專(zhuān)利名稱(chēng)：快恢復(fù)二極管制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種快恢復(fù)二極管制造方法。
背景技術(shù)：
快恢復(fù)二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)FRD)是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短的半導(dǎo)體二極管，其主要作為整流二極管和續(xù)流二極管被應(yīng)用在各種高壓大電流電路中。FRD在應(yīng)用時(shí)其耐壓范圍在400V 6500V之間?，F(xiàn)有工藝中，對(duì)于耐壓1200V以下的FRD常采用外延工藝來(lái)形成，對(duì)于耐壓1200V以上的FRD常采用擴(kuò)散工藝來(lái)形成，這是由于FRD耐壓越高，其上輕摻雜的N型漂移區(qū)(簡(jiǎn)稱(chēng)N-層，本說(shuō)明書(shū)中“ + ”表示重?fù)诫s，表示輕摻雜，以后不再贅述)的厚度越厚，對(duì)于 耐壓1200V的FRD就需要80 μ m厚的N-層，如此厚的N-層如果通過(guò)外延技術(shù)來(lái)形成，則對(duì)外延設(shè)備和外延后N-層的質(zhì)量來(lái)說(shuō)均已達(dá)到了極限，因此，對(duì)于耐壓1200V以上的FRD常采用擴(kuò)散工藝來(lái)形成，兩種工藝過(guò)程具體如下采用外延工藝形成FRD的步驟包括1、提供N+襯底；2、在N+襯底上進(jìn)行第一次外延，形成N型層，所述N型層較薄，用來(lái)作為場(chǎng)終止(Field Stop, FS)層；3、在所述FS層上進(jìn)行第二次外延，形成N-層；4、通過(guò)光刻、刻蝕、注入、退火等步驟在所述N-層上形成P+層，該P(yáng)+層作為FRD的陽(yáng)極；5、在所述P+層上形成金屬層I ;6、對(duì)所述N+襯底的背面進(jìn)行減薄，并在其背面形成金屬層2，減薄后的N+襯底作為FRD的陰極。采用外延工藝形成的FRD的結(jié)構(gòu)示意圖請(qǐng)參見(jiàn)圖I。采用擴(kuò)散工藝形成FRD的步驟包括1、提供N-襯底；2、將所述N-襯底置于擴(kuò)散爐內(nèi)在其正面及背面均形成N+層；3、去除N-襯底正面的N+層；4、通過(guò)光刻、刻蝕、注入、退火等步驟在所述N-襯底正面形成P+層，該P(yáng)+層為FRD的陽(yáng)極；5、在所述P+層上形成金屬層3 ;6、在N-襯底背面的N+層上形成金屬層4，所述N-襯底背面的N+層為FRD的陰極。采用擴(kuò)散工藝形成的FRD的結(jié)構(gòu)示意圖請(qǐng)參見(jiàn)圖2。對(duì)于采用外延工藝形成FRD時(shí)，一般均需要外延出較厚的N-層，而N-層越厚，制作成本就越高；對(duì)于采用擴(kuò)散工藝形成的FRD，所述FRD的厚度一般較厚，這就使得FRD的導(dǎo)通壓降增大，最終使FRD的靜態(tài)功耗增大；再有，現(xiàn)有工藝中對(duì)于耐壓1200V以下的FRD和耐壓1200V以上的FRD，需要分別采用外延工藝和擴(kuò)散工藝來(lái)形成，因此，現(xiàn)有工藝的制作方法適用范圍狹窄。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種快恢復(fù)二極管制造方法，該方法制作成本低，制造出來(lái)的快恢復(fù)二極管靜態(tài)功耗小，且該方法適用范圍寬。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種快恢復(fù)二極管制造方法，該方法包括
