本發(fā)明涉及l(fā)ed燈，尤其與一種一體式led帶狀光源支架及制備方法的有關。

背景技術：

隨著led照明技術的不斷進步，led燈帶、led燈條、led日光燈已經(jīng)普遍進入了商用和民用。同時，隨著led照明相關標準的發(fā)布和行業(yè)競爭的日趨激烈，如何能夠以低成本高效率的方式制備符合標準的高質量led產(chǎn)品，成為各廠商競爭的重要準則之一，這一點制約著產(chǎn)品的質量與銷量。現(xiàn)有的led燈帶、led燈條、led日光燈等，多采用傳統(tǒng)的封裝和裝配方式，即采用預先封裝好的led顆粒，焊接到基板上，再進行裝配。這種方式，需要對每顆led進行獨立的前序封裝，操作繁瑣，若是直接外購成本極大提高且質量不一定能夠保證，同時，這種方式使用靈活性差，還需要對基板和線路板進行專門設計，led芯片熱傳導的整體熱阻高，不利于散熱，需要加以改進。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種一體式led帶狀光源支架及制備方法，以解決上述現(xiàn)有技術不足，實現(xiàn)了陣列化的批量化封裝模式，通過特定形狀的陣列型鐵料基架并直接注塑，形成功能區(qū)、導電線路和串并選區(qū)，使用靈活方便，可根據(jù)實際需要使用長度直接進行剪切，可作為led燈帶、led燈條、led日光燈等核心結構，極大降低了生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。

為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，擬采用以下技術：

一種一體式led帶狀光源支架，包括基架和注塑在基架上的注塑體，其特征在于，所述基架由并排布置的上行導電片、正極導電片、下行導電片、負極導電片構成，并形成連續(xù)間隔的功能區(qū)，各功能區(qū)內有由正極導電片和負極導電片形成的固晶區(qū)，各功能區(qū)之間有線路選擇區(qū)，線路選擇區(qū)內有連接片，連接片將上行導電片、正極導電片、下行導電片、負極導電片連通，所述注塑體包括注塑底板、固晶槽和二次沖壓區(qū)，注塑底板包裹各導電片的底面和側面，固晶槽位于固晶區(qū)上方，二次沖壓區(qū)位于線路選擇區(qū)上方。

根據(jù)上述構思，所述正極導電片和負極導電片布置在中間，上行導電片和下行導電片分別布置在兩側。

根據(jù)上述構思，所述二次沖壓區(qū)對應的線路選擇區(qū)內的連接片、上行導電片、正極導電片、下行導電片、負極導電片可被部分沖斷，形成不同的串并結構。

根據(jù)上述構思，所述固晶槽的內側壁傾斜設置。固晶區(qū)固晶后，芯片發(fā)出的光可經(jīng)過傾斜的內側壁向上反射，提高出光效率。

根據(jù)上述構思，所述基架的固晶區(qū)表面有鍍銀層，除固晶區(qū)外的表面有鍍鎳層。

根據(jù)上述構思，所述基架呈多行多列的陣列布置形態(tài)，一次性沖壓成型，可批量加工，節(jié)省工序，提高產(chǎn)量。

根據(jù)上述構思，所述支架為三串多并型結構，每三個連續(xù)的功能區(qū)形成串聯(lián)區(qū)，串聯(lián)區(qū)內的兩個二次沖壓區(qū)上均有串聯(lián)沖壓通孔i，對應的線路選擇區(qū)為串聯(lián)線路區(qū)i，串聯(lián)線路區(qū)i內：上行導電片與正極導電片之間的連接片斷空，下行導電片與負極導電片之間的連接片斷空，前一個功能區(qū)的正極導電片后端與連接片連接處斷空，后一個功能區(qū)的負極導電片前端與連接片連接處斷空；各串聯(lián)區(qū)之間的二次沖壓區(qū)上有并聯(lián)沖壓通孔i，對應的線路選擇區(qū)為并聯(lián)線路區(qū)i，并聯(lián)線路區(qū)i內，前一個功能區(qū)的正極導電片后端與連接片連接處斷空，正極導電片與負極導電片之間的連接片斷空，后一個功能區(qū)的負極導電片前端與連接片連接處斷空。

根據(jù)上述構思，所述支架為全串型結構，二次沖壓區(qū)上均有串聯(lián)沖壓通孔ii，對應的線路選擇區(qū)為串聯(lián)線路區(qū)ii，串聯(lián)線路區(qū)ii內：上行導電片與正極導電片之間的連接片斷空，下行導電片與負極導電片之間的連接片斷空，前一個功能區(qū)的正極導電片后端與連接片連接處斷空，后一個功能區(qū)的負極導電片前端與連接片連接處斷空。

