相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年3月24日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0035546號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益，該韓國專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用以其整體并入本文。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，更具體地，涉及可防止雜質(zhì)污染其發(fā)射層的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括有機(jī)發(fā)光裝置(oled)。oled包括空穴注入電極、電子注入電極和設(shè)置在空穴注入電極與電子注入電極之間的有機(jī)發(fā)射層。電子注入電極將電子遞送到有機(jī)發(fā)射層，而空穴注入電極將空穴遞送到有機(jī)發(fā)射層。隨著空穴與電子在有機(jī)發(fā)射層內(nèi)結(jié)合，激子被形成。隨著激子的激發(fā)態(tài)衰變，電子的能級(jí)釋放且光子被發(fā)射。通過這種方式，oled能夠產(chǎn)生光，并由此oled顯示器是能夠不需要使用背光單元來顯示圖像的自發(fā)光式顯示設(shè)備。

與需要使用背光的顯示裝置相比，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是自發(fā)光的，所以其可用低電壓驅(qū)動(dòng)并且可配置為具有輕的重量和小的尺寸。并且，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有寬視角、高對(duì)比度和快速的響應(yīng)速度，所以這種顯示技術(shù)是用于各種類型的電子裝置(例如便攜式媒體播放器、移動(dòng)電話和電視)的廣受歡迎的選擇。

已對(duì)制造柔性oled顯示設(shè)備，例如可折疊的oled顯示設(shè)備或可卷曲的oled顯示設(shè)備進(jìn)行了研發(fā)。

然而，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有的問題在于：諸如氣體或濕氣的雜質(zhì)可能從外部引入或可能在包括于顯示設(shè)備中的有機(jī)材料中產(chǎn)生。然后，這些雜質(zhì)可能在制造或使用期間滲透到oled中。滲透到oled中的雜質(zhì)然后可能導(dǎo)致在oled顯示設(shè)備上顯示的圖像的品質(zhì)劣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式包括有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有可防止其中待形成的圖像的品質(zhì)劣化或可減少劣化的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括襯底，襯底具有顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外側(cè)的外圍區(qū)域。第一絕緣層布置在顯示區(qū)域和外圍區(qū)域兩者內(nèi)。第一絕緣層布置在襯底上方并且具有位于外圍區(qū)域中的第一開口。第一電極布置在顯示區(qū)域內(nèi)并且位于第一絕緣層上方。第一堤在顯示區(qū)域和外圍區(qū)域兩者中布置在第一絕緣層上方。第一堤具有第二開口，第一電極的中心通過第二開口被暴露。第二堤布置在第一絕緣層上方并與第一堤相隔開。第一開口布置在第一堤與第二堤之間。中間層布置在第一電極上方。第二電極布置在中間層和第一堤上方。

從第一堤的面對(duì)第二堤的邊緣至第一開口的距離和從第二堤的面對(duì)第一堤的邊緣至第一開口的距離中的每個(gè)可為約4μm或大于4μm。

第一堤與第二堤之間的距離可為約15μm或大于15μm。

第二電極可以不布置在第一開口中并且可以不布置在第二堤上方。

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括導(dǎo)電層，導(dǎo)電層在第一絕緣層上方布置在外圍區(qū)域內(nèi)并且布置成覆蓋第一開口。

第一堤可包括多個(gè)區(qū)域，多個(gè)區(qū)域中的每個(gè)彼此相隔開以使得導(dǎo)電層的至少一部分被暴露。

第二電極可在多個(gè)區(qū)域之間與導(dǎo)電層接觸。

導(dǎo)電層可包括多個(gè)第三開口，多個(gè)第三開口布置在第一開口的周邊內(nèi)。

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括第二絕緣層，第二絕緣層布置在第一絕緣層下方并且包括無機(jī)材料。第二絕緣層的至少一部分可通過第一開口暴露。

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括覆蓋層，覆蓋層在顯示區(qū)域和外圍區(qū)域中布置在第二電極上方。

第二電極的至少一部分可通過覆蓋層暴露。

第一絕緣層、第一堤、第二堤和覆蓋層中的每個(gè)可包括有機(jī)材料。

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括封裝層。封裝層可布置在覆蓋層上方并且包括至少一個(gè)無機(jī)層和至少一個(gè)有機(jī)層。

