1.一種三維存儲(chǔ)器測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底表面的堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括沿預(yù)設(shè)方向呈階梯狀排布的N層金屬柵極，以及位于相鄰兩層金屬柵極之間的氧化層，N為大于1的正整數(shù)；
形成于所述堆疊結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和第二區(qū)域的多個(gè)溝道孔，其中，所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域外圍，且所述第二區(qū)域內(nèi)溝道孔的密度小于所述第一區(qū)域內(nèi)溝道孔的密度；
形成于在所述溝道孔內(nèi)的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)；
形成于所述N層金屬柵極中第M層金屬柵極上方各層金屬柵極和氧化層對(duì)應(yīng)所述第二區(qū)域中預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的曝露結(jié)構(gòu)，所述曝露結(jié)構(gòu)曝露所述第M層金屬柵極部分區(qū)域，M為大于零且不大于N的正整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一區(qū)域?yàn)榇鎯?chǔ)區(qū)域，所述第二區(qū)域?yàn)殡姌O連接區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗龅诙^(qū)域中各通道孔之間的空白區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬柵極的厚度不小于10nm，且不大于80nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝道孔結(jié)構(gòu)包括：依次形成于所述溝道孔側(cè)壁的隧穿層、存儲(chǔ)層、阻擋層和多晶硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬柵極包括疊加的氮化鈦金屬層和鎢金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化鈦金屬層的厚度不小于1nm且不大于10nm；所述鎢金屬層的厚度不小于10nm且不大于100nm。
8.一種三維存儲(chǔ)器測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該方法包括：
提供基底；
在所述基底表面形成堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括交錯(cuò)層疊設(shè)置的N層氧化層和N層氮化層，N為大于1的正整數(shù)；
在所述堆疊結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和第二區(qū)域形成多個(gè)溝道孔，所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域外圍，且所述第一區(qū)域的溝道孔的密度大于所述第二區(qū)域的溝道孔的密度；
在所述溝道孔中形成存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)；
去除所述堆疊結(jié)構(gòu)中的氮化層，形成溝槽；
在所述溝槽內(nèi)填充金屬，形成沿預(yù)設(shè)方向呈階梯狀排布的N層金屬柵極；
去除所述N層金屬柵極中第M層金屬柵極上方各層金屬柵極和氧化層位于所述第二區(qū)域中預(yù)設(shè)區(qū)域的部分，曝露所述第M層金屬柵極部分區(qū)域，M為大于零且不大于N的正整數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，去除所述N層金屬柵極中第M層金屬柵極上方各層金屬柵極和氧化層位于所述第二區(qū)域中預(yù)設(shè)區(qū)域的部分，曝露所述第M層金屬柵極部分區(qū)域包括：
利用等離子聚焦束去除所述N層金屬柵極中第M層金屬柵極上方各層金屬柵極和氧化層位于所述第二區(qū)域中預(yù)設(shè)區(qū)域的部分，曝露所述第M層金屬柵極部分區(qū)域。
10.一種三維存儲(chǔ)器測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，其特征在于，該方法包括：
利用探針接觸權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的三維存儲(chǔ)器測(cè)試結(jié)構(gòu)中第M層金屬柵極的曝露區(qū)域；
根據(jù)所述探針的探測(cè)結(jié)果，獲得所述三維存儲(chǔ)器測(cè)試結(jié)構(gòu)中金屬柵極的填充性能。