本技術(shù)：
屬于半導體器件封裝領(lǐng)域，特別是涉及一種探測器及其封裝方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著紅外成像技術(shù)的發(fā)展，銦鎵砷紅外焦平面作為短波紅外的關(guān)鍵成像器件，其發(fā)展一直被人們重視。然而，傳統(tǒng)的短波紅外金屬封裝，是將玻璃蓋板先和管殼頂板焊接在一起，然后再將管殼頂板和管殼殼體使用平行縫焊的方法焊接到一起。這種方法需要使用兩步焊接，并且需要使用平行縫焊設備，成本較高。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種探測器及其封裝方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
本申請實施例公開一種探測器，包括具有開口的管殼、設于所述管殼內(nèi)的探測器芯片、以及遮蓋于所述開口的光窗蓋板，所述光窗蓋板與所述管殼的接觸面之間通過回熔焊料連接。
優(yōu)選的，在上述的探測器中，所述管殼由一底板和四面圍板構(gòu)成，該底板和圍板圍成放置所述探測器芯片的腔體。
優(yōu)選的，在上述的探測器中，所述光窗蓋板的邊緣凸伸出所述管殼的開口四周。
優(yōu)選的，在上述的探測器中，所述光窗蓋板為玻璃或者石英蓋板。
優(yōu)選的，在上述的探測器中，所述管殼采用金屬材質(zhì)。
優(yōu)選的，在上述的探測器中，所述焊料選自銦、錫、銀、金或其合金。
優(yōu)選的，在上述的探測器中，該探測器為近紅外/短波紅外探測器。
優(yōu)選的，在上述的探測器中，所述探測器芯片選自銦鎵砷芯片、銻化銦芯片、碲鎘汞芯片、銦砷銻芯片、銦砷/鎵銻芯片、或鎵砷/鋁鎵砷芯片。
相應的，本申請還公開了一種探測器的封裝方法，包括：
(1)、在光窗蓋板或管殼開口邊緣沉積焊料；
(2)、使用真空回熔或者充保護氣體回熔的方法將光窗蓋板或管殼焊接在一起。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于：本發(fā)明使用這種石英或者玻璃直接封帽的方法，可以比現(xiàn)有使用平行縫焊等的封裝方式省一步工藝，更為節(jié)省成本。
附圖說明
為了更清楚地說明本申請實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1所示為本發(fā)明具體實施例中探測器封裝的流程示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行詳細的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
本實施例公開了一種探測器，包括具有開口的管殼1、設于管殼1內(nèi)的探測器芯片、以及遮蓋于開口的光窗蓋板2，光窗蓋板2與管殼1的接觸面之間通過回熔焊料3連接。
進一步地，管殼1由一底板和四面圍板構(gòu)成，該底板和圍板圍成放置探測器芯片的腔體。
進一步地，光窗蓋板2的邊緣凸伸出管殼1的開口四周。
在優(yōu)選的實施例中，光窗蓋板2為玻璃或者石英蓋板。
在優(yōu)選的實施例中，管殼1采用金屬材質(zhì)，可以鍍鎳，金等表面涂層。。
在優(yōu)選的實施例中，焊料3選自銦、錫、銀、金或其合金。
在優(yōu)選的實施例中，該探測器為近紅外/短波紅外探測器。探測器芯片選自銦鎵砷芯片、銻化銦芯片、碲鎘汞芯片、銦砷銻芯片、銦砷/鎵銻芯片、或鎵砷/鋁鎵砷芯片。更優(yōu)選的，探測器芯片為銦鎵砷芯片。
結(jié)合圖1所示，探測器的封裝方法包括：
s1、準備玻璃或者石英蓋板
s2、沉積焊料，焊料可以是銦，錫，銀，金等金屬或者它們的合金。
s3、準備探測器器件，管殼；管殼安放探測器可以是單元系列、面陣系列等器件，使用真空回熔或者充保護氣體回熔的方法將玻璃或者石英蓋板和管殼殼體焊接在一起，管殼殼體可以是可伐，不銹鋼等常見的金屬殼體，可以鍍鎳，金等表面涂層。
最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。