技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種LED外延生長方法，依次包括：處理襯底、生長低溫成核層GaN、生長高溫GaN緩沖層、生長非摻雜u?GaN層、生長變氣氛n?GaN層、生長發(fā)光層、生長P型AlGaN層、生長P型GaN層、生長P型GaN接觸層、降溫冷卻。其中，所述變氣氛n?GaN層包括N2氣氛n型GaN層、H2氣氛n型GaN層和N2和H2混合氣氛n型GaN層。與傳統(tǒng)方法相比，把傳統(tǒng)的n型GaN層，設(shè)計為高溫N2氣氛n型GaN層、低溫H2氣氛n型GaN層和低溫N2和H2混合氣氛n型GaN層的變氣氛N型GaN層結(jié)構(gòu)，提升量子阱發(fā)光區(qū)的電子空穴對，增強(qiáng)發(fā)光輻射效率，提高LED的發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：徐平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湘能華磊光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.18
技術(shù)公布日：2017.08.18