第一開口可包圍顯示區(qū)域。

第一絕緣層可包括通過第一開口彼此相隔開的第一區(qū)域和第二區(qū)域。

第一開口可包括主開口和從主開口分支的多個(gè)分支開口。

顯示區(qū)域可包括四個(gè)拐角和連接四個(gè)拐角的四個(gè)邊緣。

主開口可定位成與四個(gè)拐角中的每個(gè)相鄰，并且多個(gè)分支開口可定位在四個(gè)邊緣中的至少兩個(gè)中。

主開口可分支成多個(gè)分支開口中的至少三個(gè)分支開口，并且至少三個(gè)分支開口可定位在四個(gè)邊緣中的至少一個(gè)中。

第一絕緣層還可包括第三區(qū)域，第三區(qū)域由多個(gè)分支開口圍繞。

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括導(dǎo)電層，導(dǎo)電層在第一絕緣層上方位于第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中。導(dǎo)電層可具有多個(gè)第三開口，多個(gè)第三開口位于第二區(qū)域和第三區(qū)域中的每個(gè)中。

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括襯底，襯底包括位于襯底的中心中的顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域。第一堤布置在襯底上。第一堤包括oled和與多個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的多個(gè)開口。第二堤與第一堤相隔開并且整體地布置在非顯示區(qū)域內(nèi)。絕緣層覆蓋第一堤和第二堤。絕緣層具有布置在第一堤與第二堤之間的開口以使得該開口將第一堤與第二堤相隔開。

第一堤和第二堤可各自包括與絕緣層相同的有機(jī)材料。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括第一電極，第一電極布置在顯示區(qū)域內(nèi)并且在顯示區(qū)域內(nèi)與絕緣層重疊。第一電極的中心可通過位于第一堤中的開口暴露。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括中間層和第二電極，其中中間層布置在第一電極上方，并且第二電極布置在中間層和第一堤上方。

附圖說明

通過結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行的以下描述，這些和/或其它方面將變得明確和更容易理解，在附圖中：

圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖；

圖2是示意性地示出圖1的區(qū)域a的平面圖；

圖3是示意性地示出圖1的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一部分的剖視圖；

圖4是示意性地示出有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一部分的剖視圖；

圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一部分的平面圖；

圖6是示意性地示出圖5的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一部分的剖視圖；以及

圖7是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一部分的平面圖。

具體實(shí)施方式

在描述附圖中所示的本公開的示例性實(shí)施方式時(shí)，為了清楚起見采用了特定術(shù)語。然而，本公開不旨在限于如此選擇的特定術(shù)語，并且應(yīng)當(dāng)理解，每個(gè)特定元件包括以類似方式操作的所有技術(shù)等同。

在整個(gè)附圖中，與其它部件相同或相似的那些部件可通過相同的附圖標(biāo)記指示，并且這些部件的冗余說明可省略。

并且，為了圖示的清楚性和解釋的便利性，附圖中的元件的尺寸和厚度可放大。相應(yīng)地，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不應(yīng)被視為必須限于如在附圖中出現(xiàn)的元件的尺寸和厚度。

圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖。圖2是圖1的區(qū)域a的放大平面圖。圖3是示意性地示出圖1的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一部分的剖視圖，以及圖4是示意性地示出根據(jù)示例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一部分的剖視圖。

參照?qǐng)D1至圖3，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1包括襯底110，襯底110具有顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa。外圍區(qū)域pa為布置在顯示區(qū)域da外側(cè)的非顯示區(qū)域。襯底110可包括各種材料，諸如玻璃、金屬、塑料等。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，襯底110可為柔性襯底。例如，襯底110可包括聚合物樹脂，諸如聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙酯、聚酰亞胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或乙酸丙酸纖維素(cap)。

襯底110的顯示區(qū)域da為供圖像顯示在其中的區(qū)域。顯示區(qū)域da可包括多個(gè)第一薄膜晶體管tft1和電連接到多個(gè)第一薄膜晶體管tft1的有機(jī)發(fā)光裝置(oled)130。oled130可經(jīng)由多個(gè)第一電極131電連接到多個(gè)第一薄膜晶體管tft1。多個(gè)第二薄膜晶體管tft2可布置在襯底110的外圍區(qū)域pa中。多個(gè)第二薄膜晶體管tft2可為配置成例如用于控制施加到顯示區(qū)域da的電信號(hào)的電路單元的一部分。

第一薄膜晶體管tft1中的每個(gè)可包括半導(dǎo)體層122、柵電極124、源電極126s和漏電極126d。半導(dǎo)體層122可包括非晶硅、多晶硅或有機(jī)半導(dǎo)體材料。柵電極124布置在半導(dǎo)體層122上方。源電極126s和漏電極126d彼此電連通，達(dá)到由施加到柵電極124的信號(hào)所指示的程度。柵電極124可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。柵電極124可包括鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、銀(ag)、鎂(mg)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鋰(li)、鈣(ca)、鉬(mo)、鈦(ti)、鎢(w)和銅(cu)中的一個(gè)或多個(gè)。柵電極124的精確成分可例如通過考慮與相鄰層的粘附性、待堆疊的層的表面平坦度和可加工性來確定。

