本發(fā)明屬于技術(shù)太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

相對(duì)于傳統(tǒng)制絨，其多晶硅表面結(jié)構(gòu)均為微米級(jí)蠕蟲狀結(jié)構(gòu)，反射率控制在24%左右，具有很大的提升空間；黑硅技術(shù)發(fā)現(xiàn)于20世紀(jì)90年代末，哈佛大學(xué)ericmazur教授等[appliedphysicsletters，1998，73(12)：1673~1675]使用飛秒激光技術(shù)獲得了對(duì)近紫外至近紅外波段的光(0.25～2.5μm)幾乎全部吸收的黑硅。目前光伏技術(shù)中制備的“黑硅”，具有良好的陷光作用，能夠顯著降低硅片表面的反射率，被認(rèn)為是可以有效提高太陽能電池轉(zhuǎn)化效率的結(jié)構(gòu)。目前有許多不同的方法制備出黑硅，如飛秒激光脈沖法、等離子體刻蝕法及金屬離子輔助刻蝕法等；因初步制備的黑硅結(jié)構(gòu)并且反射率可以做的很低。但這種原始的黑硅納米陷光結(jié)構(gòu)通常具有結(jié)構(gòu)較小、密、深且缺陷多，目前的技術(shù)均會(huì)對(duì)原始黑硅結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，優(yōu)化的方法目前大多為使用堿處理，處理后的硅片結(jié)構(gòu)多為孔狀或是倒金字塔結(jié)構(gòu)。

多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)為使用一種充分利用酸堿腐蝕特性的濕化學(xué)方法制成，利用各項(xiàng)同性和各向異性的雙重特點(diǎn)，可以將不同納米結(jié)構(gòu)的黑硅通過氧化腐蝕成具有規(guī)則的蜂巢狀結(jié)構(gòu)的納米絨面結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果是多晶黑硅表面重構(gòu)的結(jié)構(gòu)為蜂巢狀結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)相比孔狀或倒金字塔結(jié)構(gòu)的陷光效果更優(yōu)，光在蜂巢狀結(jié)構(gòu)中的反射次數(shù)更多，且此大小的結(jié)構(gòu)，可以更好的保證黑硅低反射率的特性且結(jié)構(gòu)中每個(gè)面均能更好的覆蓋鈍化膜，產(chǎn)生更優(yōu)異的鈍化效果，從而改善了多晶太陽電池的電性能，有效提升了電池的轉(zhuǎn)化效率。且工藝簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)大面積批量生產(chǎn)，擁有很廣泛的應(yīng)用市場(chǎng)。

因此，如何增加硅片表面光的吸收，同時(shí)不增加其表面復(fù)合，能夠提高太陽電池轉(zhuǎn)化效率，且方法便捷可行可產(chǎn)業(yè)化，具有重要意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

s1、將多晶硅硅片置于溶液a中進(jìn)行清洗，去除多晶硅硅片表面的機(jī)械損傷層；

所述溶液a按照體積百分比濃度包括：hf3%~10%、hno315%~38%、di純水52%~82%；

s2、將清洗好的多晶硅硅片進(jìn)行黑硅制備，采用金屬離子輔助刻蝕法或使用飛秒激光脈沖法或反應(yīng)離子刻蝕法進(jìn)行，制備成黑硅硅片；

s3、將制備好的黑硅硅片進(jìn)行浸洗，去除殘留金屬顆粒；

s4、將清洗后的黑硅硅片置于溶液c中進(jìn)行結(jié)構(gòu)重構(gòu)，再將重構(gòu)后的黑硅硅片置于溶液d中進(jìn)行處理，即可在多晶硅硅片表面制得蜂巢狀結(jié)構(gòu)；

所述s4中溶液c按照體積百分比濃度包括：hf2%~8%、hno320%~48%、h2o20%~4%、余量為di純水，反應(yīng)溫度為5℃~12℃，反應(yīng)時(shí)間為50s~500s。

