1.超摻雜均勻性大面積SiC外延層的制備方法，其特征在于：該方法在常規(guī)的LPCVD外延生長(zhǎng)源主進(jìn)氣管路額外增加兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路，通過調(diào)節(jié)兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路通入的生長(zhǎng)源種類與通入量的大小，結(jié)合旋轉(zhuǎn)托盤結(jié)構(gòu)，來調(diào)節(jié)整個(gè)大面積SiC外延層上氛圍中的生長(zhǎng)源分布，從而調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室內(nèi)氛圍中的生長(zhǎng)源的比例，以調(diào)整大面積SiC外延層摻雜濃度與厚度均勻性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超摻雜均勻性大面積SiC外延層的制備方法，其特征在于：所述主進(jìn)氣管路的通道呈喇叭狀，兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路連通主進(jìn)氣管路的通道的后端部分，該兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路生長(zhǎng)源導(dǎo)入口導(dǎo)入的生長(zhǎng)源包括有摻雜源、C源、Si源、載氣、蝕刻氣體，該摻雜源包括N2、Al(CH3)3，C源包括C2H4、C3H8，Si源包括Si2H4、SiHCl3，載氣包括H2、Ar2，蝕刻氣體包括HCl。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超摻雜均勻性大面積SiC外延層的制備方法，其特征在于：兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路通入Si源，以提升側(cè)反應(yīng)腔室氛圍中的C源和Si源的比例，降低N型摻雜濃度或提升P型摻雜濃度，從而達(dá)到對(duì)大面積SiC外延層摻雜濃度均勻性的調(diào)整。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超摻雜均勻性大面積SiC外延層的制備方法，其特征在于：兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路通入C源，以降低反應(yīng)腔室氛圍中的C源和Si源的比例，提升N型摻雜濃度或降低P型摻雜濃度，從而達(dá)到對(duì)大面積SiC外延層摻雜濃度均勻性的調(diào)整。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超摻雜均勻性大面積SiC外延層的制備方法，其特征在于：兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路同時(shí)通入Si源和C源來提升反應(yīng)腔室氛圍中的C源及Si源的濃度，以提升SiC外延層的生長(zhǎng)速率，從而達(dá)到對(duì)大面積SiC外延層生長(zhǎng)厚度均勻性的調(diào)整。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超摻雜均勻性大面積SiC外延層的制備方法，其特征在于：兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路通入載氣來稀釋反應(yīng)腔室氛圍中的C源及Si源的濃度，降低SiC外延層的生長(zhǎng)速率，從而達(dá)到對(duì)大面積SiC外延層生長(zhǎng)厚度均勻性的調(diào)整。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超摻雜均勻性大面積SiC外延層的制備方法，其特征在于：兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路通入N源來提升側(cè)的N型摻雜濃度，從而達(dá)到對(duì)大面積SiC外延層摻雜濃度均勻性的調(diào)整；兩側(cè)路通入Al源可以提升側(cè)的P型摻雜摻雜濃度，從而達(dá)到對(duì)大面積SiC外延層摻雜濃度均勻性的調(diào)整。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超摻雜均勻性大面積SiC外延層的制備方法，其特征在于：兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路通入蝕刻氣體以輕微降低SiC外延層的生長(zhǎng)速率，從而達(dá)到對(duì)大面積SiC外延層生長(zhǎng)厚度均勻性的微調(diào)整。
9.一種超摻雜均勻性大面積SiC外延層生長(zhǎng)腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于：其包括：
碳化硅LPCVD反應(yīng)腔室(1)，該碳化硅LPCVD反應(yīng)腔室(1)外側(cè)設(shè)置有用于對(duì)其加熱的加熱組件；
托盤(2)，其位于碳化硅LPCVD反應(yīng)腔室(1)中，該托盤(2)上設(shè)置承載槽(21)以承載一片大面積SiC晶片(22)；
三通導(dǎo)氣管路結(jié)構(gòu)(3)，其安裝于碳化硅LPCVD反應(yīng)腔室(1)進(jìn)氣端一側(cè)，該三通導(dǎo)氣管路結(jié)構(gòu)(3)由與碳化硅LPCVD反應(yīng)腔室(1)連通的主導(dǎo)氣管路(31)以及兩個(gè)位于主導(dǎo)氣管路(31)兩側(cè)且相互隔絕的側(cè)導(dǎo)氣管路(32)構(gòu)成；
三通進(jìn)氣管路結(jié)構(gòu)(4)，其與三通導(dǎo)氣管路結(jié)構(gòu)(3)連接，且該三通進(jìn)氣管路結(jié)構(gòu)(4)包括一管主體(41)以及成型于管主體(41)前端的主進(jìn)氣管路(42)和兩個(gè)分別位于主進(jìn)氣管路(42)兩側(cè)的側(cè)進(jìn)氣管路(43)，主進(jìn)氣管路(42)和兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路(43)均與管主體(41)內(nèi)腔連通，該管主體(41)內(nèi)腔連通主導(dǎo)氣管路(31)及側(cè)導(dǎo)氣管路(32)；側(cè)進(jìn)氣管路(43)與主進(jìn)氣管路(42)之間通過一斜面連接，以致使主進(jìn)氣管路(42)與管主體(41)內(nèi)腔形成喇叭狀通道，并連通主導(dǎo)氣管路(31)及側(cè)導(dǎo)氣管路(32)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種超摻雜均勻性大面積SiC外延層生長(zhǎng)腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述主進(jìn)氣管路(42)與主導(dǎo)氣管路(31)對(duì)應(yīng)，且主進(jìn)氣管路(42)的尺寸大于主導(dǎo)氣管路(31)的尺寸；所述側(cè)進(jìn)氣管路(43)與側(cè)導(dǎo)氣管路(32)對(duì)應(yīng)，且側(cè)進(jìn)氣管路(43)的尺寸小于側(cè)導(dǎo)氣管路(32)的尺寸。