提供一 N+襯底和一 N-襯底；在所述N+襯底的正面外延一 N型層作為FS層；使所述FS層的表面與N-襯底的一個(gè)表面通過(guò)鍵合的方式連接起來(lái)；對(duì)所述N-襯底進(jìn)行減薄，并在減薄后的N-襯底的表面形成P+層及第一金屬層；對(duì)所述N+襯底的背面進(jìn)行減薄，并在減薄后的N+襯底的背面形成第二金屬層。優(yōu)選的，上述方法中，使所述FS層的表面與N-襯底的一個(gè)表面通過(guò)鍵合的方式連接起來(lái)，具體包括對(duì)所述FS層的表面進(jìn)行拋光；對(duì)N-襯底的一個(gè)表面進(jìn)行拋光； 將FS層的拋光面與N-襯底的拋光面貼合在一起；對(duì)上述貼合后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理。優(yōu)選的，上述方法中，所述對(duì)上述貼合后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理，具體包括將上述貼合后的結(jié)構(gòu)置于充滿(mǎn)氮?dú)獾那皇覂?nèi)保持I 3小時(shí)。優(yōu)選的，上述方法中，所述充滿(mǎn)氮?dú)獾那皇覂?nèi)的溫度為1000°C 1200°C。優(yōu)選的，上述方法中，在減薄后的N-襯底的表面形成P+層，具體包括在所述減薄后的N-襯底的表面形成屏蔽氧化層；通過(guò)光刻、刻蝕工藝在所述屏蔽氧化層中形成有源區(qū)；通過(guò)離子注入工藝在所述有源區(qū)內(nèi)形成P+層；對(duì)所述P+層進(jìn)行退火處理。優(yōu)選的，上述方法中，形成P+層時(shí)所注入的離子為硼離子。優(yōu)選的，上述方法中，在減薄后的N-襯底的表面形成P+層及第一金屬層之后，還包括在所述第一金屬層上形成鈍化層。優(yōu)選的，上述方法中，所述鈍化層為氮化硅層。優(yōu)選的，上述方法中，所述FS層的厚度為5 10 μ m。優(yōu)選的，上述方法中，所述N+襯底和N-襯底分別為N+單晶硅和N-單晶硅。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所提供的快恢復(fù)二極管制造方法，在一 N+襯底的正面外延一 N型層作為FS層，使所述FS層與另一 N-襯底通過(guò)鍵合的方式連接起來(lái)，從而形成了一個(gè)較厚的整體結(jié)構(gòu)，之后減薄所述N-襯底，并在減薄后的N-襯底表面形成P+層及第一金屬層，接著減薄N+襯底，并在減薄后的N+襯底表面形成第二金屬層。首先，利用該方法既能生產(chǎn)耐壓1200V以下的FRD，也能生產(chǎn)耐壓1200V以上的FRD，因此，適用范圍較寬；第二，該方法只需進(jìn)行一次外延工藝且形成的外延層厚度較薄，因此，采用該方法制作FRD可極大地降低制作成本；第三，采用該方法制作出來(lái)的FRD，相比現(xiàn)有工藝中采用擴(kuò)散工藝而形成的FRD，該FRD相對(duì)較薄，因此，其導(dǎo)通壓降較小，靜態(tài)功耗也較?。坏谒?，由于該方法在制作過(guò)程中采用鍵合工藝形成了一個(gè)較厚的整體結(jié)構(gòu)，因此，能有效地避免因襯底較薄而易于產(chǎn)生碎片的問(wèn)題。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中采用外延工藝所形成的FRD的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中采用擴(kuò)散工藝所形成的FRD的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種FRD制造方法的流程示意圖；圖4 圖9為本發(fā)明實(shí)施例所提供的FRD制造過(guò)程中器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有工藝中對(duì)于耐壓1200V以下的FRD和耐壓1200V以上的FRD，需要分別采用外延工藝和擴(kuò)散工藝來(lái)形成，這不僅使得適用范圍狹窄，而且，對(duì)于外延工藝來(lái)說(shuō)，需要制備較厚的N-層，從而使得制作成本升高，對(duì)于擴(kuò)散工藝來(lái)說(shuō)，最終形成的FRD的導(dǎo)通壓降較大，靜態(tài)功耗較大?；诖耍景l(fā)明提供了一種新的快恢復(fù)二極管(FRD)的制造方法，該方法既能克服采用外延工藝制作FRD致使成本高的問(wèn)題，又能解決采用擴(kuò)散工藝制作FRD導(dǎo)致器件性能不佳的問(wèn)題，且該方法的適用范圍較寬。下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明所提供的FRD的制造方法。參考圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種FRD制造方法的流程示意圖，該方法具體包括如下步驟步驟SI :提供一 N+襯底和一 N-襯底。