1.一種TFT基板中電極層的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、提供一硅襯底(200)，在所述硅襯底(200)上形成一層金屬鎳層(300)；
步驟2、采用化學氣相沉積法在所述金屬鎳層(300)上沉積一層石墨烯層(400)，采用等離子體蝕刻法對所述石墨烯層(400)進行蝕刻，形成圖案化的石墨烯層(405)；
步驟3、將所述硅襯底(200)上的金屬鎳層(300)溶解掉，從而使圖案化的石墨烯層(405)與硅襯底(200)分離，然后將圖案化的石墨烯層(405)轉(zhuǎn)移，得到TFT基板的電極層。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT基板中電極層的制作方法，其特征在于，所述步驟1中所形成的金屬鎳層(300)的厚度為10～50nm。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT基板中電極層的制作方法，其特征在于，所述步驟2中所沉積形成的石墨烯層(400)的厚度為5～10nm。
4.如權(quán)利要求1所述的TFT基板中電極層的制作方法，其特征在于，所述步驟3中通過對位標記的方式將圖案化的石墨烯層(405)定位轉(zhuǎn)移。
5.如權(quán)利要求1所述的TFT基板中電極層的制作方法，其特征在于，所述TFT基板為柔性的低溫多晶硅TFT基板。
6.如權(quán)利要求1所述的TFT基板中電極層的制作方法，其特征在于，所述步驟3中形成的電極層為TFT基板的柵電極層。
7.一種柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟10、提供玻璃基板(100)，在所述玻璃基板(100)上形成柔性基板(101)；
步驟20、在柔性基板(101)上依次形成緩沖層(102)、有源層(103)、柵極絕緣層(104)；
步驟30、提供一硅襯底(200)，在所述硅襯底(200)上形成一層金屬鎳層(300)；采用化學氣相沉積法在所述金屬鎳層(300)上沉積一層石墨烯層(400)，采用等離子體蝕刻法對所述石墨烯層(400)進行蝕刻，形成圖案化的石墨烯層(405)；將所述硅襯底(200)上的金屬鎳層(300)溶解掉，從而使圖案化的石墨烯層(405)與硅襯底(200)分離，然后將圖案化的石墨烯層(405)轉(zhuǎn)移到柵極絕緣層(104)上，形成柵電極層(105)；
步驟40、在柵極絕緣層(104)、及柵電極層(105)上依次形成層間絕緣層(106)、源漏金屬層(107)。
8.如權(quán)利要求7所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述柔性TFT基板為柔性的低溫多晶硅TFT基板；
所述步驟10中所形成的柔性基板(101)為聚酰亞胺基板，厚度為10～20μm；
所述步驟20中所形成的緩沖層(102)、有源層(103)、及柵極絕緣層(104)的厚度分別為200～300nm、40～50nm、50～200nm；
所述步驟40中所形成的層間絕緣層(106)、及源漏金屬層(107)的厚度分別為500～700nm、400～600nm。
9.如權(quán)利要求7所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟30中所形成的金屬鎳層(300)的厚度為10～50nm，所沉積形成的石墨烯層(400)的厚度為5～10nm。
10.如權(quán)利要求7所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟30中，通過對位標記的方式，將所述圖案化的石墨烯層(405)定位轉(zhuǎn)移到柵極絕緣層(104)上。