本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種頂柵型薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板。

背景技術(shù)：

平面顯示器(flatpaneldisplay，fpd)己成為市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，平面顯示器的種類也越來(lái)越多，如液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)、有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，oled)顯示器、等離子體顯示面板(plasmadisplaypanel，pdp)及場(chǎng)發(fā)射顯示器(fieldemissiondisplay，fed)等。作為fpd產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)的薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)背板技術(shù)，也在經(jīng)歷著深刻的變革。尤其是金屬氧化物薄膜晶體管(metaloxidethinfilmtransistor，motft)，由于具有較高的遷移率(在5～50cm²/vs左右)、制作工藝簡(jiǎn)單、成本較低，且具有優(yōu)異的大面積均勻性等特點(diǎn)，因此motft技術(shù)自誕生以來(lái)便備受業(yè)界矚目。

白光oled(whiteorganiclightemittingdiode，woled)+彩色濾光片(colorfilter，cf)技術(shù)作為有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(activematrixorganiclightemittingdiode，amoled)的一種開發(fā)方向，因?yàn)榫哂杏袡C(jī)電致發(fā)光材料利用率高、對(duì)蒸鍍電致發(fā)光材料的掩膜版要求低、采用頂發(fā)射的電致發(fā)光材料提高開口率等優(yōu)點(diǎn)，備受關(guān)注。然而，作為關(guān)鍵技術(shù)的溝道層半導(dǎo)體的選擇不僅要關(guān)注遷移率等指標(biāo)，還要考慮相關(guān)工藝的復(fù)雜度等相關(guān)問(wèn)題。

頂柵結(jié)構(gòu)背板具有遷移率高，寄生電容小的顯著優(yōu)點(diǎn)。目前頂柵底發(fā)射或者頂發(fā)射背板需要添加遮光層，常規(guī)的金屬遮光層需要經(jīng)過(guò)多道工藝加工制成。如圖1所示，現(xiàn)有的頂柵型薄膜晶體管包括襯底基板11、形成在襯底基板11上的金屬遮光層13、形成在金屬遮光層13上的緩沖層10、形成在緩沖層上的有源層14、形成在有源層14上的柵絕緣層19、形成在柵絕緣層19上的柵極16，還包括形成在柵極16和有源層14上的層間絕緣層15、形成在層間絕緣層15上的源漏極層12，并且源漏極層12通過(guò)設(shè)置在層間絕緣層15上的過(guò)孔與有源層14連接，還包括形成在層間絕緣層15和源漏極層12上的鈍化層17、形成在鈍化層17上的像素電極18，并且像素電極18通過(guò)設(shè)置在鈍化層17上的過(guò)孔與源漏極層12連接。可見，現(xiàn)有的頂柵結(jié)構(gòu)背板不但存在工藝復(fù)雜的問(wèn)題，還存在寄生電容的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種頂柵型薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板，以解決存在寄生電容和制程工藝復(fù)雜的問(wèn)題。

基于上述目的，本發(fā)明提供頂柵型薄膜晶體管，包括形成在襯底基板與有源層之間的遮光層，所述遮光層采用非金屬材料制成。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述遮光層采用光固化有機(jī)硅材料制成。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述遮光層采用遮光負(fù)性光固化有機(jī)硅材料制成。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述光固化有機(jī)硅材料為籠型聚倍半硅氧烷或線性有機(jī)硅樹脂；

所述籠型聚倍半硅氧烷的結(jié)構(gòu)如下所示：

所述線性有機(jī)硅樹脂的結(jié)構(gòu)如下所示：

其中，r為負(fù)性膠光敏基團(tuán)。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述光固化有機(jī)硅材料中添加有熒烷黑類染料和/或結(jié)晶紫類染料。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述遮光層的厚度小于等于所述源漏極層的厚度。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述源漏極層的厚度為1-2μm；和/或，所述遮光層的厚度為小于1μm。

本發(fā)明還提供一種頂柵型薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟：

在襯底基板上形成遮光層，其中，所述遮光層采用非金屬材料制成；

在所述遮光層上形成有源層。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述在襯底基板上形成遮光層的步驟包括：

