技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出一種對(duì)表面過飽和摻雜光電探測器進(jìn)行表面鈍化的方法，該方法在表面過飽和摻雜光電探測器的表面覆蓋兩層氫含量不同的非晶硅薄膜。非晶硅薄膜通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)形成。本發(fā)明的雙層含氫非晶硅薄膜結(jié)構(gòu)一方面能夠與器件感光面的表面懸掛鍵結(jié)合，減少器件表面的電子與空穴的復(fù)合，降低暗電流，另一方面隔絕了空氣的污染，具有結(jié)構(gòu)簡單，鈍化效果顯著的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：吳強(qiáng);曾強(qiáng);張春玲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南開大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710127413
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.01
技術(shù)公布日：2017.06.20