采用擴(kuò)散工藝形成FRD后致使器件性能不佳的原因在于所形成的FRD較厚，因此，必須制備出較薄的FRD ;而采用外延工藝制造FRD時(shí)又需要形成較厚的N-層，這就使得制作成本較高?；诖?，發(fā)明人擯棄傳統(tǒng)工藝，采用新的方法來(lái)制作FRD。為了制備出較薄的、性能較好的FRD，又要不采用外延工藝來(lái)形成N-層，因此，發(fā)明人提出了利用現(xiàn)有的N-襯底來(lái)充當(dāng)FRD中的N-層，在后續(xù)工藝過(guò)程中只需將所述N-襯底與場(chǎng)終止層(FieldStop, FS)層較好地結(jié)合在一起就行。因此，參考圖4，本步驟中首先準(zhǔn)備出兩個(gè)襯底，分別為重?fù)诫s的N型單晶硅和輕摻雜的N型單晶硅。步驟S2 :在所述N+襯底的正面外延一 N型層作為FS層。參考圖5，本步驟中采用外延技術(shù)在所述N+襯底的正面外延一層較薄的N型單晶硅，該N型單晶硅在最終所形成的FRD中充當(dāng)FS層，所述FS層能有效地截止電場(chǎng)防止二極管擊穿，同時(shí)存儲(chǔ)電子，增加恢復(fù)曲線(xiàn)的軟度，有效地防止恢復(fù)震蕩。所述FS層的厚度較薄,一般可控制在5 10 μ m之間。步驟S3 :使所述FS層的表面與N-襯底的一個(gè)表面通過(guò)鍵合的方式連接起來(lái)?！版I合”即是將兩個(gè)拋光硅片經(jīng)化學(xué)清洗和活化處理后在室溫下粘貼在一起，再經(jīng)過(guò)高溫退火處理，使鍵合界面發(fā)生物理化學(xué)反應(yīng)，形成強(qiáng)度很大的化學(xué)共價(jià)鍵，從而使兩個(gè)硅片連接形成一個(gè)整體。鍵合后的界面可以承受磨片、拋光和高溫處理等工藝步驟。
該步驟中使所述FS層與N-襯底通過(guò)“鍵合”的方式連接起來(lái)，該步驟又可包括如下幾個(gè)步驟步驟S31 :對(duì)所述FS層的表面進(jìn)行拋光。步驟S32 :對(duì)N-襯底的一個(gè)表面進(jìn)行拋光。步驟S33 :將FS層的拋光面與N-襯底的拋光面貼合在一起。在室溫條件下對(duì)所述FS層的拋光面和N-襯底的拋光面進(jìn)行化學(xué)清洗，之后將FS層的拋光面與N-襯底的拋光面貼合在一起，兩硅片依靠短程的分子間作用力吸合在一起。步驟S34 :對(duì)上述貼合后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理。將步驟S33中貼合在一起的結(jié)構(gòu)置于充滿(mǎn)氮?dú)獾那皇覂?nèi)保持I 3小時(shí)，使FS層的拋光面與N-襯底的拋光面發(fā)生鍵合，從而形成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)，該整體結(jié)構(gòu)示意圖如圖6 所示。所述充滿(mǎn)氮?dú)獾那皇覂?nèi)的溫度為1000°C 1200°C。步驟S4 :對(duì)所述N-襯底進(jìn)行減薄，并在減薄后的N-襯底的表面形成P+層及第一
金屬層。從所述N-襯底裸露的一面起開(kāi)始減薄,減薄后的結(jié)構(gòu)示意圖如圖7所示。由于N-襯底在FRD器件中是作為耐壓層而存在的，故減薄后剩余N-襯底的厚度可視所制作的FRD的耐壓情況而定，如果所制備的FRD需要承受較高的電壓，則需要使減薄后的N-襯底較厚，否則，可以使所述N-襯底較薄。對(duì)N-襯底進(jìn)行減薄后，接著在所述N-襯底表面形成P+層，形成所述P+層的具體工藝過(guò)程如下步驟S41 :在所述減薄后的N-襯底的表面形成屏蔽氧化層。所述屏蔽氧化層可通過(guò)熱氧化生長(zhǎng)的方式來(lái)形成，所述屏蔽氧化層的作用有一、保護(hù)N-襯底表面免受沾污；二、避免后續(xù)注入過(guò)程中對(duì)N-襯底造成過(guò)度損傷；三、作為氧化物屏蔽層，有助于控制后續(xù)注入過(guò)程中雜質(zhì)的注入深度。步驟S42 :通過(guò)光刻、刻蝕工藝在所述屏蔽氧化層中形成有源區(qū)。