進(jìn)一步的，所述s1中將多晶硅硅片置于溶液a中清洗的反應(yīng)溫度為7℃~9℃，反應(yīng)時(shí)間為1~2min。

進(jìn)一步的，所述s2中金屬離子輔助刻蝕法：將去除損傷層后的多晶硅硅片置于hf、h2o2、agno3、cu(no3)2及di純水的混合溶液中，其中hf體積百分比濃度為0.3%~5%、h2o2體積百分比濃度為0%~4%、固體agno3物質(zhì)的量濃度為0.01mol/l~2mol/l、固體cu(no3)2物質(zhì)的量濃度為0mol/l~3mol/l、余量為di純水，使用此混合溶液中進(jìn)行初步腐蝕，反應(yīng)溫度為8℃~30℃，反應(yīng)時(shí)間為10~300s，再將初步腐蝕后的多晶硅硅片置于按照體積百分比濃度包括hf2%~8%、h2o21%~5%、di純水87%~97%的混合溶液中進(jìn)行深度腐蝕，反應(yīng)溫度為8℃~60℃，反應(yīng)時(shí)間為10s~500s，得到黑硅硅片。

進(jìn)一步的，所述s2中飛秒激光脈沖法：用激光脈沖法進(jìn)行黑硅制作，將多晶硅硅片形成掩膜層，在掩膜層上形成預(yù)定圖形通孔陣列，對(duì)圖形掩膜多晶硅硅片進(jìn)行刻蝕，在多晶硅硅片上形成預(yù)定圖形凹槽陣列，去除掩膜層，將多晶硅硅片置于六氟化硫或硫化氫氣體中，使用400~1000nm波長(zhǎng)的激光，其脈沖為500~2100個(gè)輻照硅片，得到黑硅硅片。

進(jìn)一步的，所述s2中反應(yīng)離子刻蝕法：將多晶硅硅片置于真空室中，用低能離子束均勻照射多晶硅硅片，然后將照射后的多晶硅硅片置于反應(yīng)離子刻蝕真空室中，制得黑硅硅片。

進(jìn)一步的，所述s3中將制備好的黑硅硅片置于溶液b中浸洗，反應(yīng)溫度為8℃~70℃，反應(yīng)時(shí)間為60s~500s。

進(jìn)一步的，所述s3中溶液b按照體積百分比濃度包括：h2o22%~6%、nh4oh1%~5%、di純水89%~97%。

進(jìn)一步的，所述s4中溶液d為體積分?jǐn)?shù)0.1~3%的koh水溶液，反應(yīng)溫度為15℃~35℃，反應(yīng)時(shí)間為10s~80s。

一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)，多晶硅硅片表面有若干個(gè)均勻分布的蜂巢狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)蜂巢狀結(jié)構(gòu)均為多邊形開口，沿多邊形開口的每個(gè)面均向多晶硅硅片內(nèi)部?jī)A斜延伸，且沿多邊形開口的每個(gè)面均為多邊形，每個(gè)蜂巢狀結(jié)構(gòu)的位于多晶硅硅片表面的開口大于其內(nèi)部的延伸的底面；蜂巢狀結(jié)構(gòu)的多邊形開口直徑為100~1000納米、垂直深度為50~800納米。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明使用濕化學(xué)方法制成，充分利用酸堿腐蝕特性，利用各項(xiàng)同性和各向異性的雙重特點(diǎn)，可以將不同納米結(jié)構(gòu)的黑硅通過氧化腐蝕成具有規(guī)則的蜂巢狀結(jié)構(gòu)的納米絨面結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，蜂巢狀結(jié)構(gòu)相比孔狀或倒金字塔結(jié)構(gòu)的陷光效果更優(yōu)，光在蜂巢狀結(jié)構(gòu)中的反射次數(shù)更多，且此大小的結(jié)構(gòu)，可以更好的保證黑硅低反射率的特性且結(jié)構(gòu)中每個(gè)面均能更好的覆蓋鈍化膜，產(chǎn)生更優(yōu)異的鈍化效果，從而改善了多晶太陽電池的電性能，有效提升了電池的轉(zhuǎn)化效率。且工藝簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)大面積批量生產(chǎn)，擁有很廣泛的應(yīng)用市場(chǎng)。

附圖說明

圖1是實(shí)施例1中多晶表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)正面sem圖像

圖2是實(shí)施例1中多晶表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)截面sem圖像；

圖3是對(duì)比例1中黑硅未再處理sem圖像；

圖4是對(duì)比例2中常規(guī)絨面sem圖像。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作更進(jìn)一步的說明。

