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通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法與流程

文檔序號:12681659閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法,其特征在于:在有機(jī)電致發(fā)光器件出光玻璃基底表面上,采用UV光學(xué)膠貼附光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜,所選用的UV光學(xué)膠的折射率與OLED發(fā)光器件的出光玻璃基底的折射率相近,擴(kuò)散膜孔徑為6-15um,擴(kuò)散膜的厚度為15um,然后將覆有光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜的有機(jī)電致發(fā)光器件放入UV固化機(jī)中,利用紫外線照射接近5min后使UV光學(xué)膠產(chǎn)生聚合反應(yīng)從而固化,使光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜固定結(jié)合在有機(jī)電致發(fā)光器件表面,形成玻璃基底表面結(jié)合厚度薄而均勻的介質(zhì)膜的復(fù)合出光結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法,其特征在于:擴(kuò)散膜孔徑為10-12um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法,其特征在于:擴(kuò)散膜使用PET為基材,采用折射率相異的介質(zhì)在基層表面制作出不同的光學(xué)散光結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法,其特征在于:根據(jù)霧化度對擴(kuò)散膜進(jìn)行選擇,采用霧度低于5%的光學(xué)薄膜,制備OLED顯示器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法,其特征在于:在出光玻璃基底表面上利用UV光學(xué)膠貼附光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜時,所選用的UV光學(xué)膠折射率接近1.56,在出光玻璃基底和光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜之間的界面內(nèi)應(yīng)避免氣泡的產(chǎn)生,將擴(kuò)散膜完全貼附在出光玻璃基底表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法,其特征在于:所采用的UV固化機(jī)選用合適的波長,并接近UV光學(xué)膠的固化吸收波長,且控制光強(qiáng)度波動在5%范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法,其特征在于:控制附著擴(kuò)散膜的OLED器件色坐標(biāo)從0度到80度變化△(x,y)=(0.012,0.0.004)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任意一項所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法,其特征在于,步驟如下:

a.采用玻璃基底作為襯底,在玻璃基底上濺射高電導(dǎo)率的ITO,其厚度最少為180nm,作為陽極電極層;

b.在所述步驟a中制備的陽極電極層上蒸鍍MoO3,其厚度為1-6nm,作為界面修飾層;

c.在所述步驟b中制備的界面修飾層上面依次蒸鍍厚度至少為60nm的NPB層、厚度至少為60nm的Alq3層、厚度至少為0.8nm的LiF層和厚度至少為100nm的Al層分別作為空穴傳輸層、發(fā)光層、電子注入層和陰極電極層;

d.在所述步驟c中制備好的底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光綠光器件玻璃背面,采用NOA63型UV光學(xué)膠貼附光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜,放入UV固化機(jī),紫外線照射約5min后使膠水產(chǎn)生聚合反應(yīng)從而固化采用NOA63型UV光學(xué)膠貼附光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜,然后將覆有光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜的有機(jī)電致發(fā)光器件放入UV固化機(jī)中,利用紫外線照射5min后使UV光學(xué)膠產(chǎn)生聚合反應(yīng)從而固化。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法,其特征在于:在所述步驟b中,在陽極電極層上蒸鍍MoO3的厚度為3-5nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法,其特征在于:在所述步驟d中,所制備的附著擴(kuò)散膜的OLED器件的發(fā)光區(qū)域的尺寸至少為5mm×5mm。

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