首先在所述屏蔽氧化層上旋涂光刻膠層；然后采用相應(yīng)的掩膜版(具有有源區(qū)圖案的掩膜版)對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光，之后顯影，在所述屏蔽氧化層上形成具有有源區(qū)圖案的光刻膠層；接著以所述具有有源區(qū)圖案的光刻膠層為掩膜，采用刻蝕工藝在所述屏蔽氧化層中形成有源區(qū)，即刻蝕掉了部分屏蔽氧化層，所刻蝕掉的屏蔽氧化層即對(duì)應(yīng)有源區(qū)的位置。最后去除所述具有有源區(qū)圖案的光刻膠層。步驟S43 :通過(guò)離子注入工藝在所述有源區(qū)內(nèi)形成P+層。通過(guò)離子注入工藝向所述有源區(qū)內(nèi)注入硼離子，從而在有源區(qū)內(nèi)形成了 P+層，參考圖8，所述P+層在FRD器件中作為陽(yáng)極。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明所提供的附圖僅示出了對(duì)應(yīng)有源區(qū)位置的器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，對(duì)于有源區(qū)之外的區(qū)域所對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)在圖中沒(méi)有顯不O步驟S44 :對(duì)所述P+層進(jìn)行退火處理。在高溫(1000°C 1200°C )條件下對(duì)所述P+層進(jìn)行退火處理，退火一方面能夠修復(fù)晶格缺陷，另一方面還能使雜質(zhì)原子移動(dòng)到晶格點(diǎn)，將其激活。參考圖8，P+層形成之后，接著在其表面形成一層氧化層(圖中未示出)，然后在所述氧化層內(nèi)打孔，孔的位置對(duì)應(yīng)P+層的部分區(qū)域，最后在所述氧化層上形成第一金屬層5,所述第一金屬層5將填充滿(mǎn)氧化層內(nèi)部的孔,從而使所述P+層與第一金屬層5相連通。步驟S5 :在所述第一金屬層上形成鈍化層。為了防止所述第一金屬層被氧化，故在所述第一金屬層上形成鈍化層，本實(shí)施例中所述鈍化層為氮化硅層。步驟S6 :對(duì)所述N+襯底的背面進(jìn)行減薄，并在減薄后的N+襯底的背面形成第二
金屬層。本發(fā)明實(shí)施例中所述N+襯底是用來(lái)作為FRD的陰極的。由于所述N+襯底較厚，故需要先對(duì)其進(jìn)行減薄，減薄后可對(duì)其進(jìn)行金屬化處理，參考圖9，在所述N+襯底背面形成
第二金屬層6。 通過(guò)以上描述可知，本發(fā)明所提供的FRD制造方法，采用現(xiàn)有的N-襯底作為FRD器件中的耐壓層，采用現(xiàn)有的N+襯底作為FRD器件的陰極，通過(guò)在所述N+襯底正面外延一N型層作為FS層，然后使所述FS層與N-襯底以鍵合的方式連接成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)(該結(jié)構(gòu)包括N+襯底、FS層和N-襯底)，最后在該整體結(jié)構(gòu)的正面(N-襯底表面)制作P+層(作為FRD的陽(yáng)極)及第一金屬層，在該整體結(jié)構(gòu)的背面(N+襯底背面或表面)制作第二金屬層。該方法不僅可用來(lái)制作耐壓1200V以下的FRD，也可以用來(lái)制作耐壓1200V以上的FRD，因此，適用范圍較寬；再有，該方法中由于只進(jìn)行了一次外延工藝，且所形成的N型外延層是作為FS層的，故該層較薄，因此，可降低制作成本；第三，采用該方法制作出來(lái)的FRD，相比采用擴(kuò)散工藝所形成的FRD要薄，故最終器件的導(dǎo)通壓降小，靜態(tài)功耗也?。坏谒?，采用該方法制作FRD時(shí)，使帶有FS層的N+襯底與N-襯底通過(guò)鍵合的方式連接成了一個(gè)整體結(jié)構(gòu)，該整體結(jié)構(gòu)較厚，故能夠有效地避免因襯底較薄而易于產(chǎn)生碎片的問(wèn)題。需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類(lèi)的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備
所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)......”限定的要素，并不排