實(shí)施例1

一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

s1、將多晶硅硅片置于溶液a中進(jìn)行清洗，去除多晶硅硅片表面的機(jī)械損傷層；

所述溶液a按照體積百分比濃度包括：hf6%、hno333%、di純水61%，其中hf、hno3均不含水；

s2、將清洗好的多晶硅硅片進(jìn)行黑硅制備，采用金屬離子輔助刻蝕法或使用飛秒激光脈沖法或反應(yīng)離子刻蝕法進(jìn)行，制備成黑硅硅片；

s3、將制備好的黑硅硅片進(jìn)行浸洗，去除殘留金屬顆粒；

s4、將清洗后的黑硅硅片置于溶液c中進(jìn)行結(jié)構(gòu)重構(gòu)，再將重構(gòu)后的黑硅硅片置于溶液d中進(jìn)行處理，即可在多晶硅硅片表面制得蜂巢狀結(jié)構(gòu)；

所述s4中溶液c按照體積百分比濃度包括：hf5%、hno336%、di純水59%，反應(yīng)溫度為7℃，反應(yīng)時(shí)間為80s；其中hf、hno3均不含水；

所述s1中將多晶硅硅片置于溶液a中清洗的反應(yīng)溫度為7℃，反應(yīng)時(shí)間為110s。

所述s2中金屬離子輔助刻蝕法：將去除損傷層后的多晶硅硅片置于hf、agno3、cu(no3)2及di純水的混合溶液中，其中hf體積百分比濃度為0.8%、固體agno3物質(zhì)的量濃度為0.03mol/l、固體cu(no3)2物質(zhì)的量濃度為0.1mol/l、余量為di純水，使用此混合溶液中進(jìn)行初步腐蝕，反應(yīng)溫度為23℃，反應(yīng)時(shí)間為80s，再將初步腐蝕后的多晶硅硅片置于按照體積百分比濃度包括hf4%、h2o21.4%、di純水94.6%的混合溶液中進(jìn)行深度腐蝕，反應(yīng)溫度為23℃，反應(yīng)時(shí)間為180s，得到黑硅硅片；其中hf、h2o2均不含水。

所述s2中飛秒激光脈沖法：用激光脈沖法進(jìn)行黑硅制作，將多晶硅硅片形成掩膜層，在掩膜層上形成預(yù)定圖形通孔陣列，對(duì)圖形掩膜多晶硅硅片進(jìn)行刻蝕，在多晶硅硅片上形成預(yù)定圖形凹槽陣列，去除掩膜層，將多晶硅硅片置于六氟化硫或硫化氫氣體中，使用400nm波長(zhǎng)的激光，其脈沖為500個(gè)輻照硅片，得到黑硅硅片。

所述s2中反應(yīng)離子刻蝕法：將多晶硅硅片置于真空室中，用低能離子束均勻照射多晶硅硅片，然后將照射后的多晶硅硅片置于反應(yīng)離子刻蝕真空室中，制得黑硅硅片。

所述s3中將制備好的黑硅硅片置于溶液b中浸洗，反應(yīng)溫度為7℃，反應(yīng)時(shí)間為60s。

所述s3中溶液b按照體積百分比濃度包括：h2o24.5%、nh4oh2.8%、di純水92.7%，其中h2o2、nh4oh均不含水。

所述s4中溶液d為體積分?jǐn)?shù)2%的koh水溶液，反應(yīng)溫度為20℃，反應(yīng)時(shí)間為20s。

一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)，多晶硅硅片表面有若干個(gè)均勻分布的蜂巢狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)蜂巢狀結(jié)構(gòu)均為多邊形開口，沿多邊形開口的每個(gè)面均向多晶硅硅片內(nèi)部?jī)A斜延伸，且沿多邊形開口的每個(gè)面均為多邊形，每個(gè)蜂巢狀結(jié)構(gòu)的位于多晶硅硅片表面的開口大于其內(nèi)部的延伸的底面；蜂巢狀結(jié)構(gòu)的多邊形開口直徑為100~300納米、垂直深度為50~100納米。