根據(jù)上述構思，所述支架為兩并串聯(lián)型結構，每兩個連續(xù)的功能區(qū)形成并聯(lián)區(qū)，并聯(lián)區(qū)內的二次沖壓區(qū)上有并聯(lián)沖壓通孔ii，對應的線路選擇區(qū)為兩并線路區(qū)，兩并線路區(qū)內：上行導電片與正極導電片之間的連接片斷空，正極導電片與負極導電片之間的連接片斷空，下行導電片與負極導電片之間的連接片斷空；各并聯(lián)區(qū)之間的二次沖壓區(qū)上有串聯(lián)沖壓通孔iii，對應的線路選擇區(qū)為串聯(lián)線路區(qū)iii，串聯(lián)線路區(qū)iii內：上行導電片與正極導電片之間的連接片斷空，下行導電片與負極導電片之間的連接片斷空，前一個功能區(qū)的正極導電片后端與連接片連接處斷空，后一個功能區(qū)的負極導電片前端與連接片連接處斷空。

一體式led帶狀光源支架的制備方法，其特征在于，包括步驟：

1)、將sppc料放入沖壓模具中，沖壓成陣列的、帶狀結構的基架，單條帶狀基架的結構是由并排布置的上行導電片、正極導電片、下行導電片、負極導電片構成，并形成有連續(xù)間隔的功能區(qū)，正極導電片和負極導電片布置在中間，上行導電片和下行導電片分別布置在兩側，各功能區(qū)內有由正極導電片和負極導電片形成的固晶區(qū)，各功能區(qū)之間有線路選擇區(qū)，線路選擇區(qū)內有連接片，連接片將上行導電片、正極導電片、下行導電片、負極導電片連通；

2)、對基架表面進行鍍鎳形成鍍鎳層，其中固晶區(qū)表面是鍍銀形成鍍銀層，以滿足機器焊線要求；

3)、在基架上進行注塑，形成注塑體，注塑體包括包裹各導電片的底面和側面的注塑底板、位于固晶區(qū)上方的固晶槽和位于線路選擇區(qū)上方的二次沖壓區(qū)，保留除固晶槽和二次沖壓區(qū)以外的基架表面區(qū)域裸露，得到一體式led帶狀光源支架。

根據(jù)上述構思，還包括步驟：4)、根據(jù)需求對二次沖壓區(qū)進行二次沖壓，使對應的線路選擇區(qū)內的連接片、上行導電片、正極導電片、下行導電片、負極導電片被部分沖斷，使支架形成不同的串并線路結構。

本發(fā)明的有益效果是：

1、直接在陣列的基架上注塑完成注塑體，形成支架，可根據(jù)使用需求，進行長度剪切，然后完成固晶的操作即可，使用方便，相比于將led顆粒進行單獨封裝后，再固定于設計好的基板上的結構，極大簡化了生產(chǎn)步驟；

2、可根據(jù)串并需求進行二次沖壓，沖斷二次沖壓區(qū)的相應部位，實現(xiàn)對線路選擇區(qū)電氣連接關系的改變，實現(xiàn)不用的串并使用需求；

3、可直接沖壓生產(chǎn)形成陣列的基架，完成鍍鎳和鍍銀后，即可注塑，形成底板、固晶槽、二次沖壓區(qū)，實現(xiàn)了批量化快速生產(chǎn)，利用批量化快速固晶封裝，提高了產(chǎn)效，有利于降低成本；

4、采用此種結構，芯片固晶在固晶區(qū)上，芯片的熱直接通過基架傳導，且基架的大部分區(qū)域上表面是裸露，散熱面積大；

5、采用此種結構，無需獨立進行單顆led的封裝，也無需單獨焊接封裝好的led顆粒到基板上，極大節(jié)省了工序的繁瑣性，只需要在完成后的支架上進行串并方式選擇的二次沖壓、固晶等操作，即可形成led光源條；也無需根據(jù)串并需求專門設計基板電路，只需要采用預制好的模具該模具的沖壓頭結構簡單，易于根據(jù)線路選擇區(qū)的結構進行快速設計對支架進行二次沖壓，即可形成不同的串并線路關系，基架本身兼具了線路傳導、芯片導熱、穩(wěn)定支架的功能。