為了使半導(dǎo)體層122與柵電極124充分絕緣，柵絕緣層113可布置在半導(dǎo)體層122與柵電極124之間。柵絕緣層113可包括無機(jī)材料，諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。此外，第二絕緣層115可布置在柵電極124的頂部處。源電極126s和漏電極126d可均布置在第二絕緣層115上方。第二絕緣層115可包括無機(jī)材料，諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。源電極126s和漏電極126d經(jīng)由通過第二絕緣層115和柵絕緣層113兩者形成的接觸孔電連接到半導(dǎo)體層122。

源電極126s和漏電極126d可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。源電極126s和漏電極126d可各自包括al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和/或cu。源電極126s和漏電極126d的精確成分可例如通過考慮導(dǎo)電性等來確定。包括無機(jī)材料的絕緣層可通過化學(xué)氣相沉積(cvd)或原子層沉積(ald)來形成。

緩沖層111可布置在第一薄膜晶體管tft1與襯底110之間。緩沖層111可包括無機(jī)材料，諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。緩沖層111可用于使襯底110的頂表面更平滑，從而最小化或防止來自襯底110的雜質(zhì)等滲透到第一薄膜晶體管tft1中的每個(gè)的半導(dǎo)體層122中。

第一絕緣層118可布置在第一薄膜晶體管tft1中的每個(gè)上方。例如，當(dāng)oled130布置在第一薄膜晶體管tft1上方時(shí)，第一絕緣層118可具有供第一電極131可平坦地形成在其上的平坦頂表面。例如，第一絕緣層118可由諸如丙烯醛基(acryl)、苯并環(huán)丁烯(bcb)、聚酰亞胺(pi)或六甲基二硅氧烷(hmdso)的有機(jī)材料形成。在圖3中，第一絕緣層118具有單層結(jié)構(gòu)。然而，可選地，第一絕緣層118可具有多層結(jié)構(gòu)。第一絕緣層118可布置在襯底110的顯示區(qū)域da和顯示區(qū)域da外側(cè)的外圍區(qū)域pa中。第一絕緣層118可具有第一開口118h1，外圍區(qū)域pa中的第二絕緣層115通過第一開口118h1被暴露。第一絕緣層118可通過第一開口118h1物理地劃分成至少兩個(gè)部分。第一絕緣層118的這種布置可防止從外部引入的雜質(zhì)通過第一絕緣層118滲透到顯示區(qū)域da中。

在襯底110的顯示區(qū)域da中，oled130布置在第一絕緣層118上方。oled130包括第一電極131、第二電極135和布置在第一電極131與第二電極135之間的中間層133。oled130還可包括發(fā)射層。

第一絕緣層118中的開口暴露第一薄膜晶體管tft1中的每個(gè)的源電極126s或漏電極126d。第一電極131經(jīng)由該開口與源電極126s或漏電極126d接觸，并且第一電極131電連接到第一薄膜晶體管tft1中的每個(gè)。

第一電極131可形成為半透明電極或全透明電極或形成為反射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌O131形成為半透明電極或全透明電極時(shí)，第一電極131可包括透明導(dǎo)電層。透明導(dǎo)電層可為氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦(in2o3)、氧化銦鎵(igo)和/或氧化鋁鋅(azo)。例如，除了透明導(dǎo)電層以外，第一電極131還可包括用于增加光效率的半透射層。半透射層可為薄膜，該薄膜具有幾納米到幾十納米的厚度并由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca和/或yb形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O131形成為反射電極時(shí)，第一電極131可包括由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr和/或其化合物形成的反射層。透明導(dǎo)電層可布置在反射層的頂部和/或底部處。透明導(dǎo)電層可包括ito、izo、zno、氧化銦(in2o3)、igo和/或azo。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，并且第一電極131可由各種材料形成，并且在第一電極131的結(jié)構(gòu)可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的情況下各種修改是可能的。

