高，人們開始研究背鈍化太陽(yáng)電池技術(shù)。背鈍化電池工藝復(fù)雜，光電轉(zhuǎn)換效率高，但是與常規(guī)電池一樣，仍然存在電池的彎曲度過(guò)大的問(wèn)題。彎曲度過(guò)大，會(huì)影響下游客戶將電池封裝成組件的成品率，影響組件的品質(zhì)。

在生產(chǎn)過(guò)程中，背鈍化電池會(huì)要求相匹配的鋁漿以鋁漿濕重等工藝參數(shù)的頻繁調(diào)節(jié)，工藝窗口小，影響大規(guī)模生產(chǎn)以及電池的光電轉(zhuǎn)換效率。而對(duì)于PERC太陽(yáng)能電池，鋁漿和相應(yīng)的印刷燒結(jié)工藝又是影響光電轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵輔料，因此需要從其他環(huán)節(jié)解決電池的彎曲度問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種具有鏤空孔的PERC太陽(yáng)能電池，該太陽(yáng)能電池通過(guò)在鋁背場(chǎng)上設(shè)置多個(gè)鏤空孔，改善硅片的應(yīng)力分布，降低鋁背場(chǎng)的重量，減少電池彎曲度，降低碎片率，提高PERC太陽(yáng)能電池的品質(zhì)。

本實(shí)用新型的這一目的通過(guò)如下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的：一種具有鏤空孔的PERC太陽(yáng)能電池，包括自下而上依次設(shè)置的背銀電極、鋁背場(chǎng)、背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正銀電極，所述太陽(yáng)能電池在背面還開設(shè)有開通所述背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜后直至P型硅的多條激光開槽區(qū)，多條激光開槽區(qū)平行設(shè)置，每個(gè)激光開槽區(qū)內(nèi)均填充有背鋁條，所述背鋁條與所述的鋁背場(chǎng)采用鋁漿料一體印刷成型，鋁背場(chǎng)通過(guò)背鋁條與P型硅相連，其特征在于：所述鋁背場(chǎng)具有多條鏤空帶，多條鏤空帶也平行設(shè)置，并且與激光開槽區(qū)相平行，多條鏤空帶與多條激光開槽區(qū)呈交替間隔狀分布，每一條鏤空帶均沿著與激光開槽區(qū)平行的方向間隔開設(shè)有一排鏤空孔。

太陽(yáng)能電池中的全鋁背場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生電池彎曲度過(guò)大，彎曲度過(guò)大會(huì)導(dǎo)致后續(xù)的下游客戶封裝成組件時(shí)的碎片率過(guò)高，影響組件的成品率和品質(zhì)，，同時(shí)增加電池碎片率，無(wú)法保證PERC太陽(yáng)能電池的品質(zhì)。本實(shí)用新型太陽(yáng)能電池中的鋁背場(chǎng)采用設(shè)有多個(gè)鏤空孔的局部鋁背場(chǎng)，改善硅片的應(yīng)力分布，降低鋁背場(chǎng)的重量，減少電池彎曲度，同時(shí)降低電池的碎片率，提高后續(xù)電池封裝成組件的成品率和組件的品質(zhì)。。

本實(shí)用新型中，所述鏤空孔為圓形或三角形或四邊形或五邊形或六邊形。

作為優(yōu)選實(shí)施例，所述鏤空孔為圓形，直徑為0.5～5mm。所述鏤空孔為正三角形或正四邊形或正五邊形或正六邊形，邊長(zhǎng)為0.5～5mm。

每一排的鏤空孔均等間距設(shè)置，相鄰兩個(gè)鏤空孔之間的間距為0.5～3mm

本實(shí)用新型中，所述激光開槽區(qū)的寬度為20～100微米。

所述背面氮化硅膜的厚度為80～300微米。

所述背面氧化鋁膜的厚度為2～30nm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池能夠降低電池彎曲度，同時(shí)降低電池的碎片率，設(shè)備投入成本低，工藝簡(jiǎn)單，且與目前生產(chǎn)線兼容性好。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