在襯底基板上沉積源漏金屬薄膜，對(duì)所述源漏金屬薄膜進(jìn)行圖像化，形成源漏極層；

在所述源漏極層上沉積或者涂布非金屬材料薄膜，以所述源漏極層作為掩膜版，對(duì)所述非金屬材料薄膜進(jìn)行背面曝光顯影，形成遮光層。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述遮光層采用光固化有機(jī)硅材料制成。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述遮光層采用遮光負(fù)性光固化有機(jī)硅材料制成。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述光固化有機(jī)硅材料中添加有熒烷黑類染料和/或結(jié)晶紫類染料。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述遮光層的厚度小于等于所述源漏極層的厚度。

本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括上述任意一個(gè)實(shí)施例中的頂柵型薄膜晶體管。

本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括上述任意一個(gè)實(shí)施例中的頂柵型薄膜晶體管。

本發(fā)明提供的頂柵型薄膜晶體管以非金屬材料作為遮光層，不但避免了金屬層作為遮光層所產(chǎn)生的寄生電容，并且可以有效地減少漏光對(duì)有源區(qū)影響，從而有效地提升了產(chǎn)品良率和器件性能。還可以簡(jiǎn)化薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，從而可以有效地減少工藝復(fù)雜度，縮減薄膜晶體管的制作工序。而且，本發(fā)明提供的頂柵型薄膜晶體管的制作方法可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)曝光技術(shù)進(jìn)行背面曝光(自對(duì)準(zhǔn)曝光相當(dāng)于不用額外的掩膜版，直接用源漏極層做光罩掩模)，曝光部分留下，形成遮光層，從而有效減少工藝復(fù)雜度，縮減工序。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的頂柵型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的頂柵型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為本發(fā)明實(shí)施例的遮光層的厚度小于等于源漏極層時(shí)，背面曝光前的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b為本發(fā)明實(shí)施例的遮光層的厚度小于等于源漏極層時(shí)，背面曝光后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a為本發(fā)明實(shí)施例的遮光層的厚度大于源漏極層時(shí)，背面曝光前的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4b為本發(fā)明實(shí)施例的遮光層的厚度大于源漏極層時(shí)，背面曝光后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的頂柵型薄膜晶體管的制作方法的流程圖；

圖6為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的頂柵型薄膜晶體管的制作方法的流程圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例在襯底基板上形成源漏極層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例在襯底基板上形成遮光層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例在遮光層上形成有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例在有源層和源漏極層上形成絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例在絕緣層上形成柵極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例在柵極和絕緣層上形成鈍化層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例在鈍化層和絕緣層上形成過(guò)孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為本發(fā)明實(shí)施例在鈍化層上形成像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的頂柵型薄膜晶體管的制作方法的流程圖；

圖16為本發(fā)明實(shí)施例在絕緣層上形成過(guò)孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖17為本發(fā)明實(shí)施例在鈍化層上形成過(guò)孔的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明提供頂柵型薄膜晶體管包括形成在襯底基板與有源層之間的遮光層，所述遮光層采用非金屬材料制成。因此，本發(fā)明提供的頂柵型薄膜晶體管以非金屬材料作為遮光層，不但避免了金屬層作為遮光層所產(chǎn)生的寄生電容，還可以有效地減少漏光對(duì)有源區(qū)影響，從而有效地提升了產(chǎn)品良率和器件性能。

如圖2所示，其為本發(fā)明實(shí)施例的頂柵型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。所述頂柵型薄膜晶體管包括：襯底基板21、形成在所述襯底基板21上的采用非金屬材料制成的遮光層23、形成在所述遮光層上的有源層24、形成在所述有源層24上的絕緣層25、形成在所述絕緣層25與所述襯底基板21之間的源漏極層22、形成在所述絕緣層25上的柵極26、形成在所述柵極26和所述絕緣層25上的鈍化層27、形成在所述鈍化層27上的像素電極28，其中，所述有源層24與所述源漏極層22連接，所述像素電極28通過(guò)設(shè)置在所述鈍化層27和所述絕緣層25上的過(guò)孔29與所述源漏極層22連接。

