本發(fā)明涉及將附著到基板的表面的液體去除的基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術(shù)：

在將集成電路的層疊構(gòu)造形成于作為基板的半導(dǎo)體晶圓(以下稱為晶圓)等的表面的半導(dǎo)體裝置的制造工序中，設(shè)置有利用化學(xué)溶液等清洗液將晶圓表面的微小的塵土、自然氧化膜去除等利用液體來對晶圓表面進(jìn)行處理的液處理工序。

在這樣的液處理工序中，在將附著到晶圓的表面的液體等去除之際，公知有使用超臨界狀態(tài)、亞臨界狀態(tài)的流體(在背景技術(shù)的說明中，將它們統(tǒng)稱為超臨界流體)的超臨界處理方法。

不過，在使用超臨界流體來對晶圓實(shí)施超臨界處理的情況下，首先，在前工序中向晶圓注滿(日文：液盛り)包括例如ipa的干燥防止用的液體，將注滿有干燥防止用的液體的晶圓載置于位于基板處理容器主體的外方的保持構(gòu)件上，將保持構(gòu)件上的晶圓向基板處理容器主體內(nèi)輸入。接下來在基板處理容器內(nèi)中使用超臨界流體來對晶圓實(shí)施了超臨界處理。

在結(jié)束超臨界處理后，使保持構(gòu)件向外方移動而將保持構(gòu)件上的晶圓向外方排出。

接下來將新的注滿有干燥防止用的液體的晶圓載置于保持構(gòu)件上而反復(fù)進(jìn)行上述的作用。

如上述那樣在載置于保持構(gòu)件上的晶圓注滿有干燥防止用的液體，但于在基板處理容器內(nèi)對晶圓實(shí)施超臨界處理的情況下，保持構(gòu)件也被加熱成高溫。于在加熱了的保持構(gòu)件的溫度較高的狀態(tài)下載置了新的注滿液體的晶圓的情況下，可知：注滿于晶圓的干燥防止用的液體由于來自保持構(gòu)件的熱量就干燥，無法對晶圓實(shí)施恰當(dāng)?shù)某R界(加熱)處理。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2013-12538號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

本發(fā)明是考慮這樣的點(diǎn)而做成的，目的在于提供一種能夠?qū)ψM液體的基板實(shí)施恰當(dāng)?shù)募訜崽幚淼幕逄幚硌b置、基板處理方法。

用于解決問題的方案

本發(fā)明的基板處理裝置，其特征在于，該基板處理裝置具備：基板處理容器主體，其用于對基板實(shí)施處理；保持構(gòu)件，其用于從所述基板處理容器主體的外方向所述基板處理容器主體輸送所述基板，并用于在處理過程中在所述基板處理容器主體內(nèi)保持所述基板；冷卻構(gòu)件和基板支承銷，其位于所述基板處理容器主體的外方，并且，該冷卻構(gòu)件用于對所述保持構(gòu)件進(jìn)行冷卻，該基板支承銷用于對所述基板進(jìn)行支承；升降機(jī)構(gòu)，其用于使所述冷卻構(gòu)件和所述基板支承銷相對于所述保持構(gòu)件沿著上下方向升降。