除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種快恢復(fù)二極管制造方法，其特征在于，包括 提供一 N+襯底和一 N-襯底； 在所述N+襯底的正面外延一 N型層作為FS層； 使所述FS層的表面與N-襯底的一個(gè)表面通過(guò)鍵合的方式連接起來(lái)； 對(duì)所述N-襯底進(jìn)行減薄，并在減薄后的N-襯底的表面形成P+層及第一金屬層； 對(duì)所述N+襯底的背面進(jìn)行減薄，并在減薄后的N+襯底的背面形成第二金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，使所述FS層的表面與N-襯底的一個(gè)表面通過(guò)鍵合的方式連接起來(lái)，具體包括 對(duì)所述FS層的表面進(jìn)行拋光； 對(duì)N-襯底的一個(gè)表面進(jìn)行拋光； 將FS層的拋光面與N-襯底的拋光面貼合在一起； 對(duì)上述貼合后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)上述貼合后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理，具體包括 將上述貼合后的結(jié)構(gòu)置于充滿(mǎn)氮?dú)獾那皇覂?nèi)保持I 3小時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述充滿(mǎn)氮?dú)獾那皇覂?nèi)的溫度為1000。。 1200。。。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在減薄后的N-襯底的表面形成P+層，具體包括 在所述減薄后的N-襯底的表面形成屏蔽氧化層； 通過(guò)光刻、刻蝕工藝在所述屏蔽氧化層中形成有源區(qū)； 通過(guò)離子注入工藝在所述有源區(qū)內(nèi)形成P+層； 對(duì)所述P+層進(jìn)行退火處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，形成P+層時(shí)所注入的離子為硼離子。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在減薄后的N-襯底的表面形成P+層及第一金屬層之后，還包括 在所述第一金屬層上形成鈍化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述鈍化層為氮化硅層。
9.根據(jù)權(quán)利要求I 8任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述FS層的厚度為5 10 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求I 8任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述N+襯底和N-襯底分別為N+單晶娃和N-單晶娃。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種快恢復(fù)二極管制造方法，該方法包括提供一N+襯底和一N-襯底；在所述N+襯底的正面外延一N型層作為FS層；使所述FS層的表面與N-襯底的一個(gè)表面通過(guò)鍵合的方式連接起來(lái)；對(duì)所述N-襯底進(jìn)行減薄，并在減薄后的N-襯底的表面形成P+層及第一金屬層；對(duì)所述N+襯底的背面進(jìn)行減薄，并在減薄后的N+襯底的背面形成第二金屬層。本發(fā)明所提供的方法可制造不同耐壓范圍的快恢復(fù)二極管，適用范圍較寬；且該方法相比外延工藝來(lái)說(shuō)可降低制作成本，相比擴(kuò)散工藝來(lái)說(shuō)可提高所形成的快恢復(fù)二極管的性能；再有，該方法還能降低工藝過(guò)程中產(chǎn)生碎片的幾率。
文檔編號(hào)H01L21/329GK102832121SQ20111016395
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2011年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月17日
發(fā)明者吳振興, 孫寶剛, 朱陽(yáng)軍, 趙佳, 盧爍今 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所