技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了快恢復(fù)二極管。所述快恢復(fù)二極管包括：陰極，所述陰極包括場(chǎng)截止層和與所述場(chǎng)截止層接觸的第一接觸區(qū)；陰極；位于所述陰極上的漂移區(qū)；位于所述漂移區(qū)上的緩沖層；位于所述緩沖層中的陽(yáng)極；從所述陽(yáng)極經(jīng)由所述緩沖層延伸至所述漂移區(qū)的至少一個(gè)溝槽；位于所述至少一個(gè)溝槽側(cè)壁上的柵介質(zhì)層；以及填充所述至少一個(gè)溝槽的柵導(dǎo)體層。該快恢復(fù)二極管采用緩沖層和從陽(yáng)極經(jīng)由緩沖層延伸至陰極的溝槽結(jié)構(gòu)改善EMI兼容特性。

技術(shù)研發(fā)人員：顧悅吉;黃示;韓健;陳琛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州士蘭集成電路有限公司
文檔號(hào)碼：201720094981
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.24
技術(shù)公布日：2017.08.18