本實(shí)用新型涉及電阻器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種雙層帽塑封電阻器。
背景技術(shù):
目前的電阻器為圓柱狀,容易滾動(dòng),不便于產(chǎn)品貼裝,焊點(diǎn)易松脫,電阻絲易損傷,成品率低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型的目的在于克服目前的電阻器為圓柱狀,容易滾動(dòng),不便于產(chǎn)品貼裝,焊點(diǎn)易松脫,電阻絲易損傷,成品率低的不足而提供的一種雙層帽塑封電阻器。
本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:一種雙層帽塑封電阻器,包括一絕緣基體,所述絕緣基體的兩端各設(shè)置有一金屬帽蓋,所述絕緣基體為圓柱狀結(jié)構(gòu),所述金屬帽蓋為圓柱狀結(jié)構(gòu),所述絕緣基體上纏繞有電阻絲,所述電阻絲的兩端分別與所述絕緣基體兩端的金屬帽蓋內(nèi)側(cè)面焊接或金屬帽蓋外側(cè)壁焊接;兩個(gè)金屬帽蓋上再分別緊配套合有用于電路板貼片焊接的第二金屬帽蓋,兩端的第二金屬帽蓋之間設(shè)有塑封殼。
進(jìn)一步地,所述塑封殼與所述絕緣基體之間設(shè)有散熱涂層或不設(shè)有散熱涂層。
進(jìn)一步地,所述絕緣基體材質(zhì)為瓷棒或玻璃纖維。
進(jìn)一步地,所述金屬帽蓋及第二金屬帽蓋為鍍錫鐵帽。
進(jìn)一步地,所述金屬帽蓋外壁與塑封殼的外壁間距小于或等于0.15mm。
進(jìn)一步地,所述塑封殼為方形或圓柱形塑封殼。
本實(shí)用新型的有益效果在于:
(1)直接在絕緣基體外部直接模壓塑封殼,塑封殼在電路板貼裝過程可以很好的定位,方便貼裝;克服傳統(tǒng)圓柱狀電阻器不好貼裝的不足;
(2)第二金屬帽蓋緊配套合在金屬帽蓋上,有利于在貼裝過程中進(jìn)行焊接;
(3)塑封殼可以極大的提高電阻器的防爆及絕緣效果極大的提高產(chǎn)品的安全性。
【附圖說明】
圖1為本實(shí)用新型雙層帽塑封電阻器整體結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實(shí)用新型雙層帽塑封電阻器側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖;
附圖標(biāo)記:1、絕緣基體;2、金屬帽蓋;3、電阻絲;4、第二金屬帽蓋;5、塑封殼。
【具體實(shí)施方式】
下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述:
實(shí)施例1:
如圖1、圖2所示,一種雙層帽塑封電阻器,包括一絕緣基體1,所述絕緣基體1的兩端各設(shè)置有一金屬帽蓋2,所述絕緣基體1為圓柱狀結(jié)構(gòu),所述金屬帽蓋2為圓柱狀結(jié)構(gòu),所述絕緣基體1上纏繞有電阻絲3,所述電阻絲3的兩端分別與所述絕緣基體1兩端的金屬帽蓋內(nèi)側(cè)面焊接;兩個(gè)金屬帽蓋2上再分別緊配套合有用于電路板貼片焊接的第二金屬帽蓋4,兩端的第二金屬帽蓋4之間設(shè)有塑封殼5。
優(yōu)選地,所述塑封殼5與所述絕緣基體1之間設(shè)有散熱涂層。
優(yōu)選地,所述絕緣基體1材質(zhì)為瓷棒。
優(yōu)選地,所述金屬帽蓋2及第二金屬帽蓋4為鍍錫鐵帽。
優(yōu)選地,所述金屬帽蓋2外壁與塑封殼5的外壁間距小于或等于0.15mm。
優(yōu)選地,所述塑封殼5為方形塑封殼。
實(shí)施例2
如圖1、圖2所示,一種雙層帽塑封電阻器,包括一絕緣基體1,所述絕緣基體1的兩端各設(shè)置有一金屬帽蓋2,所述絕緣基體1為圓柱狀結(jié)構(gòu),所述金屬帽蓋2為圓柱狀結(jié)構(gòu),所述絕緣基體1上纏繞有電阻絲3,所述電阻絲3的兩端分別與所述絕緣基體1兩端的金屬帽蓋外側(cè)壁焊接;兩個(gè)金屬帽蓋2上再分別緊配套合有用于電路板貼片焊接的第二金屬帽蓋4,兩端的第二金屬帽蓋4之間設(shè)有塑封殼5。
優(yōu)選地,所述塑封殼5與所述絕緣基體1之間不設(shè)有散熱涂層。
優(yōu)選地,所述絕緣基體1材質(zhì)為玻璃纖維。
優(yōu)選地,所述金屬帽蓋2外壁與塑封殼5的外壁間距小于或等于0.15mm。
優(yōu)選地,所述塑封殼5為圓柱形塑封殼。
根據(jù)上述說明書的揭示和教導(dǎo),本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以對上述實(shí)施方式進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏托薷?。因此,本?shí)用新型并不局限于上面揭示和描述的具體實(shí)施方式,對本實(shí)用新型的一些修改和變更也應(yīng)當(dāng)落入本實(shí)用新型的權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。此外,盡管本說明書中使用了一些特定的術(shù)語,但這些術(shù)語只是為了方便說明,并不對本實(shí)用新型構(gòu)成任何限制。