技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種自支撐氮化鎵層及其制備方法，其中，制備方法至少包括如下步驟：提供一襯底；于所述襯底上形成氮化鎵外延層；采用激光刻蝕所述氮化鎵外延層形成圖形化氮化鎵外延層，其中，所述圖形化氮化鎵外延層具有若干個圖形開口；于所述圖形化氮化鎵外延層上形成與所述圖形開口相對應(yīng)的圖形化掩膜層；進行熱生長，使所述圖形化氮化鎵外延層生長，于所述圖形化掩膜層上方形成氮化鎵層，其中，所述氮化鎵層與所述圖形化掩膜層之間形成有若干個孔洞；剝離所述氮化鎵層，以得到所述自支撐氮化鎵層。本發(fā)明對制備工藝要求較低，能夠使氮化鎵層從襯底上自動剝離，從而實現(xiàn)氮化鎵層的快速自剝離，能夠獲得高成品率的自支撐氮化鎵層。

技術(shù)研發(fā)人員：羅曉菊;王穎慧
受保護的技術(shù)使用者：鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.26
技術(shù)公布日：2017.09.22