第一堤119a可在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa中布置在第一絕緣層118上方。第一堤119a具有與子像素對(duì)應(yīng)的開口。例如，第一電極131的至少中心通過第二開口119h2暴露。像素由此通過該開口限定。并且，第一堤119a可增加第一電極131的邊緣與第一電極131上方的第二電極135之間的距離，從而防止在第一電極131的邊緣中出現(xiàn)電弧和其它相關(guān)的問題。第一堤119a可由諸如pi或hmdso的有機(jī)材料形成。第二堤119b可布置在第一絕緣層118上方，并且可在外圍區(qū)域pa中通過第一絕緣層118的第一開口118h1與第一堤119a相隔開，其中第一絕緣層118的第一開口118h1位于第一堤119a與第二堤119b之間。

例如，第一堤119a和第二堤119b可在第一開口118h1的兩側(cè)處彼此完全相隔開。因?yàn)榈谝坏?19a和第二堤119b彼此完全相隔開，所以滲透到第二堤119b中的諸如氣體或濕氣的雜質(zhì)不會(huì)引入第一堤119a中，而不管該雜質(zhì)是否從外側(cè)引入或者在第二堤119b內(nèi)生成。因此，可防止雜質(zhì)滲透到顯示區(qū)域da中，并且可防止在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1中顯示的圖像品質(zhì)的劣化或減少劣化。第二堤119b可由與用于形成第一堤119a的材料相同的材料形成。第一堤119a和第二堤119b可由與第一絕緣層118相同的有機(jī)材料形成。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

oled130的中間層133可以包括低分子量材料或聚合物材料。當(dāng)中間層133包括低分子量材料時(shí)，中間層133可以具有空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、發(fā)射層(eml)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)彼此堆疊的結(jié)構(gòu)。中間層133可包括有機(jī)材料，諸如銅酞菁(cupc)、n,n’-二(萘-1-基)-n,n’-二苯基聯(lián)苯胺(npb)和/或三-8-羥基喹啉鋁(alq3)。這些層可通過真空沉積方法形成。當(dāng)中間層133包括聚合物材料時(shí)，中間層133可具有包括htl和eml的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，htl可包括聚3,4-乙烯二氧噻吩(pedot)，并且eml可包括聚對(duì)苯乙烯(ppv)基聚合物材料和/或聚芴基聚合物材料。中間層133可通過絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷方法、激光誘導(dǎo)熱成像(liti)方法等形成。

然而，中間層133不限于此，并且可具有各種替換結(jié)構(gòu)。中間層133可包括與多個(gè)第一電極131整體形成的層和/或與多個(gè)第一電極131中的每個(gè)對(duì)應(yīng)的圖案化層。

第二電極135可布置在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa中。具體地，第二電極135可布置在中間層133和第一堤119a的頂部處。例如，第二電極135可以不布置在第一開口118h1中并且不布置在第二堤119b上方。第二電極135可在多個(gè)oled130中形成為一體，并且可對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一電極131。

第二電極135可形成為半透明電極或全透明電極或形成為反射電極。當(dāng)?shù)诙姌O135形成為半透明電極或全透明電極時(shí)，第二電極135可包括ag、al、mg、li、ca、cu、lif/ca、lif/al、mgag和/或caag，并且可包括具有幾納米至幾十納米之間的厚度的薄層。當(dāng)?shù)诙姌O135形成為反射電極時(shí)，第二電極135可由ag、al、mg、li、ca、cu、lif/ca、lif/al、mgag和/或caag形成。然而，第二電極135的成分和材料不限于此，并且各種修改是可能的。

如上所述，第一絕緣層118和第一堤119a在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa中布置在襯底110上方。第一絕緣層118包括位于外圍區(qū)域pa中的第一開口118h1。并且，第一堤119a與第一開口118h1相隔開預(yù)定距離d1。第二堤119b可相對(duì)于第一開口118h1布置在與第一堤119a所布置的方向相反的方向上，并且第二堤119b可與第一開口118h1相隔開預(yù)定距離d2。例如，第一堤119a和第二堤119b可以不布置在第一開口118h1中，并且可彼此完全相隔開。

導(dǎo)電層150可布置在布置于外圍區(qū)域pa中的第一絕緣層118的頂部處以及第一開口118h1中。導(dǎo)電層150可布置在與第一電極131相同的層上。導(dǎo)電層150的至少一部分可布置在第一絕緣層118與第一堤119a之間以及第一絕緣層118與第二堤119b之間。導(dǎo)電層150可由與第一電極131的材料相同的材料形成，并且導(dǎo)電層150可完全覆蓋第一開口118h1。

