技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種摻鍺碳化硅歐姆接觸形成方法。該方法包括：在摻鍺碳化硅晶片上通過電子束蒸發(fā)形成Ti/Pt/Au金屬電極；將形成電極后的摻鍺碳化硅晶片進(jìn)行快速退火形成歐姆接觸，所述快速退火分為兩個(gè)升溫階段，第一階段溫度升高到300?500℃，持續(xù)保溫3?5分鐘，第二階段退火溫度為600?800℃，持續(xù)保溫5?10分鐘；最后將溫度降至不高于60℃。本發(fā)明經(jīng)摻雜鍺元素來形成高質(zhì)量、低接觸電阻的歐姆接觸，同時(shí)通過改變摻雜鍺元素的濃度可以制備出不同歐姆接觸性能的摻鍺碳化硅產(chǎn)品。

技術(shù)研發(fā)人員：陳秀芳;李天;徐現(xiàn)剛;胡小波;蔣哲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東大學(xué);國網(wǎng)山東省電力公司電力科學(xué)研究院
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.11
技術(shù)公布日：2017.09.01