1.一種鰭式場效應(yīng)晶體管，包括半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上具有凸起的Fin條，在Fin條側(cè)壁和頂部表面具有橫跨Fin條的柵極結(jié)構(gòu)，與柵極結(jié)構(gòu)接觸的Fin條部分構(gòu)成溝道區(qū)，其特征在于，溝道區(qū)為高遷移率材料，溝道長度小于Fin條長度；源、漏位于溝道區(qū)兩端；Fin條兩端的半導(dǎo)體與襯底相連；Fin條與半導(dǎo)體襯底之間有一層局域埋氧層，形成BOI結(jié)構(gòu)，該局域埋氧層的寬度大于或等于Fin條寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述溝道區(qū)的高遷移率材料為鍺、鍺硅或鍺錫。
3.一種鰭式場效應(yīng)晶體管的制備方法，包括以下步驟：
1)在半導(dǎo)體襯底上形成采用高遷移率材料的凸起Fin條；
2)在Fin條與半導(dǎo)體襯底之間形成局域埋氧層，該局域埋氧層的寬度大于或等于Fin條寬度；
3)在Fin條側(cè)壁和頂部表面形成柵極結(jié)構(gòu)，并在柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成側(cè)墻；
4)光刻定義源漏區(qū)圖形，摻雜并退火形成源漏。
4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟1)包括：
1-1)在半導(dǎo)體襯底上生長高遷移率材料的半導(dǎo)體外延層；
1-2)定義器件有源區(qū)，并形成器件之間的隔離；
1-3)在步驟1-1)形成的半導(dǎo)體外延層上淀積硬掩膜，光刻定義Fin條圖形，干法刻蝕硬掩膜和半導(dǎo)體外延層，停止在襯底表面，去掉光刻膠，形成Fin條。
5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟1-1)中所述半導(dǎo)體外延層的材料為鍺、鍺硅或鍺錫，厚度為5～200nm。
6.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟1-3)中，所述硬掩膜是氧化硅層、氮化硅層或氧化硅/氮化硅疊層，厚度為10～800nm。
7.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟1-3)中的光刻采用電子束光刻或193nm浸沒式光刻技術(shù)，形成寬度為5～100nm的Fin條。
8.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟2)包括：
2-1)在Fin條上淀積一層氮化硅，并進(jìn)行干法刻蝕，形成氮化硅側(cè)墻；
2-2)干法刻蝕半導(dǎo)體襯底至一定深度，然后通過熱氧化使Fin條和襯底之間的半導(dǎo)體被氧化，形成局域埋氧層；
2-3)濕法腐蝕去掉氮化硅側(cè)墻。
9.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，步驟2-2)中襯底的刻蝕深度為5～50nm。
10.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟2-2)采用濕氧氧化、氫氧合成氧化或等離子體氧化，使Fin條與襯底之間的半導(dǎo)體完全被氧化。