通過(guò)圖1和圖2的對(duì)比可以看出，在本發(fā)明提供的頂柵型薄膜晶體管中，所述遮光層23同時(shí)起到了現(xiàn)有技術(shù)中的緩沖層和遮光層的作用。不僅如此，在本發(fā)明提供的頂柵型薄膜晶體管中，所述絕緣層25不但可以使柵極26與源漏極層22沉積的時(shí)候不會(huì)連在一起，還可以起到柵絕緣的作用，即所述絕緣層25同時(shí)起到了現(xiàn)有技術(shù)中的層間絕緣層和柵絕緣層的作用?？梢?，該頂柵型薄膜晶體管以非金屬材料作為遮光層，不但避免了金屬層作為遮光層所產(chǎn)生的寄生電容，并且可以有效地減少漏光對(duì)有源區(qū)影響(防止薄膜晶體管工作時(shí)光從下部射入，影響薄膜晶體管的工作性能)，從而有效地提升了產(chǎn)品良率和器件性能，還可以簡(jiǎn)化薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，從而可以有效地減少工藝復(fù)雜度，縮減薄膜晶體管的制作工序。

作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，所述遮光層23可以采用光固化有機(jī)硅材料制成。本發(fā)明以光固化有機(jī)硅材料作為遮光層，不但避免了金屬層作為遮光層所產(chǎn)生的寄生電容，還省去了金屬濺射沉積和刻蝕的步驟，可以有效減少工藝復(fù)雜度，縮減工序，從而提高器件制程的效率和良率。

作為本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，所述遮光層23可以采用遮光負(fù)性光固化有機(jī)硅材料制成。所述光固化有機(jī)硅材料為負(fù)性光阻，可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)曝光技術(shù)進(jìn)行背面曝光(自對(duì)準(zhǔn)曝光相當(dāng)于不用額外的掩膜版，直接用源漏極層做光罩掩模)，曝光部分留下，形成遮光層23，從而有效減少工藝復(fù)雜度，縮減工序。

具體地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述光固化有機(jī)硅材料可以為籠型聚倍半硅氧烷，所述籠型聚倍半硅氧烷的結(jié)構(gòu)如下所示：

其中，r為負(fù)性膠光敏基團(tuán)。

在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，所述光固化有機(jī)硅材料也可以為線性有機(jī)硅樹脂，所述線性有機(jī)硅樹脂的結(jié)構(gòu)如下所示：

其中，r為負(fù)性膠光敏基團(tuán)。

以這些光固化有機(jī)硅材料制成的遮光層可以更好地達(dá)到本發(fā)明的技術(shù)效果。

更為具體地，在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，上述結(jié)構(gòu)式中的r可以選自(甲基)丙烯酸酯類負(fù)性膠光敏基團(tuán)中的任意一種或者多種。從而可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)曝光技術(shù)進(jìn)行背面曝光，使曝光部分留下，形成遮光層23，從而有效減少工藝復(fù)雜度，縮減工序。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明僅僅是示例性地列舉了可以作為遮光層的非金屬材料，但并不限于上述非金屬材料，在本發(fā)明的教導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要選擇其他非金屬材料作為遮光層，從而達(dá)到解決存在寄生電容和制程工藝復(fù)雜的技術(shù)問(wèn)題的目的。

為了提高遮光層23的遮光效果，可以進(jìn)一步地在非金屬材料中添加遮光材料。具體地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述光固化有機(jī)硅材料中添加有熒烷黑類染料和/或結(jié)晶紫類染料，以提高遮光效果，減少光對(duì)有源層的影響。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所用的熒烷黑類染料包括熒烷黑(2-苯氨基-3-甲基-6-二丁氨基熒)、熒烷黑的衍生物、混合物、修飾物(此類衍生物或修飾物通常在熱敏紙打印領(lǐng)域廣泛使用，例如odb、odb-1等，均可從市場(chǎng)上購(gòu)買，混合物可以是不同類型的熒烷黑的混合，如odb與odb-2等；可以是與其它成分的混合，例如odb-2與cf-51等)；在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，采用了熒烷黑odb-2。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所用的結(jié)晶紫類染料包括結(jié)晶紫、結(jié)晶紫的衍生物、修飾物、混合物(隱色結(jié)晶紫、結(jié)晶紫-d6、隱色結(jié)晶紫-d6等)；在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，采用了隱色結(jié)晶紫。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述有源層24采用金屬氧化物制成。其中，所述金屬氧化物可選自銦鎵鋅氧化物(igzo)、氮氧鋅(znon)或/和銦錫氧化物(itzo)。所述有源層24的厚度可以為500-1000nm。

