技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種高功率PiN二極管及其制備方法，所述制備方法包括：選取SOI襯底；刻蝕SOI襯底以在待制備的PiN二極管兩側(cè)形成第一有源區(qū)溝槽和第二有源區(qū)溝槽；在第一有源區(qū)溝槽和第二有源區(qū)溝槽的第一指定區(qū)域分別形成第一P區(qū)和第二P區(qū)；在第一有源區(qū)溝槽和第二有源區(qū)溝槽的第二指定區(qū)域分別形成第一N區(qū)和第二N區(qū)；對包括SOI襯底、第一P區(qū)、第二P區(qū)、第一N區(qū)及第二N區(qū)的整個器件進行表面平整化處理；在第一有源區(qū)溝槽和第二有源區(qū)溝槽的第三指定區(qū)域制作引線以完成所述PiN二極管的制備。本發(fā)明提供的高功率PiN二極管，采用兩層溝槽設(shè)計，本征區(qū)內(nèi)的載流子分布更加均勻，極大地改善了器件性能。

技術(shù)研發(fā)人員：王斌;史小衛(wèi);李露;蘇漢;胡輝勇;舒斌;宣榮喜
受保護的技術(shù)使用者：西安電子科技大學
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.05
技術(shù)公布日：2017.07.07