技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了存儲器件及其制造方法。一種制造存儲器件的方法包括在基板上順序地形成初級選擇器件層、初級中間電極層和初級可變電阻層并且然后蝕刻初級選擇器件層、初級中間電極層和初級可變電阻層，由此形成選擇器件、中間電極和可變電阻層。選擇器件的側(cè)部分和可變電阻層的側(cè)部分的至少之一被去除，使得中間電極在平行于基板的頂部的第一方向上的第一寬度大于可變電阻層在第一方向上的第二寬度或選擇器件在第一方向上的第三寬度。蓋層形成在選擇器件的被蝕刻的側(cè)部分的側(cè)壁和可變電阻層的被蝕刻的側(cè)部分的側(cè)壁的至少之一上。

技術(shù)研發(fā)人員：成東俊;樸淳五
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.16
技術(shù)公布日：2017.08.29