技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及制造方法，所述半導(dǎo)體器件包括有源區(qū)域和終端區(qū)域；所述有源區(qū)域包括外延層和在所述外延層上形成的N型區(qū)域；所述N型區(qū)域上光刻有多個(gè)溝槽結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中半導(dǎo)體器件及制造方法，有效降低現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵肖特基二極管的導(dǎo)通壓降，其外延工藝簡(jiǎn)單，精度易于控制；可以實(shí)現(xiàn)器件終端耐壓大于元胞電壓，增強(qiáng)了器件的魯棒性。

技術(shù)研發(fā)人員：單亞?wèn)|;謝剛;張偉;李一枝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.12
技術(shù)公布日：2017.09.22