本發(fā)明的基板處理方法，其特征在于，該基板處理方法具備如下工序：準(zhǔn)備基板處理裝置的工序，該基板處理裝置具備：基板處理容器主體，其用于對基板實(shí)施處理；保持構(gòu)件，其用于從所述基板處理容器主體的外方向所述基板處理容器主體輸送所述基板，并用于在處理過程中在所述基板處理容器主體內(nèi)保持所述基板；冷卻構(gòu)件和基板支承銷，其位于所述基板處理容器主體的外方，并且，該冷卻構(gòu)件用于對所述保持構(gòu)件進(jìn)行冷卻，該基板支承銷用于支承所述基板；升降機(jī)構(gòu)，其用于使所述冷卻構(gòu)件和所述基板支承銷相對于所述保持構(gòu)件沿著上下方向升降；利用所述保持構(gòu)件從所述基板處理容器主體的外方向所述基板處理容器主體輸送所述基板的工序；在所述基板處理容器內(nèi)一邊利用所述保持構(gòu)件保持所述基板一邊實(shí)施處理的工序；一邊將所述保持構(gòu)件上的所述基板向外方排出、并且使所述升降機(jī)構(gòu)工作而利用所述基板支承銷將所述基板向上方抬起，一邊使所述冷卻構(gòu)件接近所述保持構(gòu)件而對所述保持構(gòu)件進(jìn)行冷卻的工序；將新的基板向所述保持構(gòu)件上載置的工序。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)ψM液體的基板實(shí)施恰當(dāng)?shù)募訜崽幚怼?/p>

附圖說明

圖1是清洗處理系統(tǒng)的橫剖俯視圖。

圖2是設(shè)置于清洗處理系統(tǒng)的清洗裝置的縱剖側(cè)視圖。

圖3是本超臨界處理裝置的構(gòu)成圖。

圖4是本實(shí)施方式的基板處理容器的外觀立體圖。

圖5a是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的作用的圖。

圖5b是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的作用的圖。

圖5c是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的作用的圖。

圖5d是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的作用的圖。

圖6是表示冷卻構(gòu)件的外觀立體圖。

圖7是表示冷卻構(gòu)件和升降機(jī)構(gòu)的側(cè)視圖。

圖8是表示冷卻構(gòu)件和冷卻構(gòu)件支承銷的連結(jié)關(guān)系的圖7的a部放大圖。

圖9是表示冷卻構(gòu)件的俯視圖。

圖10是表示冷卻構(gòu)件的分解立體圖。

圖11是表示冷卻構(gòu)件和升降機(jī)構(gòu)的變形例的側(cè)視圖。

附圖標(biāo)記說明

w、晶圓；1、清洗系統(tǒng)；2、清洗裝置；3、超臨界處理裝置；4、控制部；4b、存儲介質(zhì)；31、基板處理容器；31a、基板處理容器主體；34、排出管線；34a、減壓閥；35、流體供給管線；35a、開閉閥；35c、流量調(diào)整閥；37、流體供給源；40、蓋裝置；41、蓋構(gòu)件；42、保持構(gòu)件；45、冷卻板；45a、冷卻板主體；46、升降機(jī)構(gòu)；48、冷卻構(gòu)件支承銷；49、基板支承銷；50、彈簧；51、冷卻管；52、一端；53、另一端；60、升降機(jī)構(gòu)；61、第1升降機(jī)構(gòu)；62、第2升降機(jī)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

以下，對本實(shí)施方式的基板處理容器、和裝入有該基板處理容器的超臨界處理裝置3(基板處理裝置)和清洗處理系統(tǒng)1整體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

首先，作為裝入有本實(shí)施方式的基板處理裝置的基板處理系統(tǒng)的一個(gè)例子，對清洗處理系統(tǒng)1進(jìn)行說明，該清洗處理系統(tǒng)1具備：清洗裝置2，其向作為被處理基板的晶圓w供給清洗液而進(jìn)行清洗處理；超臨界處理裝置3，其使附著于清洗處理后的晶圓w的干燥防止用的液體(ipa)與超臨界co2接觸而去除。

圖1是表示清洗處理系統(tǒng)1的整體結(jié)構(gòu)的橫剖俯視圖，朝向該圖而將下側(cè)設(shè)為前方。在清洗處理系統(tǒng)1中，foup100載置于載置部11，收納到該foup100的例如直徑為300mm的多張晶圓w經(jīng)由輸入輸出部12和交接部13在該foup100與后段的清洗處理部14、超臨界處理部15之間進(jìn)行交接，依次被輸入清洗裝置2、超臨界處理裝置3內(nèi)而進(jìn)行清洗處理、將干燥防止用的液體去除的處理。在圖1中，附圖標(biāo)記121是在foup100與交接部13之間輸送晶圓w的第1輸送機(jī)構(gòu)，附圖標(biāo)記131是起到作為供在輸入輸出部12與清洗處理部14、超臨界處理部15之間進(jìn)行輸送的晶圓w臨時(shí)載置的緩沖器的作用的交接擱板。

