本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法。

背景技術(shù)：

oled(organiclight-emittingdiode,有機(jī)發(fā)光二極管)是近年來逐漸發(fā)展起來的顯示照明技術(shù)，尤其在顯示行業(yè)，由于其具有高響應(yīng)、高對比度、可柔性化等優(yōu)點(diǎn)，被視為擁有廣泛的應(yīng)用前景。尤其是頂發(fā)射oled器件，由于具有更高的開口率，和利用微腔效應(yīng)實(shí)現(xiàn)光取出優(yōu)化等優(yōu)點(diǎn)，成為研究的主要方向。由于采用的是頂發(fā)射結(jié)構(gòu)，因此要求作為出光面oled的頂電極必須具備良好的光透過率。目前，頂發(fā)射透明電極使用的多為薄金屬、ito、izo等材料，其中金屬由于透過率較差，薄化后作為大面積電極使用容易造成電阻增大，不利于大尺寸器件的開發(fā)。ito、izo等透明度高的材料，本身的導(dǎo)電性能弱于金屬，因此現(xiàn)有技術(shù)中，將金屬作為輔助電極，采用光刻的方法制作在非發(fā)光區(qū)域，提高頂電極的整體導(dǎo)電性，達(dá)到降低電阻的作用。但是這種光刻技術(shù)需要復(fù)雜的工藝，涉及多道掩膜板和曝光工序，而且由于其需要高溫、光刻膠沖刷等工藝特點(diǎn)須避免對oled器件發(fā)光層的損害，不適合作為量產(chǎn)手段。

轉(zhuǎn)印技術(shù)由于可以做到精確圖案印刷，方法簡單，作為一種新型的技術(shù)收到業(yè)界的青睞，金屬電路的制作可采用轉(zhuǎn)印技術(shù)，通常方法是將金屬膜制作在平面脫膜層上，再將涂布電路分布圖案的粘性膠材的電路板與金屬層對合，分離后使金屬從脫膜層上剝離，以電路圖案的形狀粘結(jié)在電路板上，達(dá)到轉(zhuǎn)印金屬電路的效果，但是此種方案容易發(fā)生金屬膜的片狀剝離，造成多余的金屬粘連，也是急需解決的技術(shù)問題。

此外，還需考慮接觸電阻的問題。由于透明電極多為銦鋅、銦錫的氧化物，其成膜過程中會(huì)產(chǎn)生氧或添加氧輔助成膜，使輔助電極表面產(chǎn)生氧化物絕緣層，導(dǎo)致導(dǎo)體接觸的不連續(xù)性，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)附加電阻，即接觸電阻。接觸電阻越高，造成的壓降越大，釋放的能量越多，會(huì)造成器件變暗，溫度上升至一定極限，甚至?xí)霈F(xiàn)接觸點(diǎn)損壞。減少接觸電阻的主要方法有改善接觸面材料和增大接觸面積，其中，改善接觸面材料往往引入更貴重材料，增加成本。因此，增大頂電極與輔助電極的接觸面積應(yīng)是主要考慮的對象。

因此，設(shè)計(jì)一種新的金屬輔助電極的制作方法是目前亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的目的在于提供一種金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法，進(jìn)而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個(gè)或者多個(gè)問題。

本公開的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過下面的詳細(xì)描述變得清晰，或者部分地通過本公開的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)本公開的第一方面，提供一種顯示器件的金屬輔助電極的制造方法，包括：

在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個(gè)凹槽；以及

通過轉(zhuǎn)印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述凹槽形狀為矩形、倒梯形或半圓形。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述凹槽的深度為所述像素界定層高度的20％-50％。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述凹槽為兩個(gè)。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述通過轉(zhuǎn)印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極包括：

在第一平面載臺(tái)上涂布膠黏劑，將所述像素界定層的頂部放置在第一平面載臺(tái)上，使所述像素界定層的頂部粘有膠黏劑；

在第二平面載臺(tái)上制作脫膜層，在脫膜層上制作薄金屬層，將粘有膠黏劑的所述像素界定層的頂部與薄金屬層對合，并施加壓力，使薄金屬層粘結(jié)在所述像素界定層的頂部；以及

