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硅碳負(fù)極材料的制備方法及采用該方法制備得到的硅碳負(fù)極材料與流程

文檔序號(hào):12737646閱讀:533來(lái)源:國(guó)知局

本發(fā)明屬于儲(chǔ)能材料技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種硅碳負(fù)極材料的制備方法及采用該方法制備得到的硅碳負(fù)極材料。



背景技術(shù):

鋰離子電池以其比能量大、工作電壓高、自放電率小、體積小、重量輕等優(yōu)勢(shì),自其誕生以來(lái),便給儲(chǔ)能領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的變化,被廣泛應(yīng)用于各種便攜式電子設(shè)備和電動(dòng)汽車(chē)中。然而隨著人們生活水平的提高,更高的用戶體驗(yàn)對(duì)鋰離子電池提出了更高的要求:質(zhì)量更輕、使用時(shí)間更長(zhǎng)等;為了解決上述問(wèn)題必須尋找新的性能更加優(yōu)異的電極材料。

目前商業(yè)化的鋰離子電池負(fù)極材料主要為石墨,但因其理論容量?jī)H為372mAh·g-1,已不能滿足用戶的迫切需求;因此,更高比容量的負(fù)極材料的開(kāi)發(fā)迫在眉睫。作為鋰離子電池負(fù)極材料,硅材料一直備受關(guān)注。其理論容量為4200mAh·g-1,是已商業(yè)化的石墨容量的10倍以上。且具有低的嵌鋰電位、低原子重量、高能量密度、價(jià)格較便宜、環(huán)境友好等優(yōu)勢(shì),因此是新一代高容量負(fù)極材料的最優(yōu)選擇之一。

但是由于硅材料本身導(dǎo)電性能差、且充放電過(guò)程中體積膨脹大而容易造成材料結(jié)構(gòu)破壞和機(jī)械粉碎,導(dǎo)致其循環(huán)性能衰減快,限制了其更廣泛的應(yīng)用。為了解決上述問(wèn)題,現(xiàn)有技術(shù)主要有硅顆粒納米化、或者在硅碳負(fù)極材料表面進(jìn)行包覆,在限制材料體積膨脹的同時(shí),還能阻隔硅基材料與電解液直接接觸,從而在改善電池循環(huán)性能的同時(shí),減少充放電過(guò)程中硅基材料與電解液之間的副反應(yīng)。

由于石墨烯材料具有獨(dú)特的柔性二維平面結(jié)構(gòu),其本身是一種優(yōu)良的包覆材料,可以包覆于硅碳負(fù)極材料的表面。但是其二維片層結(jié)構(gòu)對(duì)離子在硅碳負(fù)極顆粒內(nèi)外傳輸過(guò)程中具有明顯的阻礙作用,從而影響到硅碳材料動(dòng)力學(xué)性能的發(fā)揮。

有鑒于此,確有必要提出一種硅碳負(fù)極材料的制備方法及采用該方法制備得到的硅碳負(fù)極材料,既可發(fā)揮出石墨烯的最大優(yōu)勢(shì),又能避免其對(duì)硅碳材料表面包覆后影響離子在硅碳材料內(nèi)外的傳輸。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,而提供的一種硅碳負(fù)極材料及其制備方法,所述硅碳負(fù)極材料包括核結(jié)構(gòu)和殼結(jié)構(gòu),所述殼結(jié)構(gòu)均勻包覆于所述核結(jié)構(gòu)表面,所述殼結(jié)構(gòu)厚度為h,h≤100nm。所述硅碳負(fù)極材料制備方法包括:步驟1,配制含有石墨烯的包覆層漿料,噴霧進(jìn)入包覆室,并使得形成的顆粒帶有電荷,且每個(gè)顆粒的帶電量為Q1;步驟2,將核結(jié)構(gòu)組分噴入包覆室,并使得其表面帶有與步驟1所述顆粒相反的電荷,且每個(gè)顆粒的帶電量為Q2;步驟3,包覆反應(yīng):調(diào)節(jié)包覆室內(nèi)的氣流,使得步驟1的顆粒均勻的包覆于步驟2所述的核結(jié)構(gòu)表面;步驟4,進(jìn)行后處理得到成品硅碳顆粒;制備得到的硅碳負(fù)極材料具有非常薄的包覆層,因此其對(duì)離子傳輸?shù)淖璧K作用較低,得到的硅碳材料具有優(yōu)良的電化學(xué)性能。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:

一種硅碳負(fù)極材料制備方法包括:主要包括如下步驟:

步驟1,配制含有石墨烯的包覆層漿料,噴霧進(jìn)入包覆室,并使得形成的顆粒帶有電荷,且每個(gè)顆粒的帶電量為Q1;

步驟2,將核結(jié)構(gòu)組分噴入包覆室,并使得其表面帶有與步驟1所述顆粒相反的電荷,且每個(gè)顆粒的帶電量為Q2;

步驟3,包覆反應(yīng):調(diào)節(jié)包覆室內(nèi)的氣流,使得步驟1的顆粒均勻的包覆于步驟2所述的核結(jié)構(gòu)表面;

步驟4,進(jìn)行后處理得到成品硅碳顆粒。制備得到的硅碳負(fù)極材料具有非常薄的包覆層,因此其對(duì)離子傳輸?shù)淖璧K作用較低,得到的硅碳材料具有優(yōu)良的電化學(xué)性能。

作為本發(fā)明硅碳負(fù)極材料制備方法的一種改進(jìn),步驟1所述的石墨烯包括非官能團(tuán)化石墨烯和/或官能團(tuán)化石墨烯;步驟2所述核結(jié)構(gòu)為一次顆粒結(jié)構(gòu)或二次顆粒結(jié)構(gòu),所述核結(jié)構(gòu)中包含硅基負(fù)極材料,還可以包括非硅基負(fù)極材料。

作為本發(fā)明硅碳負(fù)極材料制備方法的一種改進(jìn),所述官能團(tuán)化石墨烯中的官能團(tuán)為羧基、羥基、環(huán)氧基、羰基、硝基、氨基中的至少一種;所述硅基負(fù)極材料包括硅單質(zhì)或/和硅氧化物;所述非硅基負(fù)極材料包括天然石墨、人造石墨、中間相碳微球、軟碳、硬碳、石油焦、碳纖維、熱解樹(shù)脂碳、碳酸鋰、非硅合金負(fù)極材料中的至少一種。

作為本發(fā)明硅碳負(fù)極材料制備方法的一種改進(jìn),步驟1所述包覆層漿料中還可以包含傳統(tǒng)包覆層原料或/和聚合物單體。

作為本發(fā)明硅碳負(fù)極材料制備方法的一種改進(jìn),所述傳統(tǒng)包覆層原料為酚醛樹(shù)脂、密胺樹(shù)脂、過(guò)氯乙烯、瀝青、聚乙烯、硬脂酸、PVC、聚丙烯腈、天然橡膠、丁苯橡膠、順丁橡膠、乙丙橡膠、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、納米氧化銅、納米氧化鎂、納米氧化鈦、納米氧化鋁、納米石墨、石墨片中的至少一種;所述單體包括丙烯酸酯類、甲基丙烯酸酯類、苯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯腈、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、二乙烯基苯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯、N,N-二甲基丙烯酰胺、N-丙烯酰嗎啉、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、正丙烯酸己酯、2-丙烯酸環(huán)己酯、丙烯酸十二酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、四甘醇二丙烯酸酯、二縮三丙二醇二丙烯酸酯、乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、丙氧化季戊四醇丙烯酸酯、雙-三羥基丙烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、丙氧化甘油三丙烯酸酯、三(2-羥乙基)異氰脲酸三丙烯酸酯三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯中的至少一種。