根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式，導(dǎo)電層150可包括多個(gè)第三開口150h3，多個(gè)第三開口150h3各自布置在第一開口118h1的周邊中。第一堤119a可包括彼此相隔開并且布置在外圍區(qū)域pa中的多個(gè)區(qū)域119a1、119a2和119a3。第二堤119b也可包括彼此相隔開并且布置在外圍區(qū)域pa中的多個(gè)區(qū)域119b1和119b2。多個(gè)區(qū)域119a1、119a2、119a3、119b1和119b2可布置成覆蓋包括多個(gè)第三開口150h3的導(dǎo)電層150的邊緣。包括第三開口150h3的導(dǎo)電層150可具有網(wǎng)格形狀。例如，第一堤119a的多個(gè)區(qū)域119a1、119a2和119a3和第二堤119b的多個(gè)區(qū)域119b1和119b2彼此相隔開，而導(dǎo)電層150可以沒有彼此完全相隔開，并且可經(jīng)由第三開口150h3彼此進(jìn)行一些接觸。

導(dǎo)電層150中的第三開口150h3可布置在導(dǎo)電層150的底部處，并且可用作供由有機(jī)材料形成的第一絕緣層118所生成的氣體消散到外側(cè)的路徑。因此，可通過防止由第一絕緣層118所生成的氣體滲透到顯示區(qū)域da中來防止由有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1形成的圖像的品質(zhì)的劣化或可減少劣化。

第二電極135可布置在第一堤119a上方。第二電極135可在第一堤119a的區(qū)域119a1、119a2和119a3之間的空間處與導(dǎo)電層150接觸。導(dǎo)電層150可以為用于向第二電極135供電的電力線，或用于連接用于向第二電極135供電的電力線的連接線。

參照?qǐng)D1，第一絕緣層118中的第一開口118h1可包圍顯示區(qū)域da。例如，第一開口118h1可形成完全圍繞顯示區(qū)域da的閉合環(huán)路。因此，第一絕緣層118可包括通過第一開口118h1彼此相隔開的第一區(qū)域118a和第二區(qū)域118b。第一區(qū)域118a和第一堤119a可相對(duì)于第一開口118h1布置在相同的方向上，并且第二區(qū)域118b和第二堤119b可相對(duì)于第一開口118h1布置在相同的方向上。第二電極135可以僅布置在第一堤119a上方，并且可以不布置在第一開口118h1中并且不布置在第二堤119b上方。

用于增加有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1的光效率的覆蓋層140可布置在第二電極135上方。覆蓋層140可布置在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa內(nèi)，并且可僅布置在第二電極135的頂部處并且可以不延伸超過第二電極135。例如，第二電極135的至少一部分可由覆蓋層140暴露。覆蓋層140可由有機(jī)材料形成。盡管未在圖3中示出，但是封裝層(圖6的260)可布置在覆蓋層140上方，其中封裝層包括至少一個(gè)無機(jī)層和至少一個(gè)有機(jī)層。

如上所述，第一堤119a和第二堤119b可布置在第一開口118h1的相對(duì)兩側(cè)處。從第一堤119a的、面對(duì)第二堤119b的邊緣朝著第一開口118h1延伸的距離d1可為至少4μm。相似地，從第二堤119b的、面對(duì)第一堤119a的邊緣朝著第一開口118h1延伸的距離d2可為至少4μm。距離d1和d2可彼此相同或彼此不同。圖1和圖2的附圖標(biāo)記119vl可表示將包括在第一堤119a中的多個(gè)區(qū)域119a1、119a2和119a3的邊緣與包括在第二堤119b中的多個(gè)區(qū)域119b1和119b2的邊緣連接的虛擬線。

當(dāng)距離d1和d2中的每個(gè)小于約4μm時(shí)，第一堤119a和/或第二堤119b可能流入第一開口118h1中。

第一開口118h1的寬度d3可為7μm或大于7μm。例如，第一堤119a與第二堤119b之間的距離可為約15μm或大于15μm。通過這種配置，第一堤119a和第二堤119b可以在第一開口118h1內(nèi)彼此不連接。

參照?qǐng)D4，根據(jù)示例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1’包括布置在外圍區(qū)域內(nèi)的第二絕緣層115’和布置在第二絕緣層115’上方的第一絕緣層118’。第一絕緣層118’包括第一開口118h1’。導(dǎo)電層150’可布置在第一開口118h1’中。導(dǎo)電層150’可包括形成在第一開口118h1’的周邊中的第三開口150h3’。

一起覆蓋導(dǎo)電層150’的至少一部分的第一堤119a’和第二堤119b’可布置在第一絕緣層118’上方。第一堤119a’和第二堤119b’可在第一開口118h1’內(nèi)彼此連接。第二電極135’可布置在第一堤119a’上方。第二電極135’可與導(dǎo)電層150’接觸。