使薄金屬層與脫膜層分離。

根據(jù)本公開的第二方面，提供一種顯示器件的制造方法，包括：

在基板上形成tft和像素界定層；

在所述像素界定層的頂部形成至少一個(gè)凹槽；

在所述tft上形成發(fā)光層；

通過轉(zhuǎn)印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極；以及

在所述顯示器件表面上形成頂電極。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述通過轉(zhuǎn)印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極包括：

在第一平面載臺(tái)上涂布膠黏劑，將所述像素界定層的頂部放置在第一平面載臺(tái)上，使所述像素界定層的頂部粘有膠黏劑；

在第二平面載臺(tái)上制作脫膜層，在脫膜層上制作薄金屬層，將粘有膠黏劑的所述像素界定層的頂部與薄金屬層對合，并施加壓力，使薄金屬層粘結(jié)在所述像素界定層的頂部；以及

使薄金屬層與脫膜層分離。

根據(jù)本公開的第三方面，提供一種顯示器件的制造方法，包括：

在基板上形成tft和像素界定層；

在所述像素界定層的頂部形成至少一個(gè)凹槽；

通過轉(zhuǎn)印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極；

在所述tft上形成發(fā)光層；以及

在所述顯示器件表面上形成頂電極。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，在所述形成金屬輔助電極之后、所述形成發(fā)光層之前，使用激光照射所述金屬輔助電極。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述顯示器件為有機(jī)電致發(fā)光顯示器件。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施方式，在金屬輔助電極的制造中通過凹槽結(jié)構(gòu)可以有效的增大金屬輔助電極與頂電極接觸面積，減小接觸電阻，提高電極導(dǎo)電性能。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施方式，通過轉(zhuǎn)印的方法形成金屬輔助電極可以簡化工藝流程，減少生產(chǎn)成本，并保證了實(shí)施效果。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施方式，在使用金屬輔助電極的顯示器件的制造中，通過在所述形成金屬輔助電極之后、所述形成發(fā)光層之前，使用激光照射所述金屬輔助電極，可以去除金屬表面的有機(jī)物，并可使金屬熔化流平，去除翹曲，以固定在凹槽內(nèi)。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)描述其示例實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它目標(biāo)、特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見。

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的顯示器件的金屬輔助電極的制造方法的流程圖。

圖2示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法的工藝流程示意圖。

圖3示出根據(jù)本公開另一示例實(shí)施方式的雙凹槽結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的顯示器件的制造方法的流程圖。

圖5示出根據(jù)本公開另一示例實(shí)施方式的顯示器件的制造方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例；所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對本公開的實(shí)施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，可以實(shí)踐本公開的技術(shù)方案而省略所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。

需要指出的是，在附圖中，為了圖示的清晰可能會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸。而且可以理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀睍r(shí)，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中間的層。另外，可以理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印跋隆睍r(shí)，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一個(gè)以上的中間的層或元件。另外，還可以理解，當(dāng)層或元件被稱為在兩層或兩個(gè)元件“之間”時(shí)，它可以為兩層或兩個(gè)元件之間唯一的層，或還可以存在一個(gè)以上的中間層或元件。通篇相似的參考標(biāo)記指示相似的元件。

本公開提供一種金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法。顯示器件的金屬輔助電極的制造方法包括：在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個(gè)凹槽；以及通過轉(zhuǎn)印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。顯示器件的制造方法，包括：在基板上形成tft和像素界定層；在所述像素界定層的頂部形成至少一個(gè)凹槽；在所述tft上形成發(fā)光層；通過轉(zhuǎn)印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極；以及在所述顯示器件表面上形成頂電極。在金屬輔助電極的制造中通過凹槽結(jié)構(gòu)可以有效的增大金屬輔助電極與頂電極接觸面積，減小接觸電阻，提高電極導(dǎo)電性能；通過轉(zhuǎn)印的方法形成金屬輔助電極可以簡化工藝流程；此外，通過在所述形成金屬輔助電極之后、所述形成發(fā)光層之前，使用激光照射所述金屬輔助電極，可以去除金屬表面的有機(jī)物，并可使金屬熔化流平，去除翹曲，以固定在凹槽內(nèi)。

