本實(shí)用新型屬于激光技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)電源的隔離式MOS管驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

在激光技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域中，調(diào)Q原理指的是采用某種方法使諧振腔在泵浦開始時(shí)處于高損耗低Q值狀態(tài)，當(dāng)激光振蕩閾值達(dá)到峰值不發(fā)生振蕩時(shí)，突然使Q值增大，導(dǎo)致激光介質(zhì)增益大大增加，并且以及寬的速度產(chǎn)生振蕩。電光調(diào)Q技術(shù)是利用電光晶體的電光效應(yīng)作為Q開關(guān)的元件，通過(guò)外部電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)電源在電光晶體兩端施加高壓脈沖，從而形成振蕩的激光。

電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)電源是通過(guò)電信號(hào)控制光學(xué)Q開關(guān)的開通與關(guān)斷對(duì)連續(xù)的激光進(jìn)行調(diào)制。根據(jù)加壓方式可以分為升壓式與退壓式。此類電源具有極快的上升沿、高脈沖重復(fù)頻率以及高電壓幅值等特點(diǎn)。因此，該電源應(yīng)具有能夠高效地控制高壓的開通與關(guān)斷的能力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型主要針對(duì)應(yīng)用于電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)電源的隔離式MOS管驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)高低壓的電氣隔離，輸出高電壓幅值、高脈沖頻率的納秒級(jí)脈沖。

本實(shí)用新型使用微處理器MCU1產(chǎn)生PWM調(diào)制信號(hào)2，通過(guò)低壓端驅(qū)動(dòng)電路3控制低壓端MOS管4，經(jīng)隔離驅(qū)動(dòng)感應(yīng)線圈5驅(qū)動(dòng)高壓端的MOS管7，高壓端MOS管7使用一種源漏極能承受的最大電壓大于800V的增強(qiáng)型高壓MOS管，高壓MOS管7數(shù)量大于等于六個(gè)，通過(guò)串聯(lián)形式組成 ，其中；

所述隔離驅(qū)動(dòng)感應(yīng)線圈5為繪制在印刷電路板上下兩面的互感線圈，低壓端為一個(gè)大面積的線圈，高壓端為個(gè)數(shù)與高壓端增強(qiáng)型高壓MOS管7個(gè)數(shù)相同的小面積的線圈，板厚1.2mil或1.6mil，隔離線圈亦可使用一個(gè)大磁環(huán)或與高壓端MOS管7數(shù)量相等小磁環(huán)；低壓端線圈8接有隔直電容和濾波電感，低壓端柵極都接有一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻和一個(gè)反并聯(lián)的二極管；每一個(gè)高壓端線圈9都接有隔直電容和濾波電感；該隔離驅(qū)動(dòng)感應(yīng)線圈5具有空間小，成本低，運(yùn)行穩(wěn)定的特點(diǎn)。

所述每個(gè)串聯(lián)的高壓MOS管7源漏極各并聯(lián)一個(gè)相同阻值的電阻。

所述電路輸出端并聯(lián)幾個(gè)串聯(lián)的大電阻，輸出端正負(fù)極各串聯(lián)若干電阻和高壓電容。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型中隔離驅(qū)動(dòng)感應(yīng)線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖2所示，隔離驅(qū)動(dòng)感應(yīng)線圈5是通過(guò)電路布線在印制電路板上繪制出一定面積的環(huán)路，低壓端為一個(gè)面積比較大的環(huán)路，可為正方形，長(zhǎng)方形或是圓形，一端經(jīng)濾波器連接24V或15V電源，另一端連接低壓MOS管4柵極；高壓端為高壓MOS管7數(shù)量相同的小面積環(huán)路組成，一端連接高壓端驅(qū)動(dòng)電路6來(lái)控制高壓MOS管7柵極，一端連接高壓MOS管7漏極，每一個(gè)環(huán)路相互不重疊、不直接相連，高壓端的所有線圈9按照一定比例間距排列，低壓端線圈8與高壓端線圈9分別位于印制電路板上下兩面的同一位置，電路板上下面線圈所占面積基本相同，不存在電路連接。

增強(qiáng)型高壓MOS管7采用N型MOS管，通過(guò)串聯(lián)形式構(gòu)成，每一個(gè)高壓MOS管源漏極并聯(lián)有一個(gè)或兩個(gè)等阻值的電阻以起到均壓作用，針對(duì)電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)電源在輸出端并聯(lián)大電阻。

以上所述的具體實(shí)施方式，對(duì)本實(shí)用新型專利的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本專利的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本專利，凡在本專利的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本專利的保護(hù)范圍之內(nèi)。