作為本發(fā)明硅碳負(fù)極材料制備方法的一種改進(jìn),Q2≥2*Q1。

作為本發(fā)明硅碳負(fù)極材料制備方法的一種改進(jìn),Q2≥10*Q1。

作為本發(fā)明硅碳負(fù)極材料制備方法的一種改進(jìn),當(dāng)步驟1所述石墨烯為官能團(tuán)化石墨烯時(shí),步驟4所述的后處理為:將步驟3得到的產(chǎn)物進(jìn)行還原處理,促使石墨烯片層之間官能團(tuán)進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng),形成緊密連接的包覆層結(jié)構(gòu),之后進(jìn)行熱處理提高包覆層的導(dǎo)電率最終得到成品硅碳負(fù)極材料。

作為本發(fā)明硅碳負(fù)極材料制備方法的一種改進(jìn),當(dāng)步驟1所述的包覆層漿料中含有聚合物單體時(shí),步驟4所述的后處理為:將步驟3得到的產(chǎn)物,置于含有引發(fā)劑的環(huán)境中,促使單體聚合,將包覆層緊密的粘接在一起,之后碳化即得到成品硅碳負(fù)極材料。

本發(fā)明還包括一種硅碳負(fù)極材料,包括核結(jié)構(gòu)和殼結(jié)構(gòu),所述殼結(jié)構(gòu)均勻包覆于所述核結(jié)構(gòu)表面,所述殼結(jié)構(gòu)厚度為h,h≤100nm。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:

1.柔性、平面結(jié)構(gòu)的石墨烯包覆結(jié)構(gòu),可以更加有效的進(jìn)行包覆、阻隔電解液與核結(jié)構(gòu)的直接接觸,提高材料的電化學(xué)性能;

2.本發(fā)明制備得到的硅碳負(fù)極材料具有非常薄的包覆層,因此其對(duì)離子傳輸?shù)淖璧K作用較低,得到的硅碳材料具有優(yōu)良的電化學(xué)性能;

3.本發(fā)明制備硅碳負(fù)極材料的制備方法,通過(guò)異電荷粒子相互吸引的原理進(jìn)行包覆;過(guò)程中控制兩種粒子所帶電荷的數(shù)量,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)包覆層厚度的有效控制;可以制備得到包覆層非常薄的硅碳負(fù)極材料;同時(shí)該方法簡(jiǎn)單易行,容易工業(yè)化大量生產(chǎn)。

4.包覆層中含有小分子單體原位聚合組分,可以有效的提高包覆層內(nèi)部各組分之間的連接效果,以及包覆層與核結(jié)構(gòu)之間的電子電導(dǎo)效果,因?yàn)樾》肿訂误w更容易與其他組分浸潤(rùn)、均勻混合。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明及其有益效果進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

比較例,制備顆粒直徑為12μm的硅碳負(fù)極材料;

步驟1.核結(jié)構(gòu)制備:選擇100nm的硅顆粒,與導(dǎo)電劑組分均勻混合后進(jìn)行造球,得到顆粒直徑為大約12μm的二次顆粒核結(jié)構(gòu)待用;

步驟2.選用瀝青作為包覆材料,對(duì)步驟1制備得到的核結(jié)構(gòu)進(jìn)行包覆,之后碳化,得到顆粒直徑為12μm的硅碳負(fù)極材料。

實(shí)施例1,與比較例不同之處在于,本實(shí)施例包括如下步驟:

步驟1,選擇片層厚度為1nm、片層平面尺寸為40μm的改性石墨烯(石墨烯片層上含有羥基、羧基等),溶于水中,得到溶液,之后噴霧進(jìn)入包覆室,并使得其帶有10e的負(fù)電荷;

步驟2.核結(jié)構(gòu)制備:選擇100nm的硅顆粒,與導(dǎo)電劑組分均勻混合后進(jìn)行造球,得到顆粒直徑為大約12μm的二次顆粒核結(jié)構(gòu),之后噴入包覆室中,并使得其帶有20e的正電荷;