下面結(jié)合附圖對本公開的金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法進(jìn)行具體說明，其中，圖1示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的顯示器件的金屬輔助電極的制造方法的流程圖；圖2示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法的工藝流程示意圖；圖3示出根據(jù)本公開另一示例實(shí)施方式的雙凹槽結(jié)構(gòu)示意圖；圖4示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的顯示器件的制造方法的流程圖；圖5示出根據(jù)本公開另一示例實(shí)施方式的顯示器件的制造方法的流程圖。

首先結(jié)合圖1-2就顯示器件的金屬輔助電極的制造方法的進(jìn)行詳細(xì)說明。

圖1示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的顯示器件的金屬輔助電極的制造方法的流程圖；圖2示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法的工藝流程示意圖。其中所述金屬輔助電極的制造方法可應(yīng)用于頂發(fā)射的顯示器件的制造以保證在頂電極具備良好的光透過率的同時(shí)也具有很好的導(dǎo)電性能，但本發(fā)明不限于此，也可以應(yīng)用于其他光出射方式如底發(fā)射的顯示器件的制造；所述顯示器件可為有機(jī)電致發(fā)光顯示器件即oled器件，但本發(fā)明不限于此，也可以為其他類型的顯示器件。

在s102，在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個(gè)凹槽。

其中，顯示器件的像素界定層通常采用常用光阻膠材料，通過曝光顯影等工藝形成，但本發(fā)明不限于此，也可以采用其他不透光的有機(jī)或無機(jī)材料形成；所述在像素界定層的頂部所開至少一個(gè)凹槽，可通過光刻和激光照射的方式形成，凹槽形狀可為矩形、倒梯形、半圓形等，凹槽深度可為像素界定層高度的20％-50％，但本發(fā)明不限于此，也可以根據(jù)增大接觸面積的需要選擇合適的深度。

在s104，通過轉(zhuǎn)印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。

通過轉(zhuǎn)印形成金屬輔助電極的具體方法結(jié)合圖2如下所示：在第一平面載臺(tái)上涂布膠黏劑，將像素界定層頂部放置在第一平面載臺(tái)上，使像素界定層頂部粘有膠黏劑；在第二平面載臺(tái)上制作脫膜層，在脫膜層上制作薄金屬層，將粘有膠黏劑的像素界定層與薄金屬層對合，并施加壓力，使薄金屬層粘結(jié)在像素界定層頂部，之后與脫膜層分離，完成輔助金屬電極轉(zhuǎn)印。

其中，所述膠黏劑，材料可為含有丙烯酸樹脂或蜜胺樹脂等成分的環(huán)氧系材料接著劑；通過滾輪或刮涂的方式均勻的涂布在第一平面載臺(tái)上，膠黏劑厚度應(yīng)與像素界定層的凹槽深度相同；所述脫膜層，可為氟樹脂、烯烴樹脂、聚乙烯醇樹脂等與金屬接著性較差的材料，通過噴涂等方式制作在第二平面載臺(tái)上；所述第一平面載臺(tái)和第二平面載臺(tái)，材料可為玻璃、金屬、陶瓷、塑料等；要求表面光滑，水平高度均一性在0.5％以內(nèi)；所述第一平面載臺(tái)表面應(yīng)做疏水性處理，所述第二平面載臺(tái)表面應(yīng)做親水性處理，以保證膠黏劑和脫模層的附著；所述薄金屬層，材料可為al、mg、ag等常用金屬電極材料，通過蒸鍍或?yàn)R鍍的方式，在脫膜層上形成50nm-200nm的薄膜。

在本示例實(shí)施方式中，通過轉(zhuǎn)印的方法在形成有至少一個(gè)凹槽的像素界定層的頂部形成金屬輔助電極，可以有效的增大金屬輔助電極與頂電極接觸面積，減小接觸電阻，提高電極導(dǎo)電性能；同時(shí)還可以簡化工藝流程，減少生產(chǎn)成本，并保證了實(shí)施效果；此外，還可以避免現(xiàn)有的轉(zhuǎn)印金屬電路的技術(shù)方案中容易發(fā)生的金屬膜的片狀剝離，造成多余的金屬粘連的技術(shù)問題。