重構(gòu)后黑硅表面sem圖像如圖1（正面圖）、圖2（截面圖）所示。

實(shí)施例2

一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

s1、將多晶硅硅片置于溶液a中進(jìn)行清洗，去除多晶硅硅片表面的機(jī)械損傷層；

所述溶液a按照體積百分比濃度包括：hf3%、hno315%、di純水82%；

s2、將清洗好的多晶硅硅片進(jìn)行黑硅制備，采用金屬離子輔助刻蝕法或使用飛秒激光脈沖法或反應(yīng)離子刻蝕法進(jìn)行，制備成黑硅硅片；

s3、將制備好的黑硅硅片進(jìn)行浸洗，去除殘留金屬顆粒；

s4、將清洗后的黑硅硅片置于溶液c中進(jìn)行結(jié)構(gòu)重構(gòu)，再將重構(gòu)后的黑硅硅片置于溶液d中進(jìn)行處理，即可在多晶硅硅片表面制得蜂巢狀結(jié)構(gòu)；

所述s4中溶液c按照體積百分比濃度包括：hf2%、hno348%、di純水50%，反應(yīng)溫度為5℃，反應(yīng)時(shí)間為50s；

所述s1中將多晶硅硅片置于溶液a中清洗的反應(yīng)溫度為7℃，反應(yīng)時(shí)間為1s。

所述s2中金屬離子輔助刻蝕法：將去除損傷層后的多晶硅硅片置于hf、h2o2、agno3及di純水的混合溶液中，其中hf體積百分比濃度為0.3%、h2o2體積百分比濃度為2%、固體agno3物質(zhì)的量濃度為2mol/l、余量為di純水，使用此混合溶液中進(jìn)行初步腐蝕，反應(yīng)溫度為8℃，反應(yīng)時(shí)間為10s，再將初步腐蝕后的多晶硅硅片置于按照體積百分比濃度包括hf2%、h2o21%、di純水97%的混合溶液中進(jìn)行深度腐蝕，反應(yīng)溫度為8℃，反應(yīng)時(shí)間為10s，得到黑硅硅片。

所述s2中飛秒激光脈沖法：用激光脈沖法進(jìn)行黑硅制作，將多晶硅硅片形成掩膜層，在掩膜層上形成預(yù)定圖形通孔陣列，對(duì)圖形掩膜多晶硅硅片進(jìn)行刻蝕，在多晶硅硅片上形成預(yù)定圖形凹槽陣列，去除掩膜層，將多晶硅硅片置于六氟化硫氣體中，使用400nm波長(zhǎng)的激光，其脈沖為500個(gè)輻照硅片，得到黑硅硅片。

所述s2中反應(yīng)離子刻蝕法：將多晶硅硅片置于真空室中，用低能離子束均勻照射多晶硅硅片，然后將照射后的多晶硅硅片置于反應(yīng)離子刻蝕真空室中，制得黑硅硅片。

所述s3中將制備好的黑硅硅片置于溶液b中浸洗，反應(yīng)溫度為8℃，反應(yīng)時(shí)間為60s。

所述s3中溶液b按照體積百分比濃度包括：h2o22%、nh4oh1%、di純水97%。

所述s4中溶液d為體積分?jǐn)?shù)0.1%的koh水溶液，反應(yīng)溫度為15℃，反應(yīng)時(shí)間為10s。

一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)，多晶硅硅片表面有若干個(gè)均勻分布的蜂巢狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)蜂巢狀結(jié)構(gòu)均為多邊形開口，沿多邊形開口的每個(gè)面均向多晶硅硅片內(nèi)部?jī)A斜延伸，且沿多邊形開口的每個(gè)面均為多邊形，每個(gè)蜂巢狀結(jié)構(gòu)的位于多晶硅硅片表面的開口大于其內(nèi)部的延伸的底面；蜂巢狀結(jié)構(gòu)的多邊形開口直徑為100~300納米、垂直深度為50~100納米。