作為本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述源漏極層22可以采用銅、鉬、鋁、鉬鈮合金或者鉬銅合金等。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述遮光層23的厚度小于等于所述源漏極層22的厚度。圖3a為本發(fā)明實(shí)施例的遮光層的厚度小于等于源漏極層時(shí)，背面曝光前的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3b為本發(fā)明實(shí)施例的遮光層的厚度小于等于源漏極層時(shí)，背面曝光后的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4a為本發(fā)明實(shí)施例的遮光層的厚度大于源漏極層時(shí)，背面曝光前的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4b為本發(fā)明實(shí)施例的遮光層的厚度大于源漏極層時(shí)，背面曝光后的結(jié)構(gòu)示意圖。從圖中可以看出，由于是背面曝光，若所述遮光層23的厚度大于所述源漏極層22的厚度，則遮光層23留下來(lái)的部分容易形成倒梯形，造成后續(xù)沉積的有源層與源漏極層之間接觸不良或斷裂。因此，本發(fā)明的遮光層23的厚度小于等于所述源漏極層22的厚度，可以提高有源層與源漏極層之間的接觸良性，避免遮光層或者有源層斷裂。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述源漏極層的厚度為1-2μm。進(jìn)一步地，所述遮光層的厚度為小于1μm，以保證有源層與源漏極層之間的接觸良性，還可以保證有效地減少漏光對(duì)有源區(qū)影響，從而有效地提升了產(chǎn)品良率和器件性能。

本發(fā)明還提供了一種頂柵型薄膜晶體管的制作方法，如圖5所示，包括以下步驟：

步驟51：在襯底基板上形成遮光層，其中，所述遮光層采用非金屬材料制成；

步驟52：在所述遮光層上形成有源層。

可見，本發(fā)明提供的頂柵型薄膜晶體管的制作方法以光固化有機(jī)硅材料作為遮光層，不但避免了金屬層作為遮光層所產(chǎn)生的寄生電容，還省去了金屬濺射沉積和刻蝕的步驟，可以有效減少工藝復(fù)雜度，縮減工序，從而提高器件制程的效率和良率。

具體地，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述頂柵型薄膜晶體管的制作方法包括以下步驟：

在襯底基板上形成源漏極層和遮光層，其中，所述遮光層采用非金屬材料制成；

在遮光層上形成有源層。

在有源層和源漏極層上形成絕緣層；

在絕緣層上形成柵極；

在柵極和絕緣層上形成鈍化層；

在鈍化層上形成像素電極。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述在襯底基板上形成遮光層的步驟包括：

在襯底基板上沉積源漏金屬薄膜，對(duì)所述源漏金屬薄膜進(jìn)行圖像化，形成源漏極層；

在所述源漏極層上沉積或者涂布非金屬材料薄膜，以所述源漏極層作為掩膜版，對(duì)所述非金屬材料薄膜進(jìn)行背面曝光顯影，形成遮光層。

因此，本發(fā)明提供的頂柵型薄膜晶體管的制作方法可以利用自對(duì)準(zhǔn)曝光技術(shù)(自對(duì)準(zhǔn)曝光相當(dāng)于不用額外的掩膜版，直接用源漏極層做光罩掩模)進(jìn)行背面曝光，省去了一層光罩的制作，從而可以有效減少工藝復(fù)雜度，縮減工序。

下面對(duì)所述頂柵型薄膜晶體管的制作方法進(jìn)行詳細(xì)描述，包括以下步驟：

步驟61：在襯底基板上形成源漏極層。

參考圖7，其為本發(fā)明實(shí)施例在襯底基板上形成源漏極層的結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，在該步驟中，先在襯底基板21上沉積源漏金屬薄膜，然后對(duì)所述源漏金屬薄膜進(jìn)行圖像化，形成源漏極層22。較佳地，在沉積源漏金屬薄膜前，先對(duì)襯底基板21進(jìn)行清洗。作為本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述源漏極層22可以采用銅、鉬、鋁、鉬鈮合金或者鉬銅合金等。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述源漏極層的厚度可以為1-2μm。需要說(shuō)明的是，所述襯底基板21一般選用玻璃基板。