據(jù)本公開的一實(shí)施方式，所述凹槽可為兩個(gè)或兩個(gè)以上，以進(jìn)一步增大金屬輔助電極與頂電極接觸的面積，減小接觸電阻，提高電極導(dǎo)電性能。圖3示出了頂部具有雙凹槽結(jié)構(gòu)的顯示器件的像素界定層的示意圖。

下面結(jié)合圖2、4就采用前述的金屬輔助電極的制造方法來制造顯示器件進(jìn)行詳細(xì)說明。

圖4示出根據(jù)本公開一示例實(shí)施方式的顯示器件的制造方法的流程圖。其中所述顯示器件的制造方法可應(yīng)用于頂發(fā)射的顯示器件的制造以保證在頂電極具備良好的光透過率的同時(shí)也具有很好的導(dǎo)電性能，但本發(fā)明不限于此，也可以應(yīng)用于其他光出射方式如底發(fā)射的顯示器件的制造；所述顯示器件可為有機(jī)電致發(fā)光顯示器件即oled器件，但本發(fā)明不限于此，也可以為其他類型的顯示器件。

在s402，在基板上形成tft和像素界定層。其中，在顯示器件的基板上以傳統(tǒng)方式形成tft即薄膜晶體管各層結(jié)構(gòu)；而顯示器件的像素界定層通常采用常用光阻膠材料，通過曝光顯影等工藝形成，但本發(fā)明不限于此，也可以采用其他不透光的有機(jī)或無機(jī)材料形成。

在s404，在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個(gè)凹槽。

其中，所述在顯示器件的像素界定層的頂部所開至少一個(gè)凹槽，可通過光刻和激光照射的方式形成，凹槽形狀可為矩形、倒梯形、半圓形等，凹槽深度可為像素界定層高度的20％-50％，但本發(fā)明不限于此，也可以根據(jù)增大接觸面積的需要選擇合適的深度。所述凹槽可為兩個(gè)(如圖3所示)或兩個(gè)以上，以進(jìn)一步增大金屬輔助電極與頂電極接觸的面積，減小接觸電阻，提高電極導(dǎo)電性能。

在s406，在所述tft上形成發(fā)光層。發(fā)光層通常包括多個(gè)發(fā)光功能層，各發(fā)光功能層的形成方式以有機(jī)電致發(fā)光顯示器件即oled器件的發(fā)光功能層為例，可通過蒸鍍、噴墨打印等方式形成。

在s408，通過轉(zhuǎn)印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。

其中，通過轉(zhuǎn)印形成金屬輔助電極的具體方法結(jié)合圖2如下所示：在第一平面載臺(tái)上涂布膠黏劑，將像素界定層頂部放置在第一平面載臺(tái)上，使像素界定層頂部粘有膠黏劑；在第二平面載臺(tái)上制作脫膜層，在脫膜層上制作薄金屬層，將粘有膠黏劑的像素界定層與薄金屬層對合，并施加壓力，使薄金屬層粘結(jié)在像素界定層頂部，之后與脫膜層分離，完成輔助金屬電極轉(zhuǎn)印。

在本示例實(shí)施方式中，通過轉(zhuǎn)印的方法在形成有至少一個(gè)凹槽的像素界定層的頂部形成金屬輔助電極，可以有效的增大金屬輔助電極與頂電極接觸面積，減小接觸電阻，提高電極導(dǎo)電性能；同時(shí)還可以簡化工藝流程，減少生產(chǎn)成本，并保證了實(shí)施效果；此外，還可以避免現(xiàn)有的轉(zhuǎn)印金屬電路的技術(shù)方案中容易發(fā)生的金屬膜的片狀剝離，造成多余的金屬粘連的技術(shù)問題。

在s410，在所述顯示器件表面上形成頂電極，完成器件結(jié)構(gòu)。所述頂電極可為透明頂電極，材料可為ito(氧化銦錫)、izo(氧化銦鋅)等材料，通過物理氣相沉積(pvd)的方式制作在顯示器件表面。

圖5示出根據(jù)本公開另一示例實(shí)施方式的顯示器件的制造方法的流程圖。

在本公開前述的示例實(shí)施方式的顯示器件的制造方法中金屬輔助電極轉(zhuǎn)印過程是在發(fā)光功能層制作之后完成的；但是同樣的，在本公開另一示例實(shí)施方式中，金屬輔助電極轉(zhuǎn)印過程也可在發(fā)光功能層制作之前完成，再使用激光照射去除金屬表面的有機(jī)物，并可使金屬熔化流平，去除翹曲，以固定在凹槽內(nèi)。下面結(jié)合圖5進(jìn)行詳細(xì)說明。