圖1是本實(shí)用新型具有鏤空孔的PERC太陽(yáng)能電池的整體結(jié)構(gòu)截面圖；

圖2是本實(shí)用新型具有鏤空孔的PERC太陽(yáng)能電池中鋁背場(chǎng)的平面圖，顯示鏤空帶、鏤空孔與激光開槽區(qū)的位置對(duì)應(yīng)關(guān)系。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

1、背銀電極，2、鋁背場(chǎng)，

3、背面氮化硅膜，4、背面氧化鋁膜，5、P型硅，6、N型硅，

7、正面氮化硅膜，8、正銀電極，9、激光開槽區(qū)；10、背鋁條；11、鏤空帶；12、鏤空孔。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一

如圖1、圖2所示的具有鏤空孔的PERC太陽(yáng)能電池，包括自下而上依次設(shè)置的背銀電極1、鋁背場(chǎng)2、背面氮化硅膜3、背面氧化鋁膜4、P型硅5、N型硅6、正面氮化硅膜7和正銀電極8，正銀電極8由材料為銀的正銀主柵電極81和材料為鋁的正鋁副柵電極82組成，正鋁副柵電極82與正銀主柵電極81相垂直，背銀電極1由材料為銀的背銀主柵電極11和材料為鋁的背鋁副柵電極12組成，背鋁副柵電極12和背銀主柵電極11相垂直。

太陽(yáng)能電池在背面還開設(shè)有開通背面氮化硅膜3、背面氧化鋁膜4后直至P型硅5的多條激光開槽區(qū)9，多條激光開槽區(qū)9的結(jié)構(gòu)相同，多條激光開槽區(qū)9平行設(shè)置，每個(gè)激光開槽區(qū)9內(nèi)均填充有背鋁條10，背鋁條10與鋁背場(chǎng)2采用鋁漿料一體印刷成型，鋁背場(chǎng)2通過(guò)背鋁條10與P型硅5相連，該鋁背場(chǎng)2具有多條鏤空帶11，多條鏤空帶11也平行設(shè)置，并且與激光開槽區(qū)9相平行，多條鏤空帶11與多條激光開槽區(qū)9呈交替間隔狀分布，每一條鏤空帶11均沿著與激光開槽區(qū)9平行的方向間隔開設(shè)有一排鏤空孔12。

本實(shí)用新型太陽(yáng)能電池中的鋁背場(chǎng)2采用設(shè)有鏤空孔12的局部鋁背場(chǎng)2，改善硅片的應(yīng)力分布，降低了鋁背場(chǎng)2的重量，減少電池彎曲度，同時(shí)降低電池的碎片率，提高PERC太陽(yáng)能電池的品質(zhì)，保證了產(chǎn)品的質(zhì)量。

本實(shí)施例的背面氧化鋁膜4的材質(zhì)為三氧化二鋁(Al2O3)，背面氮化硅膜3和正面氮化硅膜7的材質(zhì)相同，均為氮化硅(Si3N4)。

本實(shí)施例中，鏤空孔12為邊長(zhǎng)為3mm的正方形孔，每一排的鏤空孔12均等間距設(shè)置，相鄰兩個(gè)鏤空孔12之間的間距為2mm，激光開槽區(qū)9的寬度為20微米，背面氮化硅膜3的厚度為150微米，背面氧化鋁膜4的厚度為8nm。

作為本實(shí)施例的變換，多條激光開槽區(qū)9的也可以為尺寸不同的槽。鏤空孔12可以為圓形或三角形或四邊形或五邊形或六邊形或八邊形等，優(yōu)選直徑為0.5～5mm的圓形，或者邊長(zhǎng)為0.5～5mm的正三角形或正四邊形或正五邊形或正六邊形或正八邊形，相鄰兩個(gè)鏤空孔之間的間距可以在0.5～3mm范圍內(nèi)取值。