步驟3,調(diào)節(jié)包覆室內(nèi)的氣流,使得步驟1的顆粒在負(fù)電荷的作用,均勻的包覆于步驟2所述的核結(jié)構(gòu)表面;

步驟4,向包覆室中通入水蒸氣,之后進(jìn)行水熱反應(yīng),使得改性石墨烯片層的官能團(tuán)發(fā)生交聯(lián)反應(yīng),待反應(yīng)介紹后,取出固體組分,烘干、熱處理提高包覆層的導(dǎo)電性能,最后得到硅碳負(fù)極材料。

實(shí)施例2,與實(shí)施例1不同之處在于,本實(shí)施例包括如下步驟:

步驟1,選擇片層厚度為1nm、片層平面尺寸為40μm的改性石墨烯(石墨烯片層上含有羥基、羧基等),溶于水中,得到溶液,之后噴霧進(jìn)入包覆室,并使得其帶有10e的負(fù)電荷;

步驟2.核結(jié)構(gòu)制備:選擇100nm的硅顆粒,與導(dǎo)電劑組分均勻混合后進(jìn)行造球,得到顆粒直徑為大約12μm的二次顆粒核結(jié)構(gòu),之后噴入包覆室中,并使得其帶有100e的正電荷;

其它與實(shí)施例1的相同,這里不再重復(fù)。

實(shí)施例3,與實(shí)施例1不同之處在于,本實(shí)施例包括如下步驟:

步驟1,選擇片層厚度為1nm、片層平面尺寸為40μm的改性石墨烯(石墨烯片層上含有羥基、羧基等),溶于水中,得到溶液,之后噴霧進(jìn)入包覆室,并使得其帶有10e的負(fù)電荷;

步驟2.核結(jié)構(gòu)制備:選擇100nm的硅顆粒,與導(dǎo)電劑組分均勻混合后進(jìn)行造球,得到顆粒直徑為大約12μm的二次顆粒核結(jié)構(gòu),之后噴入包覆室中,并使得其帶有500e的正電荷;

其它與實(shí)施例1的相同,這里不再重復(fù)。

實(shí)施例4,與實(shí)施例1不同之處在于,本實(shí)施例包括如下步驟:

步驟1,選擇片層厚度為1nm、片層平面尺寸為40μm的改性石墨烯(石墨烯片層上含有羥基、羧基等),溶于水中,得到溶液,之后噴霧進(jìn)入包覆室,并使得其帶有10e的負(fù)電荷;

步驟2.核結(jié)構(gòu)制備:選擇100nm的硅顆粒,與導(dǎo)電劑組分均勻混合后進(jìn)行造球,得到顆粒直徑為大約12μm的二次顆粒核結(jié)構(gòu),之后噴入包覆室中,并使得其帶有2000e的正電荷;

其它與實(shí)施例1的相同,這里不再重復(fù)。

實(shí)施例5,與實(shí)施例1不同之處在于,本實(shí)施例包括如下步驟:

步驟1,選擇片層厚度為1nm、片層平面尺寸為10μm的改性石墨烯(石墨烯片層上含有羥基、羧基等),溶于水中,得到溶液,之后噴霧進(jìn)入包覆室,并使得其帶有10e的負(fù)電荷;

步驟2.核結(jié)構(gòu)制備:選擇100nm的硅顆粒,與導(dǎo)電劑組分均勻混合后進(jìn)行造球,得到顆粒直徑為大約12μm的二次顆粒核結(jié)構(gòu),之后噴入包覆室中,并使得其帶有2000e的正電荷;

其它與實(shí)施例1的相同,這里不再重復(fù)。

實(shí)施例6,與實(shí)施例1不同之處在于,本實(shí)施例包括如下步驟:

步驟1,選擇片層厚度為1nm的多孔改性石墨烯(片層直徑為40μm,孔直徑為1μm,兩孔之間連續(xù)區(qū)域?qū)挾葹?μm;石墨烯片層上含有羥基、羧基等),溶于水中,得到溶液,之后噴霧進(jìn)入包覆室,并使得其帶有10e的負(fù)電荷;

步驟2.核結(jié)構(gòu)制備:選擇100nm的硅顆粒,與導(dǎo)電劑組分均勻混合后進(jìn)行造球,得到顆粒直徑為大約12μm的二次顆粒核結(jié)構(gòu),之后噴入包覆室中,并使得其帶有2000e的正電荷;

其它與實(shí)施例1的相同,這里不再重復(fù)。

實(shí)施例7,制備顆粒直徑為12μm的硅碳負(fù)極材料;

步驟1,選擇片層厚度為1nm、片層平面尺寸為10μm的石墨烯(非改性石墨烯)與三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯進(jìn)行捏合混合均勻,之后噴霧進(jìn)入包覆室形成微小粒子,并使得其帶有50e的正電荷;

步驟2.核結(jié)構(gòu)制備:選擇12μm的氧化亞硅顆粒,噴入包覆室中,并使得其帶有2000e的正電荷;

步驟3,調(diào)節(jié)包覆室內(nèi)的氣流,使得步驟1的顆粒在電荷的作用,均勻的包覆于步驟2所述的核結(jié)構(gòu)表面;

步驟4,向包覆室中通入引發(fā)劑BPO的溶液,在其引發(fā)之下,聚合物單體開(kāi)始聚合得到聚合物,該聚合物將石墨烯之間緊密粘接在一起形成包覆層結(jié)構(gòu),在進(jìn)行部分碳化處理得到硅碳負(fù)極材料。

實(shí)施例8,制備顆粒直徑為12μm的硅碳負(fù)極材料;

步驟1,選擇片層厚度為1nm、片層平面尺寸為10μm的石墨烯與瀝青混合均勻,再加入NMP攪拌均勻得到漿料,之后噴霧進(jìn)入包覆室形成微小粒子,并使得其帶有50e的正電荷;

步驟2.核結(jié)構(gòu)制備:選擇粒徑為200nm的氧化亞硅、人造石墨混合顆粒作為一次顆粒,其中氧化亞硅含量為10%;碳納米管、超級(jí)導(dǎo)電碳混合物為導(dǎo)電劑組分;將硅烷偶聯(lián)劑、一次顆?;旌?,之后加入少量N,N-二甲基吡咯烷酮溶液進(jìn)行捏合,得到一次顆粒均勻分散的漿料;將導(dǎo)電劑、PVP混合,之后加入少量N,N-二甲基吡咯烷酮溶液進(jìn)行捏合,得到石墨烯均勻分散的漿料;將兩種漿料均勻混合攪拌,造球得到核結(jié)構(gòu);之后噴入包覆室中,并使得其帶有2000e的負(fù)電荷;

步驟3,調(diào)節(jié)包覆室內(nèi)的氣流,使得步驟1的顆粒在電荷的作用,均勻的包覆于步驟2所述的核結(jié)構(gòu)表面;

步驟4,之后進(jìn)行碳化即可得到硅碳負(fù)極材料。

電池組裝:將比較例、實(shí)施例1-實(shí)施例10制備得到的硅碳負(fù)極材料與導(dǎo)電劑、粘接劑、溶劑攪拌得到電極漿料,之后涂敷在集流體上形成負(fù)極電極;將負(fù)極電極與正極電極(鈷酸鋰為活性物質(zhì))、隔離膜組裝得到裸電芯,之后入袋進(jìn)行頂側(cè)封、干燥、注液、靜置、化成、整形、除氣得到成品電池。

材料性能測(cè)試:

克容量測(cè)試:在25℃環(huán)境中按如下流程對(duì)各實(shí)施例和比較例硅碳材料制備得到的電芯進(jìn)行克容量測(cè)試:靜置3min;0.2C恒流充電至4.2V,4.2V恒壓充電至0.05C;靜置3min;0.2C恒流放電至3.0V,得到放電容量D1;靜置3min;0.2C恒流放電至3.85V;靜置3min之后完成容量測(cè)試,D1除以負(fù)極電極片中硅碳材料的重量,即得到負(fù)極克容量,所得結(jié)果見(jiàn)表1。

倍率性能測(cè)試:在25℃環(huán)境中按如下流程對(duì)各實(shí)施例和比較例硅碳材料制備得到的電芯進(jìn)行倍率性能測(cè)試:靜置3min;0.2C恒流充電至4.2V,4.2V恒壓充電至0.05C;靜置3min;0.2C恒流放電至3.0V,得到放電容量D1;靜置3min;0.2C恒流充電至4.2V,4.2V恒壓充電至0.05C;靜置3min;2C恒流放電至3.0V,得到放電容量D21;靜置3min;之后完成倍率性能測(cè)試,電池倍率性能=D2/D1*100%,所得結(jié)果見(jiàn)表1。

循環(huán)測(cè)試:在25℃環(huán)境中按如下流程對(duì)各實(shí)施例和比較例硅碳材料制備得到的電芯進(jìn)行循環(huán)測(cè)試:靜置3min;0.2C恒流充電至4.2V,4.2V恒壓充電至0.05C;靜置3min;0.2C恒流放電至3.0V,得到放電容量D1;靜置3min,“0.2C恒流充電至4.2V,4.2V恒壓充電至0.05C;靜置3min;0.2C恒流放電至3.0V,得到放電容量Di;靜置3min”重復(fù)299次得到D300,之后完成循環(huán)測(cè)試,計(jì)算容量保持率為D300/D1*100%,所得結(jié)果見(jiàn)表1。

將各實(shí)施例顆粒切開(kāi),觀察發(fā)現(xiàn),其表面包覆層厚度,由Q2/Q1的大小以及石墨烯片層大小共同決定,Q2/Q1、石墨烯片層平面直徑越大,包覆層厚度越厚。但各實(shí)施例的包覆層厚度均小于100nm,其中實(shí)施例4得到的顆粒,表面包覆層厚度接近100nm。

表1、不同硅碳負(fù)極材料制備得到的電芯克容量、循環(huán)容量保持率及倍率性能

由表1可得,本發(fā)明制備的硅碳負(fù)極材料,具有更加優(yōu)秀的電化學(xué)性能:即更高的克容量、更好的循環(huán)容量保持率以及更高的倍率性能。具體的,對(duì)比比較例與實(shí)施例1-實(shí)施例4可得,隨著Q2/Q1比值的增加,硅碳負(fù)極的克容量先增加后減少,循環(huán)性能逐漸提升、倍率性能逐漸降低;這是因?yàn)?,Q2/Q1比值的增加后,殼結(jié)構(gòu)厚度不斷增加,因此循環(huán)性能變好,但包覆層將對(duì)鋰離子的擴(kuò)散起到阻礙作用,因此倍率性能變差;有實(shí)施例5、6可得,使用多孔改性石墨烯、或者更小片層的改性石墨烯,可以有效的提高電池的倍率性能。由各實(shí)施例可得,本發(fā)明具有普適性,適合各種硅碳負(fù)極材料及其制備方法。

根據(jù)上述說(shuō)明書(shū)的揭示和教導(dǎo),本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還能夠?qū)ι鲜鰧?shí)施方式進(jìn)行變更和修改。因此,本發(fā)明并不局限于上述的具體實(shí)施方式,凡是本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā)明的基礎(chǔ)上所作出的任何顯而易見(jiàn)的改進(jìn)、替換或變型均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。此外,盡管本說(shuō)明書(shū)中使用了一些特定的術(shù)語(yǔ),但這些術(shù)語(yǔ)只是為了方便說(shuō)明,并不對(duì)本發(fā)明構(gòu)成任何限制。

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