因?yàn)榈谝坏?19a’、第二堤119b’和第一絕緣層118’中的每個(gè)由有機(jī)材料形成，所以可布置在第一開口118h1’或第一絕緣層118’的外側(cè)的或者可從第二堤119b’或第一絕緣層118’產(chǎn)生的雜質(zhì)g1’和g2’(其可包括引入到第二堤119b’中的氣體和/或濕氣)可沿著圖4中所示的路徑p’經(jīng)由布置在第一開口118h1’內(nèi)的連接部119c’引入到第一堤119a’中。滲透到顯示區(qū)域da中的雜質(zhì)g1’和g2’(其可包括氣體和/或濕氣)可滲透到包括eml的中間層133中。因此，在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1’中形成的圖像的品質(zhì)可能劣化。

返回參照?qǐng)D3，第一堤119a和第二堤119b在第一開口118h1的相對(duì)兩側(cè)處彼此相隔開。第一堤119a與第一開口118h1以及第二堤119b與第一開口118h1可分別彼此相隔開預(yù)定距離d1和d2。距離d1和d2可各自為例如大約4μm或大于4μm。因此，盡管存在與用于形成第一堤119a和第二堤119b的有機(jī)材料的工藝或特性有關(guān)的問題，但是第一堤119a和第二堤119b可以不流入第一開口118h1中。

通過這種配置，引入第二堤119b中或在第二堤119b中產(chǎn)生的雜質(zhì)(例如，氣體和/或濕氣)可以不引入第一堤119a中。因此，可通過阻擋雜質(zhì)滲透到顯示區(qū)域da中來防止有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1中形成的圖像的品質(zhì)的劣化或可減少劣化的程度。

圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一部分的平面圖，并且圖6是示意性地示出圖5的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一部分的剖視圖。

在下文中，將對(duì)圖3的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1與圖6的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2之間的差異進(jìn)行描述。圖6是示出與布置有圖5的分支開口218h11b和218h12b的邊緣對(duì)應(yīng)的外圍區(qū)域pa的剖視圖。

參照?qǐng)D5和圖6，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2包括襯底210，襯底210具有顯示區(qū)域da和位于顯示區(qū)域da外側(cè)的外圍區(qū)域pa。第一絕緣層218布置在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa兩者中。第一絕緣層218布置在襯底210上方并且具有位于外圍區(qū)域pa中的第一開口218h1。第一電極231在第一絕緣層218上方布置在顯示區(qū)域da中。第一堤219a在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa兩者中布置在第一絕緣層218上方。第一堤219a包括第二開口219h2，第一電極231的中心通過第二開口219h2被暴露。第二堤219b布置在第一絕緣層218上方并與第一堤219a相隔開。第一開口218h1布置在第一堤219a與第二堤219b之間。中間層233布置在第一電極231上方。第二電極235布置在中間層233和第一堤219a上方。

顯示區(qū)域da可包括四個(gè)拐角和可連接四個(gè)拐角的四個(gè)邊緣。例如，顯示區(qū)域da可具有矩形形狀。然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于此，并且顯示區(qū)域da可具有三角形形狀或多邊形形狀，例如五邊形形狀或不同的多邊形形狀。

緩沖層211可布置在襯底210和薄膜晶體管tft1上方。oled230電連接到薄膜晶體管tft1。oled230中的每個(gè)包括第一電極231。中間層233包括eml。第二電極235可在顯示區(qū)域da中布置在緩沖層211上方。

薄膜晶體管tft1中的每個(gè)可包括半導(dǎo)體層222、柵電極224、源電極226s和漏電極226d。柵絕緣層213可布置在半導(dǎo)體層222與柵電極224之間，并且第二絕緣層215可布置在柵電極224上方。柵絕緣層213和第二絕緣層215可各自包括無機(jī)材料。柵絕緣層213和第二絕緣層215可各自布置在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa兩者內(nèi)。

第一絕緣層218可在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa中布置在薄膜晶體管tft1上方。第一絕緣層218可包括第一開口218h1，第一開口218h1位于外圍區(qū)域pa中并且第二絕緣層215通過第一開口218h1被暴露。第一開口218h1可包圍顯示區(qū)域da并且可形成閉合環(huán)路。

第一開口218h1包括主開口218h1a和從主開口218h1a分支的多個(gè)分支開口218h11b和218h12b。主開口218h1a可布置成鄰近四個(gè)拐角中的每個(gè)。分支開口218h11b和218h12b中的每個(gè)可布置在四個(gè)邊緣處。然而，本發(fā)明示例性實(shí)施方式不限于此，并且分支開口218h11b和218h12b可位于四個(gè)邊緣中的至少兩個(gè)中。

