本發(fā)明涉及一種解決雙核內(nèi)存芯片長(zhǎng)線甩線和搭線問(wèn)題的方法，屬于芯片處理技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的雙內(nèi)存芯片結(jié)構(gòu)中，雙核內(nèi)存芯片中有兩顆內(nèi)存晶粒，這兩顆晶粒在封裝體內(nèi)是背靠背放置，由于上面芯片的金絲（17.5um）是從中間引線到兩端，長(zhǎng)度約6毫米，在封模時(shí)，會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的甩線和搭線，測(cè)試良率幾乎為零，為了解決這個(gè)問(wèn)題，現(xiàn)在有兩種方案技術(shù)方案：
1、點(diǎn)膠方案：使用膠水固定金絲在封模前固定金絲，該方案需要購(gòu)置點(diǎn)膠設(shè)備（15萬(wàn)美元），烘烤設(shè)備（10萬(wàn)美元）及合適的膠水，不僅生產(chǎn)成本增加兩倍以上，生產(chǎn)周期增多一天，而且存在搭線和內(nèi)部空洞風(fēng)險(xiǎn)。
2、rdl方案：該方案是將晶粒上的焊線窗通過(guò)晶圓制成引到兩端，從而將金絲的長(zhǎng)度從6毫米減少到1.5毫米左右，該方案屬于晶圓級(jí)制成，投資是十多億美元，而且技術(shù)和環(huán)境等因素限制，很多公司沒(méi)法完成，只能外包，單顆生產(chǎn)成本增加20倍以上。
為此本案提出一種方案，可以解決甩線和搭線問(wèn)題，并通過(guò)可靠性驗(yàn)證，該方案的成本增加僅僅10%。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于克服上述的不足，提供解決雙核內(nèi)存芯片長(zhǎng)線甩線和搭線問(wèn)題的方法。
本發(fā)明的解決雙核內(nèi)存芯片長(zhǎng)線甩線和搭線問(wèn)題的方法，所述方法為：
在雙核內(nèi)存芯片的上層晶粒dram2的左端和右端各增加一顆微米鏡面假片，分別為mirrordie1和mirrordie2，金絲接入微米鏡面假片，使得金絲穿過(guò)mirrordie1進(jìn)入上層晶粒dram2，在從上層晶粒dram2中穿過(guò)mirrordie2，從而縮短金絲長(zhǎng)度；
在所述的微米鏡面假片和上層晶粒dram2之間通過(guò)fow果凍膠連接，使得金絲鑲嵌在fow果凍膠中，加熱fow果凍膠以固化金絲；
加熱fow果凍膠后，金絲被固化在fow果凍膠中，并在多根金絲之間形成絕緣層。
本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明解決了雙核內(nèi)存芯片長(zhǎng)線的甩線和搭線問(wèn)題，并通過(guò)可靠性驗(yàn)證，低于市面上其他的方案成本，方案的成本增加僅僅10%，并且避免使用現(xiàn)存的點(diǎn)膠設(shè)計(jì)產(chǎn)生的內(nèi)部空洞。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
本發(fā)明的解決雙核內(nèi)存芯片長(zhǎng)線甩線和搭線問(wèn)題的方法，所述方法為：
在雙核內(nèi)存芯片的上層晶粒dram2的左端和右端各增加一顆微米鏡面假片，分別為mirrordie1和mirrordie2，金絲接入微米鏡面假片，使得金絲穿過(guò)mirrordie1進(jìn)入上層晶粒dram2，在從上層晶粒dram2中穿過(guò)mirrordie2，從而縮短金絲長(zhǎng)度；
在所述的微米鏡面假片和上層晶粒dram2之間通過(guò)fow果凍膠連接，使得金絲鑲嵌在fow果凍膠中，加熱fow果凍膠以固化金絲；
加熱fow果凍膠后，金絲被固化在fow果凍膠中，并在多根金絲之間形成絕緣層。