清洗處理部14和超臨界處理部15沿著從與交接部13之間的開口部朝向前后方向延伸的晶圓輸送路徑162從前方起依次設(shè)置。在清洗處理部14中，隔著該晶圓輸送路徑162各配置有1臺清洗裝置2。另一方面，在超臨界處理部15中，隔著晶圓輸送路徑162各配置有3臺、合計(jì)6臺作為本實(shí)施方式的基板處理裝置的超臨界處理裝置3。

利用配置于晶圓輸送路徑162的第2輸送機(jī)構(gòu)161在這些各清洗裝置2、超臨界處理裝置3和交接部13之間輸送晶圓w。在此，配置于清洗處理部14、超臨界處理部15的清洗裝置2、超臨界處理裝置3的個(gè)數(shù)可根據(jù)每單位時(shí)間的晶圓w的處理張數(shù)、清洗裝置2、超臨界處理裝置3中的處理時(shí)間的不同等適當(dāng)?shù)剡x擇，可根據(jù)這些清洗裝置2、超臨界處理裝置3的配置數(shù)量等選擇最佳的布局。

清洗裝置2構(gòu)成為利用例如旋轉(zhuǎn)清洗對晶圓w進(jìn)行逐張清洗的單張式的清洗裝置2，如圖2的縱剖側(cè)視圖所示，在配置于形成處理空間的外腔室21內(nèi)的晶圓保持機(jī)構(gòu)23大致水平地保持晶圓w，通過使該晶圓保持機(jī)構(gòu)23繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)，使晶圓w旋轉(zhuǎn)。然后，使噴嘴臂24進(jìn)入旋轉(zhuǎn)的晶圓w的上方，從設(shè)置于噴嘴臂24的頂端部的化學(xué)溶液噴嘴241將化學(xué)溶液以及沖洗液按照預(yù)先確定好的順序供給，從而進(jìn)行晶圓的面的清洗處理。另外，在晶圓保持機(jī)構(gòu)23的內(nèi)部也形成有化學(xué)溶液供給路徑231，利用從該化學(xué)溶液供給路徑231供給的化學(xué)溶液以及沖洗液進(jìn)行晶圓w的背面清洗。

清洗處理可如下這樣進(jìn)行：例如由作為堿性的化學(xué)溶液的sc1液(氨和過氧化氫水的混合液)進(jìn)行的微粒、有機(jī)性的污染物質(zhì)的去除→由作為沖洗液的脫離子水(純水)(deionizedwater：diw)進(jìn)行的沖洗清洗→由作為酸性化學(xué)溶液的稀氫氟酸水溶液(以下、dhf(dilutedhydrofluoricacid))進(jìn)行的自然氧化膜的去除→由diw進(jìn)行的沖洗清洗。這些化學(xué)溶液由被配置于外腔室21內(nèi)的內(nèi)杯22、外腔室21接住而從排液口221、211排出。另外，外腔室21內(nèi)的氣氛氣體被從排氣口212排出。

由化學(xué)溶液進(jìn)行的清洗處理一結(jié)束，就在使晶圓保持機(jī)構(gòu)23的旋轉(zhuǎn)停止后向晶圓w的表面和背面供給ipa(異丙醇，isopropylalcohol)，與殘存于這些面的diw置換。這樣結(jié)束了清洗處理的晶圓w保持其表面注滿ipa的狀態(tài)(在晶圓w表面形成有ipa的液膜的狀態(tài))并利用設(shè)置于晶圓保持機(jī)構(gòu)23的未圖示的交接機(jī)構(gòu)向第2輸送機(jī)構(gòu)161交接，從清洗裝置2輸出。

