本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種白色太陽能電池的制備方法。
背景技術(shù)：
晶體硅太陽能電池在光伏電池中的市場(chǎng)份額保持在90％左右，占據(jù)著整個(gè)光伏產(chǎn)業(yè)的主導(dǎo)，而硅片成本是電池成本的60％～70％，因此降低硅片制造成本是世界眾多光伏研究機(jī)構(gòu)和制造企業(yè)研究的熱點(diǎn)。
目前市場(chǎng)上所有晶硅太陽電池皆為藍(lán)色，即便有開發(fā)過紅、橙、綠等色的彩色電池，但都在減反膜厚度上做變化產(chǎn)生，因此需要犧牲光電轉(zhuǎn)換效率，無量產(chǎn)的經(jīng)濟(jì)性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種白色太陽能電池的制備方法，所述方法包括如下步驟：
硅片正、背面制絨；
對(duì)制絨后的硅片進(jìn)行磷擴(kuò)散，形成pn結(jié)；
對(duì)磷擴(kuò)散處理后的硅片進(jìn)行磷玻璃去除及削邊；
在磷玻璃去除及削邊后的硅片正面蒸鍍金屬mg；
在蒸鍍金屬mg后的硅片正面ag電極印刷；
對(duì)正面ag電極印刷后的硅片進(jìn)行一次烘干及mg氧化；
在烘干及mg氧化后的硅片背面al背場(chǎng)印刷；
對(duì)背面al背場(chǎng)印刷后的硅片進(jìn)行二次烘干及mg氧化；
在二次烘干及mg氧化后的硅片背面ag電極印刷；
對(duì)背面ag電極印刷后的硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)及mg氧化，形成mgo膜。
優(yōu)選的，所述磷擴(kuò)散采用的方阻值為100-120歐姆/sq。
優(yōu)選的，所述硅片正面蒸鍍金屬mg采用熱蒸鍍機(jī)高真空蒸鍍，加熱器加熱mg金屬錠到升華溫度為433℃，腔體的真空度必先達(dá)到10-4～10-5pa的高真空，mg金屬錠用量根據(jù)mg錠與硅片距離及所要蒸鍍的mg厚度設(shè)定，以保障mg分子或原子到達(dá)被鍍硅片的距離小于鍍膜腔體內(nèi)殘余分子的平均自由程，保證mg金屬純凈牢固。
優(yōu)選的，所述硅片正面蒸鍍金屬mg，硅片為p型單晶或多晶6吋硅片，比電阻1.5ω-cm，蒸鍍厚度為200mm。
優(yōu)選的，所述一次烘干及mg氧化和二次烘干及mg氧化的烘干溫度均為150℃，所述一次烘干及mg氧化和二次烘干及mg氧化后硅片的少子壽命均為13～15μs。
優(yōu)選的，所述高溫?zé)Y(jié)及mg氧化的溫度為850-900℃，所述高溫?zé)Y(jié)及mg氧化后硅片的少子壽命為30～35μs。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：
本發(fā)明由高真空蒸鍍的mgo膜作為減反膜代替?zhèn)鹘y(tǒng)pecvd方式生產(chǎn)的sinx膜，表面復(fù)合減少，燒結(jié)后的ag/mg/si電極有低的接觸電阻，進(jìn)而提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率，技術(shù)成本低，工藝簡(jiǎn)單可行，可大批量生產(chǎn)。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一種白色太陽能電池的制備方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：一種白色太陽能電池的制備方法，所述方法包括如下步驟：
s1、硅片正、背面制絨，形成絨面，可以降低表面反射率，增加光的利用率；
s2、對(duì)制絨后的硅片進(jìn)行磷擴(kuò)散，形成pn結(jié)，磷擴(kuò)散采用的方阻值為100歐姆/sq；
s3、對(duì)磷擴(kuò)散處理后的硅片進(jìn)行磷玻璃去除及削邊；
s4、在磷玻璃去除及削邊后的硅片正面蒸鍍金屬mg，采用熱蒸鍍機(jī)高真空蒸鍍，加熱器加熱mg金屬錠到升華溫度為433℃，腔體的真空度必先達(dá)到10-4～10-5pa的高真空，mg金屬錠用量根據(jù)mg錠與硅片距離及所要蒸鍍的mg厚度設(shè)定，以保障mg分子或原子到達(dá)被鍍硅片的距離小于鍍膜腔體內(nèi)殘余分子的平均自由程，保證mg金屬純凈牢固，硅片為p型單晶或多晶6吋硅片，比電阻1.5ω-cm，蒸鍍厚度為200mm；
s5、在蒸鍍金屬mg后的硅片正面ag電極印刷；
s6、對(duì)正面ag電極印刷后的硅片進(jìn)行一次烘干及mg氧化，烘干溫度為150℃，硅片的少子壽命為13μs；
s7、在烘干及mg氧化后的硅片背面al背場(chǎng)印刷；
s8、對(duì)背面al背場(chǎng)印刷后的硅片進(jìn)行二次烘干及mg氧化，烘干溫度為150℃，硅片的少子壽命為13μs；
s9、在二次烘干及mg氧化后的硅片背面ag電極印刷；
s10、對(duì)背面ag電極印刷后的硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)及mg氧化，形成mgo膜，燒結(jié)溫度為870℃，硅片的少子壽命為32μs。
本發(fā)明由高真空蒸鍍的mgo膜作為減反膜代替?zhèn)鹘y(tǒng)pecvd方式生產(chǎn)的sinx膜，相比傳統(tǒng)太陽能電池中，ag電極和接觸的si有高的勢(shì)壘高度，磷擴(kuò)散采用的方阻值100歐姆/sq為輕摻雜，表面復(fù)合減少，燒結(jié)后的ag/mg/si電極有低的接觸電阻，進(jìn)而提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率，技術(shù)成本低，工藝簡(jiǎn)單可行，可大批量生產(chǎn)。
在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“同軸”、“底部”、“一端”、“頂部”、“中部”、“另一端”、“上”、“一側(cè)”、“頂部”、“內(nèi)”、“前部”、“中央”、“兩端”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“設(shè)置”、“連接”、“固定”、“旋接”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。