技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了基于Si襯底外延SiC基GaN?HEMT的工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：在Si襯底上生長SiC層；在所述SiC層上生長GaN?HEMT器件；在所述GaN?HEMT器件上涂抹光刻膠保護(hù)層，并以預(yù)設(shè)溫度烘烤預(yù)設(shè)時間，在所述光刻膠保護(hù)層上采用粘附劑黏貼載片；采用濕法或干法方式對所述GaN?HEMT器件背面的Si襯底進(jìn)行腐蝕移除；在移除Si襯底的SiC層上進(jìn)行背面通孔工藝，使得GaN?HEMT器件正面接地區(qū)域與反面連通；在所述GaN?HEMT器件背面即SiC層面上，沉積金屬Ti或Au；采用加熱以及有機(jī)或無機(jī)溶液濕法腐蝕光刻膠保護(hù)層和載片、粘附劑，進(jìn)而提高了器件的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：林書勛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都海威華芯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.12
技術(shù)公布日：2017.07.25