在清洗裝置2注滿于晶圓w表面的ipa起到作為在晶圓w從清洗裝置2向超臨界處理裝置3的輸送過程中、向超臨界處理裝置3的輸入動作過程中防止由于該ipa蒸發(fā)(氣化)而產(chǎn)生圖案倒塌的干燥防止用的液體的作用。

清洗裝置2中的清洗處理結(jié)束，在表面注滿干燥防止用的ipa的晶圓w向超臨界處理裝置3輸送，在基板處理容器31內(nèi)使超臨界co2與晶圓w表面的ipa接觸，從而使該ipa溶解于超臨界co2而去除，使晶圓w干燥。以下、一邊參照圖3、圖4，一邊說明本實(shí)施方式的超臨界處理裝置(基板處理裝置)3的結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施方式的超臨界處理裝置3具備：可進(jìn)行將附著到晶圓w表面的作為干燥防止用的液體的ipa去除的處理的本實(shí)施方式的基板處理容器31；向該基板處理容器31供給作為高壓流體的超臨界co2的流體供給源37。

如圖4所示，基板處理容器31具備在側(cè)面形成有供晶圓w的輸入輸出用的開口部31a的殼體狀的基板處理容器主體31a和將開口部31a密閉的蓋裝置40。其中，蓋裝置40具有在將晶圓w向基板處理容器主體31a內(nèi)輸入時(shí)將所述開口部31a密閉的蓋構(gòu)件41和與該蓋構(gòu)件41連結(jié)并橫向地保持處理對象的晶圓w的保持板(保持構(gòu)件)42。

基板處理容器主體31a是形成有可收容例如直徑為300mm的晶圓w的處理空間的容器，在其壁部連接有用于向基板處理容器31內(nèi)供給高壓流體的流體供給管線35(流體供給路徑)和用于將基板處理容器31內(nèi)的流體排出的排出管線34(排出路徑)。另外，在基板處理容器31設(shè)置有用于克服從供給到處理空間內(nèi)的高壓狀態(tài)的高壓流體受到的內(nèi)壓而朝向基板處理容器主體31a按壓蓋構(gòu)件41、使處理空間密閉的未圖示的按壓機(jī)構(gòu)。

與基板處理容器31連接的流體供給管線35經(jīng)由與高壓流體的向基板處理容器31的供給、停止相應(yīng)地開閉的開閉閥35a、過濾器35b以及流量調(diào)整閥35c而與流體供給源37連接。流體供給源37具備貯存例如液體co2的co2儲氣瓶和用于使從該co2儲氣瓶供給的液體co2升壓而成為超臨界狀態(tài)的、由注射泵、隔膜泵等構(gòu)成的升壓泵。在圖4等中，將這些co2儲氣瓶、升壓泵統(tǒng)一以儲氣瓶的形狀示出。

從流體供給源37供給來的超臨界co2利用流量調(diào)整閥35c對流量進(jìn)行調(diào)節(jié)，向基板處理容器31供給。該流量調(diào)整閥35c由例如針閥等構(gòu)成，也兼用作將來自流體供給源37的超臨界co2的供給阻斷的阻斷部。

另外，排出管線34的減壓閥34a與壓力控制器34b連接，該壓力控制器34b具備基于從設(shè)置于基板處理容器31的壓力計(jì)38取得的基板處理容器31內(nèi)的壓力的測定結(jié)果與預(yù)先設(shè)定好的設(shè)定壓力之間的比較結(jié)果來對開度進(jìn)行調(diào)整的反饋控制功能。