因?yàn)榕c顯示區(qū)域da的拐角對(duì)應(yīng)的外圍區(qū)域pa的死區(qū)窄，所以可能難以在第一絕緣層218中形成多個(gè)開口。然而，因?yàn)榕c顯示區(qū)域da的邊緣對(duì)應(yīng)的外圍區(qū)域pa的死區(qū)是寬的，所以可以確保供多個(gè)開口可形成在其中的足夠大的空間。因此，如圖5中所示，一個(gè)主開口218h1a可形成在拐角中，并且從主開口218h1a分支的多個(gè)分支開口218h11b和218h12b可布置在邊緣中，從而可防止雜質(zhì)被引入顯示區(qū)域da中。

第一絕緣層218可由第一開口218h1劃分成第一區(qū)域218a、第二區(qū)域218b和第三區(qū)域218c。第三區(qū)域218c可由分支開口218h11b和218h12b圍繞。例如，第三區(qū)域218c可具有島形狀。第一電極231可在顯示區(qū)域da中布置在第一絕緣層218上方，并且導(dǎo)電層250可布置在外圍區(qū)域pa中。導(dǎo)電層250可包括多個(gè)第三開口250h3。多個(gè)第三開口250h3可位于第一絕緣層218的第一區(qū)域218a、第二區(qū)域218b和第三區(qū)域218c中。

第一堤219a可在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa兩者內(nèi)布置在第一絕緣層218上方。第二堤219b可在外圍區(qū)域pa中布置在第一絕緣層218上方。第一堤219a包括第二開口219h2，第一電極231的中心通過第二開口219h2被暴露。第一堤219a可在外圍區(qū)域pa中劃分成多個(gè)區(qū)域219a1、219a2和219a3。第二堤219b可與第一堤219a相隔開。分支開口218h11b和218h12b布置在第一堤219a與第二堤219b之間。第三堤219c可在多個(gè)分支開口218h11b和218h12b之間與第一堤219a和第二堤219b二者相隔開。例如，第一堤219a、第二堤219b和第三堤219c可各自分別布置在第一絕緣層218的第一區(qū)域218a、第二區(qū)域218b和第三區(qū)域218c中。距離d1(從第一堤219a的邊緣到分支開口218h11b)和距離d2(從第三堤219c的邊緣到分支開口218h11b)中的每個(gè)可為約4μm或大于4μm，以使得第一堤219a、第二堤219b與第三堤219c能夠彼此完全相隔開。分支開口218h11b的寬度d3可為約7μm或大于7μm。例如，第一堤219a與第三堤219c之間的距離可為約15μm或大于15μm。

相似地，距離d4(從第三堤219c的邊緣到分支開口218h12b)和距離d5(從第二堤219b的邊緣到分支開口218h12b)中的每個(gè)可為約4μm或大于4μm。分支開口218h12b的寬度d6可為約7μm或大于7μm。例如，第二堤219b與第三堤219c之間的距離可為約15μm或大于15μm。

第一堤219a、第二堤219b和第三堤219c可在外圍區(qū)域pa中覆蓋導(dǎo)電層250的至少一部分，并且可以不布置在分支開口218h11b和218h12b中。導(dǎo)電層250可包括多個(gè)第三開口250h3。

包括eml的中間層233可布置在第一電極231上方。第二電極235可布置在中間層233上方。第二電極235可布置在中間層233的頂部和第一堤219a的頂部處。第二電極235可以不布置在第一開口218h1中，并且可以不布置在第二堤219b的頂部或第三堤219c的頂部處。第二電極235可在第一堤219a的多個(gè)區(qū)域219a1、219a2和219a3之間的區(qū)域中與導(dǎo)電層250接觸。導(dǎo)電層250可為用于向第二電極235供電的電力線，或用于連接用于向第二電極235供電的電力線的連接線。

用于增加有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2的光效率并且包括有機(jī)材料的覆蓋層240可布置在第二電極235上方。封裝層260覆蓋oled230并保護(hù)oled230免受來自外側(cè)的濕氣或氧氣的影響。封裝層260可布置在覆蓋層240上方。封裝層260可覆蓋顯示區(qū)域da并且可延伸直至外圍區(qū)域pa。如圖6所示，封裝層260可包括第一無機(jī)層261、有機(jī)層263和第二無機(jī)層265。