附圖說明

圖1示出了一體式led帶狀光源支架的結構示意圖。

圖2示出了圖1中a-a視圖。

圖3示出了一體式led帶狀光源支架基架的結構示意圖。

圖4示出了一體式led帶狀光源支架基架的局部放大圖。

圖5示出了一體式led帶狀光源支架基架的陣列結構示意圖。

圖6示出了一體式led帶狀光源支架的陣列結構示意圖。

圖7示出了三串多并型一體式led帶狀光源支架的結構示意圖。

圖8示出了三串多并型一體式led帶狀光源支架基架進行二次沖壓選擇線路的示意圖。

圖9示出了全串型一體式led帶狀光源支架的結構示意圖。

圖10示出了全串型一體式led帶狀光源支架基架的結構示意圖。

圖11示出了兩并串聯(lián)型一體式led帶狀光源支架的結構示意圖。

圖12示出了兩并串聯(lián)型一體式led帶狀光源支架基架的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1～4所示，一種一體式led帶狀光源支架，包括基架1和注塑在基架1上的注塑體2。所述基架1由并排布置的上行導電片0-1、正極導電片0-3、下行導電片0-2、負極導電片0-4構成，并形成連續(xù)間隔的功能區(qū)，具體的，所述正極導電片0-3和負極導電片0-4布置在中間，上行導電片0-1和下行導電片0-2分別布置在兩側。各功能區(qū)內有由正極導電片0-3和負極導電片0-4形成的固晶區(qū)1-1，各功能區(qū)之間有線路選擇區(qū)1-2，線路選擇區(qū)1-2內有連接片1-3，連接片1-3將上行導電片0-1、正極導電片0-3、下行導電片0-2、負極導電片0-4連通。所述注塑體2包括注塑底板2-0、固晶槽2-1和二次沖壓區(qū)2-2，注塑底板2-0包裹各導電片的底面和側面，可滿足支架的整體強度，減少斷裂幾率，固晶槽2-1位于固晶區(qū)1-1上方，二次沖壓區(qū)2-2位于線路選擇區(qū)1-2上方，即，除固晶槽2-1區(qū)域和二次沖壓區(qū)2-2外，基架1的上表面盡量露出，提高支架的散熱面積。所述二次沖壓區(qū)2-2對應的線路選擇區(qū)1-2內的連接片1-3、上行導電片0-1、正極導電片0-3、下行導電片0-2、負極導電片0-4可被部分沖斷，形成不同的串并結構。具體的，所述固晶槽2-1的內側壁2-1-1傾斜設置。

如圖5所示，所述基架1呈多行多列的陣列布置形態(tài)，一次性沖壓成型?；?的固晶區(qū)1-1表面有鍍銀層，除固晶區(qū)1-1外的表面有鍍鎳層。在陣列的基架1上注塑完成注塑體2后，形成陣列的支架，如圖6所示。

如圖1～6所示，一體式led帶狀光源支架的制備方法，包括步驟：

1)、將sppc料放入沖壓模具中，沖壓成陣列的、帶狀結構的基架1，單條帶狀基架1的結構是由并排布置的上行導電片0-1、正極導電片0-3、下行導電片0-2、負極導電片0-4構成，并形成有連續(xù)間隔的功能區(qū)，正極導電片0-3和負極導電片0-4布置在中間，上行導電片0-1和下行導電片0-2分別布置在兩側，各功能區(qū)內有由正極導電片0-3和負極導電片0-4形成的固晶區(qū)1-1，各功能區(qū)之間有線路選擇區(qū)1-2，線路選擇區(qū)1-2內有連接片1-3，連接片1-3將上行導電片0-1、正極導電片0-3、下行導電片0-2、負極導電片0-4連通；

2)、對基架1表面進行鍍鎳形成鍍鎳層，其中固晶區(qū)1-1表面是鍍銀形成鍍銀層，以滿足機器焊線要求；

3)、在基架1上進行注塑，形成注塑體2，注塑體2包括包裹各導電片的底面和側面的注塑底板2-0、位于固晶區(qū)1-1上方的固晶槽2-1和位于線路選擇區(qū)1-2上方的二次沖壓區(qū)2-2，保留除固晶槽2-1和二次沖壓區(qū)2-2以外的基架1表面區(qū)域裸露，得到一體式led帶狀光源支架。