具備以上說明了的結(jié)構(gòu)的清洗處理系統(tǒng)1、清洗裝置2、超臨界處理裝置3如圖1、圖3所示那樣與控制部4連接?？刂撇?包括具備cpu和存儲部的計(jì)算機(jī)4a，在存儲部記錄有程序，該程序編入有針對關(guān)于這些清洗處理系統(tǒng)1、清洗裝置2、超臨界處理裝置3的作用、即關(guān)于從foup100取出晶圓w而利用清洗裝置2進(jìn)行清洗處理、接下來利用超臨界處理裝置3進(jìn)行使晶圓w干燥的處理到將晶圓w向foup100內(nèi)輸入為止的動作的控制的步驟(命令)組。該程序儲存于例如硬盤、光盤、磁光盤、存儲卡等存儲介質(zhì)4b，從存儲介質(zhì)4b安裝于計(jì)算機(jī)。

接下來，參照圖4～圖10進(jìn)一步說明本實(shí)施方式的超臨界處理裝置3的基板處理容器31的結(jié)構(gòu)。

如圖4～圖10所示，基板處理容器31具備：具有開口部31a的基板處理容器主體31a和蓋裝置40，該蓋裝置40具有對開口部31a進(jìn)行密閉的蓋構(gòu)件41和與該蓋構(gòu)件41連結(jié)并將晶圓w沿著水平方向保持的板狀的保持板42。

另外，在基板處理容器主體31a的外方設(shè)置有金屬制的冷卻板(冷卻構(gòu)件)45，該金屬制的冷卻板(冷卻構(gòu)件)45相對于保持板42沿著上下方向升降而與保持板42的下表面直接接觸，對該保持板42進(jìn)行冷卻。

該冷卻板45能夠利用升降機(jī)構(gòu)46進(jìn)行上升而與保持板42的下表面直接接觸。

接下來，對升降機(jī)構(gòu)46進(jìn)行說明。如圖7所示，升降機(jī)構(gòu)46具有基座46b、設(shè)置于基座46b上并沿著鉛垂方向延伸的鉛垂引導(dǎo)件46d、以及沿著鉛垂引導(dǎo)件46d升降的升降臺46a。

另外，在升降臺46a安裝有驅(qū)動馬達(dá)46c，來自該驅(qū)動馬達(dá)46c的驅(qū)動力向升降臺46a與鉛垂引導(dǎo)件46d之間的驅(qū)動部46e傳遞，而使升降臺46a沿著鉛垂引導(dǎo)件46d升降。

在包括這樣的結(jié)構(gòu)的升降機(jī)構(gòu)46的升降臺46a設(shè)置有沿著鉛垂方向延伸的冷卻構(gòu)件支承銷48，由該冷卻構(gòu)件支承銷48支承冷卻板45。在該情況下，彈簧50介于冷卻板45與冷卻構(gòu)件支承銷48之間，在升降臺46a上升而冷卻板45與保持板42的下表面直接抵接之際，能夠緩和冷卻板45與保持板42之間的沖擊。另外，即使例如保持板42稍微傾斜，冷卻板45隔著彈簧50，因此，也能夠仿效保持板42的傾斜而抵接，能夠均勻地冷卻保持板42。(參照圖8)。

具體而言，彈簧50安裝于冷卻構(gòu)件支承銷48的上部，覆蓋該彈簧50地設(shè)置有彈簧罩50a。并且，設(shè)置于彈簧罩50a的突起50b嵌入冷卻板45的開口45a內(nèi)，冷卻構(gòu)件支承銷48和冷卻板45借助彈簧50連結(jié)起來。

不過，如圖6～圖8所示，在升降機(jī)構(gòu)46的升降臺46a，除了設(shè)置有冷卻構(gòu)件支承銷48之外，還設(shè)置有支承晶圓w而使晶圓w升降的基板支承銷49?；逯С袖N49用于支承晶圓w而使晶圓w升降，基板支承銷49貫通被設(shè)置于冷卻板45的開口45a而沿著上下方向延伸。

