技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
實(shí)施例是一種結(jié)構(gòu)，其包括位于襯底上方的第一鰭；位于襯底上方的第二鰭，第二鰭相鄰于第一鰭；環(huán)繞第一鰭和第二鰭的隔離區(qū)，隔離區(qū)的第一部分位于第一鰭和第二鰭之間；沿著第一鰭和第二鰭的側(cè)壁并且位于其上表面的上方的柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)界定了第一鰭和第二鰭中的溝道區(qū)；位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的柵極密封間隔件，柵極密封間隔件的第一部分位于在第一鰭和第二鰭之間的隔離區(qū)的第一部分上；以及鄰近柵極結(jié)構(gòu)的第一鰭和第二鰭上的源極/漏極區(qū)。本發(fā)明實(shí)施例涉及FinFET及其形成方法。

技術(shù)研發(fā)人員：程潼文;羅威揚(yáng);陳志山
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.24
技術(shù)公布日：2017.11.03