上述具有鏤空孔的PERC太陽(yáng)能電池的制備方法，包括如下步驟：

(1)在硅片正面和背面形成絨面，硅片為P型硅5；

(2)在硅片正面進(jìn)行擴(kuò)散形成N型硅6，即N型發(fā)射極；

(3)去除硅片周邊的PN結(jié)和擴(kuò)散過(guò)程形成的正面磷硅玻璃；

(4)對(duì)硅片背面進(jìn)行拋光；

(5)在硅片背面依次沉積背面氧化鋁膜4和背面氮化硅膜3；

(6)在N型硅6的正面沉積正面氮化硅膜7；

(7)對(duì)硅片背面進(jìn)行激光開槽，開通背面氮化硅膜3、背面氧化鋁膜4后直至硅片，形成多條激光開槽區(qū)9；

(8)在硅片背面印刷背電極漿料，烘干；

(9)在硅片背面采用絲網(wǎng)印刷鋁漿料，形成鋁背場(chǎng)2，形成鋁背場(chǎng)2，該鋁背場(chǎng)2具有多條鏤空帶11，多條鏤空帶11與多條激光開槽區(qū)9呈交替間隔狀分布，每一條鏤空帶11均沿著與激光開槽區(qū)平行的方向間隔開設(shè)有一排鏤空孔12，在印刷鋁背場(chǎng)2的同時(shí)在激光開槽區(qū)9內(nèi)印刷鋁漿料，形成背鋁條10，背鋁條10與鋁背場(chǎng)2一體印刷成型，印刷后進(jìn)行烘干；

(10)在正面氮化硅膜7的正面印刷正電極漿料，烘干；

(11)對(duì)硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極1、鋁背場(chǎng)2和正銀電極8；

(12)對(duì)硅片進(jìn)行抗LID退火處理，形成太陽(yáng)能電池。

本實(shí)施例上述步驟(5)和步驟(6)的順序也可以顛倒，即先進(jìn)行步驟(6)，然后進(jìn)行步驟(5)。

實(shí)施例二

本實(shí)用新型具有鏤空孔的PERC太陽(yáng)能電池的實(shí)施例二和實(shí)施例一不同之處在于，實(shí)施例二中，鏤空孔12為直徑為3mm的圓孔，激光開槽區(qū)9的寬度為40微米，背面氮化硅膜3的厚度為200微米，背面氧化鋁膜4的厚度為8nm。

實(shí)施例三

本實(shí)用新型具有鏤空孔的PERC太陽(yáng)能電池的實(shí)施例三和實(shí)施例一不同之處在于，實(shí)施例三中，激光開槽區(qū)9的寬度為60微米，背面氮化硅膜3的厚度為250微米，背面氧化鋁膜4的厚度為16nm。

實(shí)施例四

本實(shí)用新型具有鏤空孔的PERC太陽(yáng)能電池的實(shí)施例四和實(shí)施例一不同之處在于，實(shí)施例四中，激光開槽區(qū)9的寬度為80微米，背面氮化硅膜3的厚度為300微米，背面氧化鋁膜4的厚度為22nm。

實(shí)施例五

本實(shí)用新型具有鏤空孔的PERC太陽(yáng)能電池的實(shí)施例五和實(shí)施例一不同之處在于，實(shí)施例五中，激光開槽區(qū)9的寬度為100微米，背面氮化硅膜3的厚度為80微米，背面氧化鋁膜4的厚度為30nm。

本實(shí)用新型的上述實(shí)施例并不是對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限定，本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此，凡此種種根據(jù)本實(shí)用新型的上述內(nèi)容，按照本領(lǐng)域的普通技術(shù)知識(shí)和慣用手段，在不脫離本實(shí)用新型上述基本技術(shù)思想前提下，對(duì)本實(shí)用新型上述結(jié)構(gòu)做出的其它多種形式的修改、替換或變更，均應(yīng)落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。