不過，如圖10所示，冷卻板45具有冷卻板主體45a和形成于該冷卻板主體45a內(nèi)的冷卻管51，該冷卻管51的一端52和另一端53分別與冷卻水供給管線52a和冷卻水排出管線53a連接。并且，在包括這樣的結(jié)構(gòu)的冷卻板45中，冷卻板45始終被在冷卻板主體45a的冷卻管51內(nèi)流動的冷卻介質(zhì)冷卻。

接下來，對包括這樣的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式的作用進(jìn)行說明。

如已述那樣清洗裝置2的清洗處理結(jié)束，若注滿有干燥防止用的ipa的晶圓w向第2輸送機(jī)構(gòu)161交接，則第2輸送機(jī)構(gòu)161進(jìn)入被配置有可放入晶圓w的超臨界處理裝置3的殼體內(nèi)。

對于此時(shí)進(jìn)行晶圓w的輸入之前的超臨界處理裝置3，使基板處理容器31的未圖示的加熱器連通(on)，基板處理容器31內(nèi)被加熱，在使基板處理容器31內(nèi)大氣開放后在將流體供給管線35的開閉閥35a、排出管線34的減壓閥34a關(guān)閉的狀態(tài)下待機(jī)。另外，對于流體供給管線35，也預(yù)先進(jìn)行大氣開放操作，在高壓的co2沒有殘存于內(nèi)部的狀態(tài)下將開閉閥35a和流量調(diào)整閥35c關(guān)閉。

注滿有ipa的晶圓w輸入到在上述的狀態(tài)下待機(jī)著的基板處理容器31。此時(shí)，如圖4所示那樣預(yù)先使蓋裝置40的保持板42向基板處理容器主體31a的外方移動。并且，利用升降機(jī)構(gòu)46使基板支承銷49上升，使基板支承銷49貫通保持板42的未圖示的開口而向上方突出。接下來，利用該基板支承銷49從第2輸送機(jī)構(gòu)161的輸送臂接受晶圓w。接下來，利用升降機(jī)構(gòu)46使基板支承銷49下降，將晶圓w載置于保持板42(參照圖5a)。之后，進(jìn)一步使蓋裝置40的保持板42移動而將晶圓w經(jīng)由開口部31a向基板處理容器主體31a的內(nèi)部輸入，利用蓋構(gòu)件41將開口部31a關(guān)閉而使基板處理容器31內(nèi)密閉(參照圖5b)。

接下來，如圖3和圖5b所示，打開流體供給管線35的開閉閥35a，并且對流量調(diào)整閥35c的開度進(jìn)行調(diào)節(jié)，而以預(yù)先確定好的流量將超臨界co2導(dǎo)入到基板處理容器31內(nèi)(參照圖5c)。

不過，在壓力控制器34b設(shè)定有基板處理容器31內(nèi)的目標(biāo)壓力，基板處理容器31內(nèi)的壓力一超過所述目標(biāo)壓力，就打開減壓閥34a而將基板處理容器31內(nèi)的超臨界co2的一部分從排出管線34排出，從而進(jìn)行基板處理容器31內(nèi)的壓力調(diào)整。此時(shí)，在晶圓w的表面上，在晶圓w上注滿的ipa與超臨界co2接觸，被超臨界co2抽出，而ipa被從晶圓w的表面去除。

不久，超臨界co2進(jìn)入被形成于晶圓w的表面的圖案內(nèi)，將該圖案內(nèi)的ipa抽出而去除。其結(jié)果，充滿到圖案內(nèi)的ipa被置換成超臨界co2，被從晶圓w的表面去除。

此時(shí)，將在基板處理容器31內(nèi)抽出了ipa的超臨界co2的一部分從排出管線34排出，繼續(xù)供給來自流體供給管線35的新的超臨界co2。由此，不使基板處理容器31內(nèi)的超臨界co2對ipa的抽出能力大幅度降低，就能夠進(jìn)行去除ipa的處理。