實(shí)施例3

一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

s1、將多晶硅硅片置于溶液a中進(jìn)行清洗，去除多晶硅硅片表面的機(jī)械損傷層；

所述溶液a按照體積百分比濃度包括：hf10%、hno338%、di純水52%；

s2、將清洗好的多晶硅硅片進(jìn)行黑硅制備，采用金屬離子輔助刻蝕法或使用飛秒激光脈沖法或反應(yīng)離子刻蝕法進(jìn)行，制備成黑硅硅片；

s3、將制備好的黑硅硅片進(jìn)行浸洗，去除殘留金屬顆粒；

s4、將清洗后的黑硅硅片置于溶液c中進(jìn)行結(jié)構(gòu)重構(gòu)，再將重構(gòu)后的黑硅硅片置于溶液d中進(jìn)行處理，即可在多晶硅硅片表面制得蜂巢狀結(jié)構(gòu)；

所述s4中溶液c按照體積百分比濃度包括：hf8%、hno320%、h2o24%、di純水68%，反應(yīng)溫度為10℃，反應(yīng)時(shí)間為300s；

所述s1中將多晶硅硅片置于溶液a中清洗的反應(yīng)溫度為8℃，反應(yīng)時(shí)間為1.5min。

所述s2中金屬離子輔助刻蝕法：將去除損傷層后的多晶硅硅片置于hf、h2o2、agno3、cu(no3)2及di純水的混合溶液中，其中hf體積百分比濃度為5%、h2o2體積百分比濃度為1%、固體agno3物質(zhì)的量濃度為0.01mol/l、固體cu(no3)2物質(zhì)的量濃度為3mol/l、余量為di純水，使用此混合溶液中進(jìn)行初步腐蝕，反應(yīng)溫度為20℃，反應(yīng)時(shí)間為200s，再將初步腐蝕后的多晶硅硅片置于按照體積百分比濃度包括hf8%、h2o25%、di純水87%的混合溶液中進(jìn)行深度腐蝕，反應(yīng)溫度為30℃，反應(yīng)時(shí)間為200s，得到黑硅硅片。

所述s2中飛秒激光脈沖法：用激光脈沖法進(jìn)行黑硅制作，將多晶硅硅片形成掩膜層，在掩膜層上形成預(yù)定圖形通孔陣列，對(duì)圖形掩膜多晶硅硅片進(jìn)行刻蝕，在多晶硅硅片上形成預(yù)定圖形凹槽陣列，去除掩膜層，將多晶硅硅片置于六氟化硫氣體中，使用500nm波長(zhǎng)的激光，其脈沖為1100個(gè)輻照硅片，得到黑硅硅片。

所述s2中反應(yīng)離子刻蝕法：將多晶硅硅片置于真空室中，用低能離子束均勻照射多晶硅硅片，然后將照射后的多晶硅硅片置于反應(yīng)離子刻蝕真空室中，制得黑硅硅片。

所述s3中將制備好的黑硅硅片置于溶液b中浸洗，反應(yīng)溫度為20℃，反應(yīng)時(shí)間為300s。

所述s3中溶液b按照體積百分比濃度包括：h2o26%、nh4oh5%、di純水89%。

所述s4中溶液d為體積分?jǐn)?shù)2%的koh水溶液，反應(yīng)溫度為25℃，反應(yīng)時(shí)間為50s。

一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)，多晶硅硅片表面有若干個(gè)均勻分布的蜂巢狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)蜂巢狀結(jié)構(gòu)均為多邊形開口，沿多邊形開口的每個(gè)面均向多晶硅硅片內(nèi)部?jī)A斜延伸，且沿多邊形開口的每個(gè)面均為多邊形，每個(gè)蜂巢狀結(jié)構(gòu)的位于多晶硅硅片表面的開口大于其內(nèi)部的延伸的底面；蜂巢狀結(jié)構(gòu)的多邊形開口直徑為300~800納米、垂直深度為200~500納米。

實(shí)施例4

一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

s1、將多晶硅硅片置于溶液a中進(jìn)行清洗，去除多晶硅硅片表面的機(jī)械損傷層；

所述溶液a按照體積百分比濃度包括：hf5%、hno320%、di純水75%；

s2、將清洗好的多晶硅硅片進(jìn)行黑硅制備，采用金屬離子輔助刻蝕法或使用飛秒激光脈沖法或反應(yīng)離子刻蝕法進(jìn)行，制備成黑硅硅片；

s3、將制備好的黑硅硅片進(jìn)行浸洗，去除殘留金屬顆粒；

s4、將清洗后的黑硅硅片置于溶液c中進(jìn)行結(jié)構(gòu)重構(gòu)，再將重構(gòu)后的黑硅硅片置于溶液d中進(jìn)行處理，即可在多晶硅硅片表面制得蜂巢狀結(jié)構(gòu)；