在s502，在基板上形成tft和像素界定層。其中，在顯示器件的基板上以傳統(tǒng)方式形成tft即薄膜晶體管各層結(jié)構(gòu)；而顯示器件的像素界定層通常采用常用光阻膠材料，通過曝光顯影等工藝形成，但本發(fā)明不限于此，也可以采用其他不透光的有機(jī)或無機(jī)材料形成。

在s504，在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個(gè)凹槽。

其中，所述在顯示器件的像素界定層的頂部所開至少一個(gè)凹槽，可通過光刻和激光照射的方式形成，凹槽形狀可為矩形、倒梯形、半圓形等，凹槽深度可為像素界定層高度的20％-50％，但本發(fā)明不限于此，也可以根據(jù)增大接觸面積的需要選擇合適的深度。所述凹槽可為兩個(gè)(如圖3所示)或兩個(gè)以上，以進(jìn)一步增大金屬輔助電極與頂電極接觸的面積，減小接觸電阻，提高電極導(dǎo)電性能。

在s506，通過轉(zhuǎn)印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。

其中，通過轉(zhuǎn)印形成金屬輔助電極的具體方法結(jié)合圖2如下所示：在第一平面載臺(tái)上涂布膠黏劑，將像素界定層頂部放置在第一平面載臺(tái)上，使像素界定層頂部粘有膠黏劑；在第二平面載臺(tái)上制作脫膜層，在脫膜層上制作薄金屬層，將粘有膠黏劑的像素界定層與薄金屬層對合，并施加壓力，使薄金屬層粘結(jié)在像素界定層頂部，之后與脫膜層分離，完成輔助金屬電極轉(zhuǎn)印。

在此需要特別說明的是，在本示例實(shí)施方式中，金屬輔助電極轉(zhuǎn)印過程是在發(fā)光功能層制作之前完成的，因此需要使用激光照射去除金屬表面的有機(jī)物，并且使用激光照射還可使金屬熔化流平，去除翹曲，以更好地固定在凹槽內(nèi)。

在s508，在所述tft上形成發(fā)光層。發(fā)光層通常包括多個(gè)發(fā)光功能層，各發(fā)光功能層的形成方式以有機(jī)電致發(fā)光顯示器件即oled器件的發(fā)光功能層為例，可通過蒸鍍、噴墨打印等方式形成。

在s510，在所述顯示器件表面上形成頂電極，完成器件結(jié)構(gòu)。所述頂電極可為透明頂電極，材料可為ito(氧化銦錫)、izo(氧化銦鋅)等材料，通過物理氣相沉積(pvd)的方式制作在顯示器件表面。

綜上所述，根據(jù)本公開的一些實(shí)施方式，在金屬輔助電極的制造中通過凹槽結(jié)構(gòu)可以有效的增大金屬輔助電極與頂電極接觸面積，減小接觸電阻，提高電極導(dǎo)電性能。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施方式，通過轉(zhuǎn)印的方法形成金屬輔助電極可以簡化工藝流程，減少生產(chǎn)成本，并保證了實(shí)施效果。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施方式，在使用金屬輔助電極的顯示器件的制造中，通過在所述形成金屬輔助電極之后、所述形成發(fā)光層之前，使用激光照射所述金屬輔助電極，可以去除金屬表面的有機(jī)物，并可使金屬熔化流平，去除翹曲，以固定在凹槽內(nèi)。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實(shí)踐這里公開的發(fā)明后，將容易想到本發(fā)明的其它實(shí)施方案。本申請旨在涵蓋本發(fā)明的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本發(fā)明的一般性原理并包括本發(fā)明未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識或慣用技術(shù)手段。說明書和實(shí)施例僅被視為示例性的，本發(fā)明的真正范圍和精神由下面的權(quán)利要求指出。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu)，并且可以在不脫離其范圍進(jìn)行各種修改和改變。本發(fā)明的范圍僅由所附的權(quán)利要求來限制。