這樣一來，將進(jìn)入到圖案內(nèi)的ipa抽出、利用超臨界co2進(jìn)行置換一經(jīng)過充分的時(shí)間，就解除壓力控制器34b的壓力控制而將排出管線34的減壓閥34a關(guān)閉，并且，將流量調(diào)整閥35c封閉而將來自流體供給源37的超臨界co2的供給阻斷。此時(shí)，成為基板處理容器31和流體供給管線35的配管內(nèi)部充滿超臨界co2的狀態(tài)。

超臨界co2的供給一停止，就打開減壓閥34a而將基板處理容器31和流體供給管線35的配管的內(nèi)部的超臨界co2排出，從而一并將基板處理容器31和流體供給管線35減壓到大氣壓。在該操作中，殘存于基板處理容器31、流體供給管線35內(nèi)的超臨界co2隨著壓力的降低而“超臨界co2→高壓co2氣體→低壓co2氣體”這樣變化，水分、油分的保持能力降低下來。

這樣一來，在減壓到大氣壓的基板處理容器31的內(nèi)部，從圖案內(nèi)去除液體ipa，能夠獲得成為干燥了的狀態(tài)的晶圓w。

一使基板處理容器31內(nèi)大氣開放而獲得干燥了的狀態(tài)的晶圓w，就如圖5d所示，使蓋裝置40的保持板42移動而利用第2輸送機(jī)構(gòu)161從基板處理容器31的基板處理容器主體31a輸出晶圓w。

在該情況下，蓋裝置40的保持板42到達(dá)被設(shè)置于基板處理容器主體31a的外方的升降機(jī)構(gòu)46的正上方。接下來，利用驅(qū)動馬達(dá)46c使升降機(jī)構(gòu)46的升降臺46a上升。此時(shí)，隨著升降臺46a的上升，冷卻構(gòu)件支承銷48和基板支承銷49同時(shí)上升。

在該情況下，如圖7和圖8所示，冷卻構(gòu)件支承銷48隔著彈簧50支承冷卻板45，另一方面，基板支承銷49貫通冷卻板45的開口45a而向上方延伸。

若升降臺46a進(jìn)一步上升，則基板支承銷49貫通保持板42的未圖示的開口而向保持板42上方突出，基板支承銷49抬起晶圓w。接下來，由冷卻構(gòu)件支承銷48支承著的冷卻板45與保持板42的下表面直接接觸而對該保持板42的下表面進(jìn)行冷卻。

于在基板處理容器31內(nèi)對晶圓w實(shí)施超臨界處理之際，蓋裝置40的保持板42在基板處理容器31內(nèi)被加熱而成為高溫。于在該狀態(tài)下如隨后論述那樣將新的晶圓w載置到保持板42上的情況下，也認(rèn)為：由于來自保持板42的熱量，在晶圓w上注滿的干燥防止用的ipa就干燥。

與此相對，根據(jù)本實(shí)施方式，使冷卻板45與保持板42的下表面直接接觸而對保持板42進(jìn)行冷卻，因此，能夠防止晶圓w上的ipa因保持板42的熱量而干燥于未然。

接下來，由基板支承銷49抬起的晶圓w向第2輸送機(jī)構(gòu)161的輸送臂交接。

接下來，如上所述，注滿ipa的新的晶圓w輸入到超臨界處理裝置3，被交接于貫通保持板42的開口而向上方抬起的基板支承銷49。

之后，升降機(jī)構(gòu)46的升降臺46a下降，基板支承銷49上的晶圓w載置于保持板42上，由冷卻構(gòu)件支承銷48支承的冷卻板45與保持板42分開。

之后，使蓋裝置40的保持板42移動而將保持板42上的晶圓w向基板處理容器主體31a內(nèi)輸入，對上述的晶圓w反復(fù)進(jìn)行超臨界處理。

然后，晶圓w經(jīng)由緩沖器131向第1輸送機(jī)構(gòu)121交接，經(jīng)由與輸入時(shí)相反的路徑收納于foup100內(nèi)，對晶圓w的一系列的動作完成。