步驟62：在襯底基板上形成遮光層。

參考圖8，其為本發(fā)明實(shí)施例在襯底基板上形成遮光層的結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，在該步驟中，在所述源漏極層22上沉積或者涂布非金屬材料薄膜，以所述源漏極層22作為掩膜版，對(duì)所述非金屬材料薄膜進(jìn)行背面曝光顯影(從襯底基板21側(cè)進(jìn)行曝光)，形成遮光層23。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述非金屬材料可以是光固化有機(jī)硅材料。本發(fā)明以光固化有機(jī)硅材料作為遮光層，不但避免了金屬層作為遮光層所產(chǎn)生的寄生電容，還省去了金屬濺射沉積和刻蝕的步驟，可以有效減少工藝復(fù)雜度，縮減工序，從而提高器件制程的效率和良率。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述非金屬材料還可以是光固化有機(jī)硅材料。所述光固化有機(jī)硅材料為負(fù)性光阻，可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)曝光技術(shù)進(jìn)行背面曝光(自對(duì)準(zhǔn)曝光相當(dāng)于不用額外的掩膜版，直接用源漏極層做光罩掩模)，曝光部分留下，形成遮光層23，從而有效減少工藝復(fù)雜度，縮減工序。

具體地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述光固化有機(jī)硅材料可以為籠型聚倍半硅氧烷，所述籠型聚倍半硅氧烷的結(jié)構(gòu)如下所示：

其中，r為負(fù)性膠光敏基團(tuán)。

在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，所述光固化有機(jī)硅材料也可以為線性有機(jī)硅樹脂，所述線性有機(jī)硅樹脂的結(jié)構(gòu)如下所示：

其中，r為負(fù)性膠光敏基團(tuán)。

更為具體地，在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，上述結(jié)構(gòu)式中的r可以選自丙烯酸酯類、甲基丙烯酸酯類負(fù)性膠光敏基團(tuán)中的任意一種或者多種，包括但不限于甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甘油酯等。從而可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)曝光技術(shù)進(jìn)行背面曝光，使曝光部分留下，形成遮光層23，從而有效減少工藝復(fù)雜度，縮減工序。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明僅僅是示例性地列舉了可以作為遮光層的非金屬材料，但并不限于上述非金屬材料，在本發(fā)明的教導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要選擇其他非金屬材料作為遮光層，從而達(dá)到解決存在寄生電容和制程工藝復(fù)雜的技術(shù)問(wèn)題的目的。

為了提高遮光層23的遮光效果，可以進(jìn)一步地在非金屬材料中添加遮光材料。具體地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述光固化有機(jī)硅材料中添加有熒烷黑類染料和/或結(jié)晶紫類染料，以提高遮光效果，減少光對(duì)有源層的影響。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述遮光層的厚度小于等于所述源漏極層的厚度，以提高有源層與源漏極層之間的接觸良性，避免遮光層或者有源層斷裂。進(jìn)一步地，所述遮光層的厚度為小于1μm，以保證有源層與源漏極層之間的接觸良性，還可以保證有效地減少漏光對(duì)有源區(qū)影響，從而有效地提升了產(chǎn)品良率和器件性能。

步驟63：在遮光層上形成有源層。

參考圖9，其為本發(fā)明實(shí)施例在遮光層上形成有源層的結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，在該步驟中，所述有源層24的材質(zhì)通常為半導(dǎo)體，可以采用金屬氧化物制成，也可以采用氫化非晶硅(a-si:h)制成，也可以采用低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)制成，以提供導(dǎo)電溝道。優(yōu)選地，具體的金屬氧化物可以為含有in、zn、ga和sn中的至少一種的金屬氧化物，例如所述金屬氧化物可選自銦鎵鋅氧化物(igzo)、銦錫鋅氧化物(iszo)、氮氧鋅(znon)或/和銦錫氧化物(itzo)。

步驟64：在有源層和源漏極層上形成絕緣層。

參考圖10，其為本發(fā)明實(shí)施例在有源層和源漏極層上形成絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，在該步驟中，在有源層24和源漏極層22上沉積絕緣材料薄膜(例如sinx或者sio2)，然后進(jìn)行光刻圖形化，從而形成絕緣層25。所述絕緣材料也可以為有機(jī)絕緣材料。