根據(jù)需求，可對上述獲得的支架進行二次沖壓，具體對二次沖壓區(qū)2-2進行二次沖壓，使對應的線路選擇區(qū)1-2內的連接片1-3、上行導電片0-1、正極導電片0-3、下行導電片0-2、負極導電片0-4被部分沖斷，使支架形成不同的串并線路結構。

如圖7所示為對支架進行二次沖壓后形成三串多并型結構的示意圖，如圖8所示為，基架相應部位被沖斷的沖壓示意圖。三串多并型結構，每三個連續(xù)的功能區(qū)形成串聯(lián)區(qū)，串聯(lián)區(qū)內的兩個二次沖壓區(qū)2-2上均有串聯(lián)沖壓通孔i3-1，對應的線路選擇區(qū)1-2為串聯(lián)線路區(qū)i4-1，串聯(lián)線路區(qū)i4-1內：上行導電片0-1與正極導電片0-3之間的連接片1-3斷空，下行導電片0-2與負極導電片0-4之間的連接片1-3斷空，前一個功能區(qū)的正極導電片0-3后端與連接片1-3連接處斷空，后一個功能區(qū)的負極導電片0-4前端與連接片1-3連接處斷空；各串聯(lián)區(qū)之間的二次沖壓區(qū)2-2上有并聯(lián)沖壓通孔i3-2，對應的線路選擇區(qū)1-2為并聯(lián)線路區(qū)i4-2，并聯(lián)線路區(qū)i4-2內，前一個功能區(qū)的正極導電片0-3后端與連接片1-3連接處斷空，正極導電片0-3與負極導電片0-4之間的連接片1-3斷空，后一個功能區(qū)的負極導電片0-4前端與連接片1-3連接處斷空。從而，各串聯(lián)區(qū)內的各固晶區(qū)1-1通過正極導電片0-3和負極導電片0-4形成串聯(lián)線路，各串聯(lián)區(qū)之間，通過上行導電片0-1、正極導電片0-3、負極導電片0-4、下行導電片0-2、連接片1-3形成并聯(lián)線路，實現(xiàn)三串多并。

如圖9～10所示，為全串型支架結構和對應的基架結構，二次沖壓區(qū)2-2上均有串聯(lián)沖壓通孔ii5-1，對應的線路選擇區(qū)1-2為串聯(lián)線路區(qū)ii6-1，串聯(lián)線路區(qū)ii6-1內：上行導電片0-1與正極導電片0-3之間的連接片1-3斷空，下行導電片0-2與負極導電片0-4之間的連接片1-3斷空，前一個功能區(qū)的正極導電片0-3后端與連接片1-3連接處斷空，后一個功能區(qū)的負極導電片0-4前端與連接片1-3連接處斷空。從而，各固晶區(qū)1-1通過正極導電片0-3和負極導電片0-4形成串聯(lián)線路，實現(xiàn)全串。

如圖9～10所示，為兩并串聯(lián)型支架結構和對應的基架結構，每兩個連續(xù)的功能區(qū)形成并聯(lián)區(qū)，并聯(lián)區(qū)內的二次沖壓區(qū)2-2上有并聯(lián)沖壓通孔ii7-1，對應的線路選擇區(qū)1-2為兩并線路區(qū)8-1，兩并線路區(qū)8-1內：上行導電片0-1與正極導電片0-3之間的連接片1-3斷空，正極導電片0-3與負極導電片0-4之間的連接片1-3斷空，下行導電片0-2與負極導電片0-4之間的連接片1-3斷空；各并聯(lián)區(qū)之間的二次沖壓區(qū)2-2上有串聯(lián)沖壓通孔iii7-2，對應的線路選擇區(qū)1-2為串聯(lián)線路區(qū)iii8-2，串聯(lián)線路區(qū)iii8-2內：上行導電片0-1與正極導電片0-3之間的連接片1-3斷空，下行導電片0-2與負極導電片0-4之間的連接片1-3斷空，前一個功能區(qū)的正極導電片0-3后端與連接片1-3連接處斷空，后一個功能區(qū)的負極導電片0-4前端與連接片1-3連接處斷空。從而，并聯(lián)區(qū)內的固晶區(qū)1-1通過正極導電片0-3和負極導電片0-4形成并聯(lián)線路，各并聯(lián)區(qū)之間，通過上行導電片0-1、正極導電片0-3、負極導電片0-4、下行導電片0-2、連接片1-3形成串聯(lián)線路，實現(xiàn)兩并多串。

本發(fā)明，還可根據(jù)實際應用需求，沖壓沖斷成不同的串并形式。

本領域的技術人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。