如以上的那樣，根據(jù)本實(shí)施方式，在基板處理容器31內(nèi)能夠使冷卻板45與由于對晶圓w實(shí)施超臨界處理而被加熱成高溫的保持板42直接接觸而對該保持板42進(jìn)行冷卻。因此，在將注滿ipa的新的晶圓w載置到保持板42的情況下，注滿于新的晶圓w上的ipa就不會由于保持板42的熱量而干燥，能夠?qū)Aw實(shí)施恰當(dāng)?shù)某R界處理。另外，冷卻板45隔著彈簧50被冷卻構(gòu)件支承銷48支承，因此，即使是在使升降機(jī)構(gòu)46的升降臺46a上升而使冷卻板45與保持板42的下表面抵接了的情況下，也不會從冷卻板45對保持板42施加較大的沖擊。另外，即使例如保持板42稍微傾斜，冷卻板45隔著彈簧50，因此，也能夠仿效保持板42的傾斜而抵接，能夠均勻地冷卻保持板42。

而且，還能夠使用單一的升降機(jī)構(gòu)46并利用冷卻構(gòu)件支承銷48使冷卻板45與保持板42的下表面接觸，且利用基板支承銷49將晶圓w抬起。

此外，在上述實(shí)施方式中，示出了使用金屬制的冷卻板45作為冷卻板45的例子，但并不限于此，也可以是，在冷卻板45的上部設(shè)置彈性材料來使冷卻板45與保持板42之間的沖擊緩和。

而且，還示出了使用板狀的保持板42作為保持構(gòu)件的例子，也可以使用僅保持晶圓w的周緣的環(huán)狀的保持構(gòu)件。

在上述實(shí)施方式中，使保持板42和冷卻板45直接接觸來進(jìn)行冷卻，但并不限于此，也可以是，使保持板42和冷卻板45接近成形成有保持板42與冷卻板45不接觸的程度的微小的間隙。在不將冷卻板45加熱成高溫的情況下，不直接接觸也能夠進(jìn)行冷卻。

另外，在上述實(shí)施方式中，在升降機(jī)構(gòu)46上一體地設(shè)置有冷卻板45和基板支承銷49，冷卻板45和基板支承銷49一起進(jìn)行升降動作，但并不限于此，也可以是，升降機(jī)構(gòu)60具有使冷卻板45沿著上下方向升降的第1升降機(jī)構(gòu)61和使基板支承銷49沿著上下方向升降的第2升降機(jī)構(gòu)62，第1升降機(jī)構(gòu)61和第2升降機(jī)構(gòu)62彼此獨(dú)立地進(jìn)行升降動作。例如，如圖11所示，使蓋裝置40的保持板42移動而從基板處理容器31的基板處理容器主體31a輸出晶圓w。在該情況下，蓋裝置40的保持板42到達(dá)被設(shè)置于基板處理容器主體31a的外方的升降機(jī)構(gòu)60的正上方。接下來，利用驅(qū)動馬達(dá)61c使第1升降機(jī)構(gòu)61的升降臺61a上升，使冷卻板45與保持板42接近或直接接觸。接下來，利用驅(qū)動馬達(dá)62c使第2升降機(jī)構(gòu)62的升降臺62a上升，基板支承銷49上升。由此，直到利用第2輸送機(jī)構(gòu)161的輸送臂接受晶圓w之前，與保持板42一并地也能夠冷卻晶圓w。

在上述實(shí)施方式中，示出了使用超臨界流體對晶圓w進(jìn)行超臨界處理的超臨界裝置，并不限于此，也能夠適用于不使用超臨界流體就對注滿于晶圓w上的液體進(jìn)行加熱而進(jìn)行處理的裝置。

另外，在上述實(shí)施方式中，示出了在冷卻板45與冷卻構(gòu)件支承銷48之間設(shè)置有彈簧50的例子，但該彈簧50既可以是金屬制的彈簧，也可以是氣體或液體的流體彈簧。