技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。該半導(dǎo)體器件集成了吸收電路用于吸收半導(dǎo)體器件切換時的尖峰電壓。該吸收電路包括多個偽溝槽柵結(jié)構(gòu)。偽溝槽柵包括從半導(dǎo)體器件的頂面垂直向下延伸進入半導(dǎo)體初始層的溝槽，溝槽中淀積導(dǎo)電材料，在溝槽的底面和側(cè)面生長溝槽電介質(zhì)層用于將導(dǎo)電材料和半導(dǎo)體初始層隔開。該偽溝槽柵結(jié)構(gòu)可以靈活設(shè)置吸收電路的電阻、電容值，提高半導(dǎo)體器件吸收尖峰電壓的能力。

技術(shù)研發(fā)人員：王懷峰;艾瑞克·布勞恩;汪玲
受保護的技術(shù)使用者：成都芯源系統(tǒng)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.31
技術(shù)公布日：2017.10.20