1.一種用于靜電夾盤(ESC)的夾緊電路，所述夾緊電路包括：
一個(gè)或多個(gè)夾緊電極，安置在所述ESC的電介質(zhì)體中；
多個(gè)像素電極，安置在所述電介質(zhì)體中；以及
夾緊電路，所述夾緊電路包括所述一個(gè)或多個(gè)夾緊電極以及所述多個(gè)像素電極，所述夾緊電路可操作來將基板靜電地夾緊至所述ESC的工件支撐表面，所述夾緊電路具有多個(gè)二次電路，其中每一個(gè)二次電路包括多個(gè)電容器中的至少一個(gè)電容器，每一個(gè)二次電路配置成獨(dú)立地控制所述像素電極中的一個(gè)與地之間的阻抗。
2.如權(quán)利要求1所述的夾緊電路，進(jìn)一步包括：
像素控制器，配置成獨(dú)立地打開和關(guān)閉所述二次電路。
3.如權(quán)利要求1所述的夾緊電路，其中所述多個(gè)電容器進(jìn)一步包括：
多個(gè)可變電容器；以及
多個(gè)固定電容器，其中所述多個(gè)電容器通過解耦電阻器耦接到薄膜晶體管(TFT)。
4.如權(quán)利要求3所述的夾緊電路，其中所述可變電容器可提供在0pF至3.4pF之間的電容，以及每一個(gè)固定電容器可對(duì)所述可變電容器提供在0.5pF至74pF之間的總電容，且其中設(shè)置在所述TFT與所述電容器之間的所述解耦電阻器可單獨(dú)提供5歐姆的電阻。
5.如權(quán)利要求4所述的夾緊電路，其中在所述基板與所述ESC之間的電容為220pF至數(shù)百pF。
6.如權(quán)利要求3所述的夾緊電路，其中所述可變電容器是可機(jī)械調(diào)整的。
7.如權(quán)利要求3所述的夾緊電路，其中所述可變電容器是可電性調(diào)整的。
8.如權(quán)利要求3所述的夾緊電路，其中所述可變電容器是RF可變電容器。
9.如權(quán)利要求1所述的夾緊電路，其中所述電容器為3.2mm×3.2mm×0.53mm或更小。
10.如權(quán)利要求1所述的夾緊電路，其中所述多個(gè)二次電路中的第一電路的阻抗不同于所述多個(gè)二次電路中的第二電路。
11.如權(quán)利要求1所述的夾緊電路，其中跨所述ESC的工件支撐表面的阻抗中的局部變化小于10％。
12.如權(quán)利要求1所述的夾緊電路，其中所述電容器中的至少一個(gè)是MEMS電容器。
13.一種用于靜電夾盤(ESC)的夾緊電路，所述夾緊電路包括：
電介質(zhì)體，具有工件支撐表面，所述電介質(zhì)體包括：
夾緊電極，安置在所述電介質(zhì)體中；以及
像素電極，安置在所述電介質(zhì)體中，所述像素電極可在浮動(dòng)狀態(tài)與接地狀態(tài)之間切換，其中所述像素電極當(dāng)處于所述接地狀態(tài)中時(shí)電耦接至電壓受控的可變電容器電路而到達(dá)地；以及
夾緊電路，所述夾緊電路包括所述夾緊電極和所述像素電極，所述夾緊電路可操作來將基板靜電地夾緊至所述工件支撐表面。
14.如權(quán)利要求13所述的夾緊電路，其中所述電壓受控的可變電容器電路進(jìn)一步包括：
多個(gè)分支，所述多個(gè)分支具有解耦電阻器，所述分支包括：
多個(gè)可變電容器；以及
多個(gè)固定電容器，所述多個(gè)固定電容器在相應(yīng)的分支上與所述可變電容器耦接；以及
薄膜晶體管，耦接至所述多個(gè)分支。
15.如權(quán)利要求14所述的夾緊電路，其中所述多個(gè)分支包括六個(gè)分支，所述六個(gè)分支具有提供5歐姆電阻的相應(yīng)的解耦電阻器。
16.如權(quán)利要求14所述的夾緊電路，其中所述薄膜晶體管選擇所述分支中的哪一個(gè)或哪幾個(gè)是浮動(dòng)的，以及選擇所述分支中的哪一個(gè)或哪幾個(gè)將所述像素電極耦接至地。
17.如權(quán)利要求14所述的夾緊電路，其中針對(duì)所述多個(gè)分支中的每一個(gè)分支的總電容為相應(yīng)的可變電容器與相應(yīng)的固定電容器的總和。
18.如權(quán)利要求14所述的夾緊電路，其中所述多個(gè)分支中的第一分支由六個(gè)可變電容器組成，所述六個(gè)可變電容器各自具有3.4pF的電容，以及所述六個(gè)可變電容器與具有74pF的電容的第一固定電容器并聯(lián)地布置，且其中所述第一分支具有16pF的總電容。
19.如權(quán)利要求14所述的夾緊電路，其中類似地構(gòu)造第二至第六分支，并且所述第二至第六分支分別具有8pF、4pF、2pF、1pF和0.5pF的總電容。
20.如權(quán)利要求19所述的夾緊電路，其中具有小于3.4pF的總電容的第四至第六分支使用單一MEMS可變電容器，所述單一MEMS可變電容器與相應(yīng)的固定電容器并聯(lián)或串聯(lián)。
21.如權(quán)利要求14所述的夾緊電路，其中所述可變電容器可提供0pF至3.4pF之間。