技術(shù)編號：11693751
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。基于Si襯底外延SiC基GaNHEMT的工藝方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及基于Si襯底外延SiC基GaNHEMT的工藝方法。背景技術(shù)GaNHEMT器件作為第三代化合物半導(dǎo)體的代表器件，以其高電子遷移率、高擊穿電壓、高電流密度、高可靠性，廣泛應(yīng)用于微波功率放大領(lǐng)域，是現(xiàn)代軍民通信系統(tǒng)、航空航天的首選器件。GaNHEMT器件在高頻、大功率應(yīng)用層面，需要輸出高的電流密度，而SiC材料的晶格常數(shù)與GaN材料的晶格常數(shù)接近，因此一般在SiC襯底上外延生長高質(zhì)量的GaNHEMT異質(zhì)...
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