步驟65：在絕緣層上形成柵極。

參考圖11，其為本發(fā)明實(shí)施例在絕緣層上形成柵極的結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，在該步驟中，所述柵極26可以為銅等金屬，或者多層金屬疊層。

步驟66：在柵極和絕緣層上形成鈍化層。

參考圖12，其為本發(fā)明實(shí)施例在柵極和絕緣層上形成鈍化層的結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，在該步驟中，在柵極和絕緣層上沉積鈍化材料薄膜，然后對(duì)所述鈍化材料薄膜進(jìn)行圖像化，形成鈍化層27。所述鈍化層27起到絕緣、封裝的作用。

步驟67：在絕緣層和鈍化層上形成過(guò)孔。

參考圖13，其為本發(fā)明實(shí)施例在鈍化層和絕緣層上形成過(guò)孔的結(jié)構(gòu)示意圖。在該實(shí)施例中，在形成絕緣層25后不開孔，等到鈍化層27形成后，一起開孔打通到源漏極層22，從而形成過(guò)孔29。

步驟68：在鈍化層上形成像素電極。

參考圖14，其為本發(fā)明實(shí)施例在鈍化層上形成像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖。在該步驟中，在鈍化層上形成導(dǎo)電材料薄膜，然后對(duì)所述導(dǎo)電材料薄膜進(jìn)行圖像化，形成像素電極。所述像素電極28通過(guò)設(shè)置在所述鈍化層27和所述絕緣層25上的過(guò)孔29與所述源漏極層22連接。所述像素電極28可以為透明導(dǎo)電膜層，例如氧化銦錫透明導(dǎo)電膜層。

作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，如圖15所示，所述頂柵型薄膜晶體管的制作方法包括以下步驟：

步驟151：在襯底基板上形成源漏極層；

步驟152：在襯底基板上形成遮光層；

步驟153：在遮光層上形成有源層；

步驟154：在有源層和源漏極層上形成絕緣層；

步驟155：在絕緣層上形成過(guò)孔；

步驟156：在絕緣層上形成柵極；

步驟157：在柵極和絕緣層上形成鈍化層；

步驟158：在鈍化層上形成過(guò)孔；

步驟159：在鈍化層上形成像素電極。

其中，步驟151、步驟152、步驟153、步驟154、步驟156、步驟157、步驟159可與前文相同，在此不再贅述。

如圖16-17所示，在該實(shí)施例中，采用分步開孔的方式：在形成絕緣層25后先開孔，然后制作柵極26和鈍化層27，再對(duì)鈍化層27進(jìn)行開孔并打通到源漏極層22。

本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括上述任意一個(gè)實(shí)施例中的頂柵型薄膜晶體管，可以減少和降低氧化物薄膜晶體管陣列基板制造工藝的復(fù)雜程度。

本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括上述任意一個(gè)實(shí)施例中的頂柵型薄膜晶體管。

由此可見，本發(fā)明提供的頂柵型薄膜晶體管以非金屬材料作為遮光層，不但避免了金屬層作為遮光層所產(chǎn)生的寄生電容，并且可以有效地減少漏光對(duì)有源區(qū)影響，從而有效地提升了產(chǎn)品良率和器件性能。還可以簡(jiǎn)化薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，從而可以有效地減少工藝復(fù)雜度，縮減薄膜晶體管的制作工序。而且，本發(fā)明提供的頂柵型薄膜晶體管的制作方法可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)曝光技術(shù)進(jìn)行背面曝光(自對(duì)準(zhǔn)曝光相當(dāng)于不用額外的掩膜版，直接用源漏極層做光罩掩模)，曝光部分留下，形成遮光層23，從而有效減少工藝復(fù)雜度，縮減工序。

所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：以上任何實(shí)施例的討論僅為示例性的，并非旨在暗示本公開的范圍(包括權(quán)利要求)被限于這些例子；在本發(fā)明的思路下，以上實(shí)施例或者不同實(shí)施例中的技術(shù)特征之間也可以進(jìn)行組合，并存在如上所述的本發(fā)明的不同方面的許多其它變化，為了簡(jiǎn)明它們沒有在細(xì)節(jié)中提供。因此，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何省略、修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。