技術特征：

技術總結
本發(fā)明提供一種半導體器件制備方法，利用鰭形溝道結構中摻雜層和非摻雜層的濕法蝕刻速度的差異，蝕刻去除柵極底部結構形成懸空于半導體襯底上方的溝道，形成全包圍的柵極結構，在以鰭式場效應晶體管為半導體基體的結構中有效地抑制了短溝道效應、漏場和穿通的問題，提高了半導體器件的性能。

技術研發(fā)人員：黃秋銘
受保護的技術使用者：上海華力微電子有限公司
技術研發(fā)日：2017.05.08
技術公布日：2017.08.18