所述s4中溶液c按照體積百分比濃度包括：hf5%、hno330%、h2o23%、di純水62%，反應(yīng)溫度為12℃，反應(yīng)時(shí)間為500s；

所述s1中將多晶硅硅片置于溶液a中清洗的反應(yīng)溫度為9℃，反應(yīng)時(shí)間為2min。

所述s2中金屬離子輔助刻蝕法：將去除損傷層后的多晶硅硅片置于hf、h2o2、agno3、cu(no3)2及di純水的混合溶液中，其中hf體積百分比濃度為2.5%、h2o2體積百分比濃度為4%、固體agno3物質(zhì)的量濃度為1mol/l、固體cu(no3)2物質(zhì)的量濃度為1.5mol/l、余量為di純水，使用此混合溶液中進(jìn)行初步腐蝕，反應(yīng)溫度為30℃，反應(yīng)時(shí)間為300s，再將初步腐蝕后的多晶硅硅片置于按照體積百分比濃度包括hf3%、h2o23%、di純水94%的混合溶液中進(jìn)行深度腐蝕，反應(yīng)溫度為60℃，反應(yīng)時(shí)間為500s，得到黑硅硅片。

所述s2中飛秒激光脈沖法：用激光脈沖法進(jìn)行黑硅制作，將多晶硅硅片形成掩膜層，在掩膜層上形成預(yù)定圖形通孔陣列，對(duì)圖形掩膜多晶硅硅片進(jìn)行刻蝕，在多晶硅硅片上形成預(yù)定圖形凹槽陣列，去除掩膜層，將多晶硅硅片置于硫化氫氣體中，使用1000nm波長(zhǎng)的激光，其脈沖為2100個(gè)輻照硅片，得到黑硅硅片。

所述s2中反應(yīng)離子刻蝕法：將多晶硅硅片置于真空室中，用低能離子束均勻照射多晶硅硅片，然后將照射后的多晶硅硅片置于反應(yīng)離子刻蝕真空室中，制得黑硅硅片。

所述s3中將制備好的黑硅硅片置于溶液b中浸洗，反應(yīng)溫度為70℃，反應(yīng)時(shí)間為500s。

所述s3中溶液b按照體積百分比濃度包括：h2o25%、nh4oh3%、di純水92%。

所述s4中溶液d為體積分?jǐn)?shù)3%的koh水溶液，反應(yīng)溫度為35℃，反應(yīng)時(shí)間為80s。

一種多晶硅表面蜂巢狀結(jié)構(gòu)，多晶硅硅片表面有若干個(gè)均勻分布的蜂巢狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)蜂巢狀結(jié)構(gòu)均為多邊形開口，沿多邊形開口的每個(gè)面均向多晶硅硅片內(nèi)部?jī)A斜延伸，且沿多邊形開口的每個(gè)面均為多邊形，每個(gè)蜂巢狀結(jié)構(gòu)的位于多晶硅硅片表面的開口大于其內(nèi)部的延伸的底面；蜂巢狀結(jié)構(gòu)的多邊形開口直徑為800~1000納米、垂直深度為400~800納米。

對(duì)比例1

對(duì)比例1是未進(jìn)行再處理的納米黑硅結(jié)構(gòu)，sem圖像如圖3所示，直接使用該黑硅進(jìn)行電池制作，其復(fù)合中心會(huì)非常多，嚴(yán)重降低電池效率。

對(duì)比例2

常規(guī)多晶硅表面結(jié)構(gòu)制作方法過程如下：使用氫氟酸、硝酸和純水混合液對(duì)原始硅片進(jìn)行絨面結(jié)構(gòu)制作，再用一定濃度的堿對(duì)硅片表面進(jìn)行清洗，最后再經(jīng)過氫氟酸酸洗和水洗后即可。

測(cè)試對(duì)比例2中常規(guī)多晶表面反射率為24%，sem圖像如圖4所示。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出：對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。