第一無機(jī)層261可覆蓋覆蓋層240，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。根據(jù)需要，包括lif層的其它層可布置在第一無機(jī)層261與覆蓋層240之間。因?yàn)榈谝粺o機(jī)層261沿著下部結(jié)構(gòu)形成，所以如圖6中所示，第一無機(jī)層261的頂表面可以不是平坦的。有機(jī)層263可覆蓋第一無機(jī)層261，并且有機(jī)層263的頂表面可為基本上平坦的。有機(jī)層263可包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚碳酸酯(pc)、聚酰亞胺(pi)、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯(par)和六甲基二硅醚。第二無機(jī)層265可覆蓋有機(jī)層263，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。雖然未示出，但是第二無機(jī)層265可在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2的邊緣區(qū)域中與第一無機(jī)層261接觸，以保護(hù)有機(jī)層263免于暴露到外側(cè)。

通過這種方式，封裝層260包括第一無機(jī)層261、有機(jī)層263和第二無機(jī)層265。因此，通過這種多層結(jié)構(gòu)，即使在封裝層260中出現(xiàn)裂紋，這些裂紋也可能在第一無機(jī)層261與有機(jī)層263之間或者在有機(jī)層263與第二無機(jī)層265之間不連接。因此，可防止形成供來自外側(cè)的濕氣或氧氣滲透到顯示區(qū)域da中的路徑或者可減少供來自外側(cè)的濕氣或氧氣滲透到顯示區(qū)域da中的路徑的形成。

圖7是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備3的一部分的平面圖。因?yàn)槌说谝唤^緣層318和導(dǎo)電層350以外，圖7的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備3的其余配置可與圖3的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1或圖6的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2的那些配置基本上相同，所以在下文中，將僅對(duì)第一絕緣層318和導(dǎo)電層350進(jìn)行描述，并且將假定本文中未描述的所有其它元件與參照?qǐng)D3或圖6描述的相應(yīng)元件基本上相同。

參照?qǐng)D7，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備3包括布置在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa中的第一絕緣層318。第一絕緣層318可包括位于外圍區(qū)域pa中的第一開口318h1。第一開口318h1可圍繞顯示區(qū)域da，并且可包括主開口318h1a和三個(gè)分支開口318h11b、318h12b和318h13b，其中主開口318h1a與顯示區(qū)域da的拐角對(duì)應(yīng)地布置在外圍區(qū)域pa中，并且三個(gè)分支開口318h11b、318h12b和318h13b與顯示區(qū)域da的邊緣對(duì)應(yīng)地布置在外圍區(qū)域pa中并從主開口318h1a分支。

在圖7中，三個(gè)分支開口318h11b、318h12b和318h13b位于顯示區(qū)域da的一個(gè)邊緣中。然而，實(shí)施方式不限于此。例如，三個(gè)分支開口318h11b、318h12b和318h13b可位于兩個(gè)或更多個(gè)邊緣中。第一絕緣層318可由三個(gè)分支開口318h11b、318h12b和318h13b劃分成彼此相隔開的第一區(qū)域318a、第二區(qū)域318b、第三區(qū)域318c和第四區(qū)域318d。第三區(qū)域318c和第四區(qū)域318d可由分支開口318h11b、318h12b和318h13b圍繞。例如，第三區(qū)域318c和第四區(qū)域318d中的每個(gè)可具有島形狀。

在圖7的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備3中，三個(gè)分支開口318h11b、318h12b和318h13b布置在顯示區(qū)域da的一個(gè)邊緣中。因此，可更有效地阻擋從外側(cè)引入或從布置在第一開口318h1外側(cè)且由有機(jī)材料形成的層產(chǎn)生的氣體或濕氣，從而可防止在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備3中形成的圖像的品質(zhì)的劣化或可減少劣化。

在根據(jù)上述實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1、2和3中，包括第一開口118h1的第一絕緣層118、包括第一開口218h1的第一絕緣層218和包括第一開口318h1的第一絕緣層318布置在外圍區(qū)域pa中，并且可有效地阻擋來自第一開口118h1、218h1和318h1的外側(cè)的雜質(zhì)可能引入到第一開口118h1、218h1和318h1中的引入路徑，從而可防止在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備1、2和3中的每個(gè)中形成的圖像的品質(zhì)的劣化或者可減少劣化。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可防止圖像的品質(zhì)因在制造過程期間或在隨后的使用中可能出現(xiàn)的污染而導(dǎo)致的劣化或可減少品質(zhì)劣化的程度。

雖然已在上文中參照附圖對(duì)本發(fā)明示例性實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可在本文中對(duì)形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變。