技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及離子束蝕刻系統(tǒng)，具體而言，公開(kāi)的實(shí)施例涉及用于從襯底去除材料的方法和裝置。在各種實(shí)施方案中，從半導(dǎo)體襯底上的諸如溝槽、孔或柱等先前的蝕刻特征的側(cè)壁上去除導(dǎo)電材料。在實(shí)施本文中的技術(shù)時(shí)，襯底設(shè)置在反應(yīng)腔室中，反應(yīng)腔室被成波紋狀的離子提取板分隔成上方等離子體產(chǎn)生腔室和下方處理腔室，孔隙貫通所述離子提取板。提取板呈波紋狀，使得等離子體鞘遵循提取板的形狀，使得離子以相對(duì)于襯底成角度地進(jìn)入下方處理腔室。如此，在處理期間，離子能夠穿透進(jìn)入先前蝕刻的特征并且在這些特征的側(cè)壁上撞擊襯底。通過(guò)該機(jī)制，可以去除特征的側(cè)壁上的材料。

技術(shù)研發(fā)人員：哈梅特·辛格;亞歷克斯·帕特森
受保護(hù)的技術(shù)使用者：朗姆研究公司
技術(shù)研發(fā)日：2014.07.08
技術(shù)公布日：2017.10.24